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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 结构 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | ((av)(av)) | 当前 -关闭状态(最大) | scr | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | SCR,二极管的数量 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ixta88n085t | - | ![]() | 7034 | 0.00000000 | ixys | TRENCHMV™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta88 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 85 v | 88A(TC) | 10V | 11mohm @ 25a,10v | 4V @ 100µA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 3140 pf @ 25 V | - | 230W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTH96N20P | 10.0300 | ![]() | 1407 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixth96 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 200 v | 96A(TC) | 10V | 24mohm @ 500mA,10v | 5V @ 250µA | 145 NC @ 10 V | ±20V | 4800 PF @ 25 V | - | 600W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFR64N50Q3 | 32.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q3类 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFR64 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixfr64n50q3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 45A(TC) | 10V | 95mohm @ 32a,10v | 6.5V @ 4mA | 145 NC @ 10 V | ±30V | 6950 pf @ 25 V | - | 500W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXXH50N60B3D1 | 12.7900 | ![]() | 2916 | 0.00000000 | ixys | GenX3™,XPT™ | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-247-3 | IXXH50 | 标准 | 600 w | TO-247AD(IXXH) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 360V,36a,5ohm,15V | 25 ns | pt | 600 v | 120 a | 200 a | 1.8V @ 15V,36a | 670µJ(在)上,740µJ(OFF) | 70 NC | 27n/100ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDD600-18N1 | - | ![]() | 2812 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | 底盘安装 | WC-500 | MDD600 | 标准 | WC-500 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1800 v | 600a | 880 mv @ 500 A | 50 ma @ 1800 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXGA48N60C3 | - | ![]() | 9687 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IXGA48 | 标准 | 300 w | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,30a,3ohm,15V | pt | 600 v | 75 a | 250 a | 2.5V @ 15V,30a | 410µJ(在)上,230µJ(OFF) | 77 NC | 19NS/60NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VBO50-18NO7 | - | ![]() | 1167 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | PWS-A | VBO50 | 标准 | PWS-A | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.14 V @ 40 A | 100 µA @ 1800 V | 50 a | 单相 | 1.8 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFX20N120P | 27.7800 | ![]() | 126 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | IXFX20 | MOSFET (金属 o化物) | 加上247™-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 20A(TC) | 10V | 570MOHM @ 10A,10V | 6.5V @ 1mA | 193 NC @ 10 V | ±30V | 11100 PF @ 25 V | - | 780W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSP8-08A | 2.9000 | ![]() | 930 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | DSP8 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | DSP808A | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 11a | 1.15 V @ 7 A | 5 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VUO110-12NO7 | 56.9300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | PWS-E | VUO110 | 标准 | PWS-E | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5 | 1.13 V @ 50 A | 100 µA @ 1200 V | 127 a | 三期 | 1.2 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSEI2X61-02A | 33.2400 | ![]() | 2277 | 0.00000000 | ixys | 弗雷德 | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | DSEI2X6 | 标准 | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 71a | 1.08 V @ 60 A | 50 ns | 50 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MWI75-12T7T | - | ![]() | 8484 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E2 | MWI75 | 355 w | 标准 | E2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 三相逆变器 | 沟 | 1200 v | 110 a | 2.15V @ 15V,75a | 4 mA | 是的 | 5.35 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCD72-14IO8B | 37.9200 | ![]() | 31 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | TO-240AA | MCD72 | 系列连接 -SCR/二极管 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -MCD72-14IO8B | Ear99 | 8541.30.0080 | 36 | 200 ma | 1.4 kV | 180 a | 2.5 v | 1700a,1800a | 150 ma | 115 a | 1 sc,1二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXSK50N60BD1 | - | ![]() | 3133 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXSK50 | 标准 | 300 w | TO-264AA(IXSK) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 480V,50a,2.7Ohm,15V | 35 ns | - | 600 v | 75 a | 200 a | 2.5V @ 15V,50a | 3.3mj(() | 167 NC | 70NS/150NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFL30N120P | - | ![]() | 4330 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | isoplusi5-pak™ | IXFL30 | MOSFET (金属 o化物) | isoplusi5-pak™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 1200 v | 18A(TC) | 10V | 380MOHM @ 15A,10V | 6.5V @ 1mA | 310 NC @ 10 V | ±30V | 19000 PF @ 25 V | - | 357W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFP72N30x3 | 10.