SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) ((av)(av)) 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f SCR,二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
DSSK80-0045B IXYS DSSK80-0045B -
RFQ
ECAD 5402 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSSK80 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 40a 510 MV @ 40 A 30 ma @ 45 V -55°C〜150°C
MMIX1F230N20T IXYS MMIX1F230N20T 49.0600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 ixys Gigamos™,HiperFet™,Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 24-PowersMD,21个线索 MMIX1F230 MOSFET (金属 o化物) 24-smpd 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 200 v 168a(TC) 10V 8.3mohm @ 60a,10v 5V @ 8mA 378 NC @ 10 V ±20V 28000 PF @ 25 V - 600W(TC)
VBO54-12NO7 IXYS VBO54-12NO7 15.9700
RFQ
ECAD 1618年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC1 VBO54 标准 Eco-PAC1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 40 µA @ 1200 V 54 a 单相 1.2 kV
IXTP75N10P IXYS IXTP75N10P 4.9700
RFQ
ECAD 48 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp75 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixtp75n10p Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 75A(TC) 10V 25mohm @ 500mA,10v 5.5V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±20V 2250 pf @ 25 V - 360W(TC)
IXTA4N70X2 IXYS ixta4n70x2 3.0778
RFQ
ECAD 4686 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta4 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta4n70x2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 700 v 4A(TC) 10V 850MOHM @ 2A,10V 4.5V @ 250µA 11.8 NC @ 10 V ±30V 386 pf @ 25 V - 80W(TC)
VCA105-14IO7 IXYS VCA105-14IO7 -
RFQ
ECAD 9086 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC2 VCA105 普通阳极 -scrs 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 1.4 kV 180 a 1.5 v 2250a,2400a 150 ma 105 a 2 scr
IXFB44N100Q3 IXYS IXFB44N100Q3 46.4400
RFQ
ECAD 7066 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFB44 MOSFET (金属 o化物) 加上264™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 44A(TC) 10V 220MOHM @ 22a,10v 6.5V @ 8mA 264 NC @ 10 V ±30V 13600 PF @ 25 V - 1560W(TC)
IXFP26N65X2 IXYS IXFP26N65x2 9.9300
RFQ
ECAD 5732 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXFP26 MOSFET (金属 o化物) TO-220 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-ixfp26n65x2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 26a(TC) 10V 130MOHM @ 500mA,10V 5V @ 2.5mA 45 NC @ 10 V ±30V 2450 pf @ 25 V - 460W(TC)
MITA15WB1200TMH IXYS MITA15WB1200TMH -
RFQ
ECAD 7962 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 Minipack2 MITA15W 120 w 三相桥梁整流器 Minipack2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 三期逆变器 1200 v 30 a 2.2V @ 15V,15a 600 µA 是的 1.1 NF @ 25 V
MCMA700PD1600CB-PC IXYS MCMA700PD1600CB-PC 231.3300
RFQ
ECAD 5648 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 底盘安装 组合 MCMA700 系列连接 -SCR/二极管 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCMA700PD1600CB-PC Ear99 8541.30.0080 3 300 MA 1.6 kV 1200 a 2 v 19000a,20500a 300 MA 700 a 1 sc,1二极管
IXTA300N04T2 IXYS ixta300N04T2 5.2412
RFQ
ECAD 6291 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta300 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 300A(TC) 10V 2.5MOHM @ 500mA,10V 4V @ 250µA 145 NC @ 10 V ±20V 10700 PF @ 25 V - 480W(TC)
IXTF1N250 IXYS IXTF1N250 59.0700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 I4-PAC™-5 (3个线索) ixtf1 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS I4-PAC™ - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Q7319967A Ear99 8541.29.0095 25 n通道 2500 v 1A(TC) 10V 40ohm @ 500mA,10v 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±20V 1660 pf @ 25 V - 110W
IXGQ50N60B4D1 IXYS IXGQ50N60B4D1 -
RFQ
ECAD 7944 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXGQ50 标准 300 w to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,36a,10ohm,15V 25 ns pt 600 v 100 a 230 a 1.8V @ 15V,36a 930µJ(在)上,1MJ(1MJ) 110 NC 37NS/330N
IXFP10N80P IXYS IXFP10N80P 6.3800
RFQ
ECAD 281 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXFP10 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 10A(TC) 10V 1.1OHM @ 5A,10V 5.5V @ 2.5mA 40 NC @ 10 V ±30V 2050 pf @ 25 V - 300W(TC)
IXFN44N100P IXYS IXFN44N100P 44.9200
RFQ
ECAD 8476 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN44 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfn44n100p Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 37A(TC) 10V 220MOHM @ 22a,10v 6.5V @ 1mA 305 NC @ 10 V ±30V 19000 PF @ 25 V - 890W(TC)
IXFV36N50P IXYS IXFV36N50P -
RFQ
ECAD 2442 0.00000000 ixys HiperFet™,Polarp2™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3,短选项卡 IXFV36 MOSFET (金属 o化物) 加220 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 36a(TC) 10V 170MOHM @ 500mA,10V 5V @ 4mA 93 NC @ 10 V ±30V 5500 PF @ 25 V - 540W(TC)
MWI50-12E7 IXYS MWI50-12E7 -
RFQ
ECAD 1733年 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E2 MWI50 350 w 标准 E2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 1200 v 90 a 2.4V @ 15V,50a 800 µA 3.8 nf @ 25 V
IXYH8N250CHV IXYS IXYH8N250CHV 25.4400
RFQ
ECAD 8056 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXYH8N250 标准 280 w TO-247HV 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V,8a,15ohm,15V 5 ns - 2500 v 29 a 70 a 4V @ 15V,8a 2.6mj(在)上,1.07mj off) 45 NC 11NS/180NS
VBO20-08NO2 IXYS VBO20-08NO2 -
RFQ
ECAD 7223 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,fo-a VBO20 标准 fo-a 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 55 A 300 µA @ 800 V 31 a 单相 800 v
IXFH80N15Q IXYS IXFH80N15Q -
RFQ
ECAD 2631 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH80 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 80A(TC) 10V 22.5mohm @ 40a,10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W(TC)
IXG70IF1200NA IXYS IXG70IF1200NA 25.1170
RFQ
ECAD 5432 0.00000000 ixys X2PT™,XPT™ 管子 积极的 - 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXG70IF1200 标准 SOT-227B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixg70if1200NA 0000.00.0000 10 - pt 1200 v 130 a - -
IXTY4N65X2-TRL IXYS IXTY4N65X2-TRL 1.2663
RFQ
ECAD 1584年 0.00000000 ixys Ultra X2 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty4 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixty4nnnnn65x2-trltr Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 4A(TC) 10V 850MOHM @ 2A,10V 5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±30V 455 pf @ 25 V - 80W(TC)
VUB116-16NO1 IXYS VUB116-16NO1 -
RFQ
ECAD 2492 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E2 VUB116 标准 E2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6 2.76 V @ 30 A 100 µA @ 1600 V 116 a ((() 1.6 kV
IXFP230N075T2 IXYS IXFP230N075T2 7.1800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 ixys HiperFet™,Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXFP230 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 230a(TC) 10V 4.2MOHM @ 50a,10v 4V @ 1mA 178 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 25 V - 480W(TC)
MDO500-22N1 IXYS MDO500-22N1 182.2700
RFQ
ECAD 41 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y1-CU MDO500 标准 Y1-CU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 MDO50022N1 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2200 v 1.3 V @ 1200 A 30 ma @ 2200 V 560a 576pf @ 700V,1MHz
IXFX320N17T2 IXYS IXFX320N17T2 32.2000
RFQ
ECAD 8250 0.00000000 ixys HiperFet™,Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXFX320 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 170 v 320a(TC) 10V 5.2MOHM @ 60a,10v 5V @ 8mA 640 NC @ 10 V ±20V 45000 PF @ 25 V - 1670W(TC)
CLE90UH1200TLB-TRR IXYS CLE90UH1200TLB-TRR 24.1195
RFQ
ECAD 2530 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 9-PowersMD CLE90 桥梁,三相-scr/二极管 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-CLE90UH1200TLB-TRRTR Ear99 8541.30.0080 200 60 ma 1.2 kV 100 a 1.4 v 350a,380a 30 ma 90 a 3 scr,3个二极管
IXFP30N25X3M IXYS IXFP30N25X3M 6.8500
RFQ
ECAD 288 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 IXFP30 MOSFET (金属 o化物) TO-220隔离选项卡 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfp30n25x3m Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 30A(TC) 10V 60mohm @ 15a,10v 4.5V @ 500µA 21 NC @ 10 V ±20V 1450 pf @ 25 V - 36W(TC)
IXFT69N30P IXYS IXFT69N30P 11.3667
RFQ
ECAD 3671 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 盒子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft69 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 69A(TC) 10V 49mohm @ 500mA,10v 5V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4960 pf @ 25 V - 500W(TC)
IXYP10N65C3D1 IXYS IXYP10N65C3D1 -
RFQ
ECAD 4184 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXYP10 标准 160 w TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V,10A,50OHM,15V 170 ns pt 650 v 30 a 54 a 2.5V @ 15V,10a 240µJ(在)上,110µJ(110µJ) 18 NC 20NS/77NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库