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X3 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXFP72 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 300 v | 72A(TC) | 10V | 19mohm @ 36a,10v | 4.5V @ 1.5mA | 82 NC @ 10 V | ±20V | 5400 PF @ 25 V | - | 390W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXBF9N160G | - | ![]() | 1153 | 0.00000000 | ixys | Bimosfet™ | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | I4-PAC™-5 (3个线索) | IXBF9N160 | 标准 | 70 W | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 960V,5A,27OHM,10V | - | 1600 v | 7 a | 7V @ 15V,5A | - | 34 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ixta1r4n120p | 5.9700 | ![]() | 140 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 1200 v | 1.4A(TC) | 10V | 13ohm @ 500mA,10v | 4.5V @ 100µA | 24.8 NC @ 10 V | ±20V | 666 pf @ 25 V | - | 86W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTA180N085T7 | - | ![]() | 7057 | 0.00000000 | ixys | TRENCHMV™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | ixta180 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263-7(IXTA) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 85 v | 180a(TC) | 10V | 5.5MOHM @ 25A,10V | 4V @ 250µA | 170 NC @ 10 V | ±20V | 7500 PF @ 25 V | - | 430W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R1127NC32P | - | ![]() | 8652 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 在sic中停产 | -40°C〜125°C | 夹紧 | TO-200AC,K-PUK | R1127 | W11 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-R1127NC32P | Ear99 | 8541.30.0080 | 6 | 1 a | 3.2 kV | 2247 a | 3 V | 14100a @ 50Hz | 300 MA | 2.42 v | 1127 a | 100 ma | 标准恢复 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QJ8035NH4TP | 6.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | QJXX35XH4 | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | QJ8035 | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-QJ8035NH4TP | Ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 60 ma | 替代者 -无用 | 800 v | 35 a | 1 V | 290a,350a | 35 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSI45-08A | 4.7600 | ![]() | 9716 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | DSI45 | 标准 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.28 V @ 45 A | 20 µA @ 800 V | -40°C〜175°C | 45a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixtp8n65x2 | 1.6260 | ![]() | 8004 | 0.00000000 | ixys | Ultra X2 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ixtp8 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 8A(TC) | 10V | 500MOHM @ 4A,10V | 5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±30V | 800 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSS2X81-0045B | - | ![]() | 4742 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | DSS2 | 肖特基 | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | DSS2X810045B | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 80a | 650 mv @ 80 A | 60 ma @ 45 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXFL38N100Q2 | 39.8160 | ![]() | 6238 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q2类 | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | ixfl38 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS264™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 614235 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 1000 v | 29A(TC) | 10V | 280mohm @ 19a,10v | 5.5V @ 8mA | 250 NC @ 10 V | ±30V | 13500 PF @ 25 V | - | 380W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFI7N80P | - | ![]() | 6019 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Polarht™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | ixfi7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262(I2PAK) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 7A(TC) | 10V | 1.44OHM @ 3.5A,10V | 5V @ 1mA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1890 pf @ 25 V | - | 200W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VUO190-12NO7 | 83.1800 | ![]() | 4533 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | PWS-E | VUO190 | 标准 | PWS-E | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5 | 1.07 V @ 80 A | 200 µA @ 1200 V | 248 a | 三期 | 1.2 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFT70N30Q3 | 21.6000 | ![]() | 18 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q3类 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | IXFT70 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixft70n30q3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 300 v | 70A(TC) | 10V | 54mohm @ 35a,10v | 6.5V @ 4mA | 98 NC @ 10 V | ±20V | 4735 pf @ 25 V | - | 830W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | N2543ZD300 | - | ![]() | 2278 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 在sic中停产 | - | 底盘安装 | TO-200AF | N2543 | W46 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-N2543ZD300 | Ear99 | 8541.30.0080 | 6 | 3 kV | 32000a @ 50Hz | 2543 a | 标准恢复 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXST15N120B | - | ![]() | 1885年 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | IXST15 | 标准 | 150 w | TO-268AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V,15a,10ohm,15V | pt | 1200 v | 30 a | 60 a | 3.4V @ 15V,15a | 1.5mj(() | 57 NC | 30NS/148NS |
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