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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 结构 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | ((av)(av)) | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | SCR,二极管的数量 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DSSK80-0045B | - | ![]() | 5402 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | DSSK80 | 肖特基 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 40a | 510 MV @ 40 A | 30 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMIX1F230N20T | 49.0600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | ixys | Gigamos™,HiperFet™,Trencht2™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 24-PowersMD,21个线索 | MMIX1F230 | MOSFET (金属 o化物) | 24-smpd | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | n通道 | 200 v | 168a(TC) | 10V | 8.3mohm @ 60a,10v | 5V @ 8mA | 378 NC @ 10 V | ±20V | 28000 PF @ 25 V | - | 600W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VBO54-12NO7 | 15.9700 | ![]() | 1618年 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Eco-PAC1 | VBO54 | 标准 | Eco-PAC1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 40 µA @ 1200 V | 54 a | 单相 | 1.2 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTP75N10P | 4.9700 | ![]() | 48 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ixtp75 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixtp75n10p | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 75A(TC) | 10V | 25mohm @ 500mA,10v | 5.5V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ±20V | 2250 pf @ 25 V | - | 360W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ixta4n70x2 | 3.0778 | ![]() | 4686 | 0.00000000 | ixys | Ultra X2 | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixta4n70x2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 700 v | 4A(TC) | 10V | 850MOHM @ 2A,10V | 4.5V @ 250µA | 11.8 NC @ 10 V | ±30V | 386 pf @ 25 V | - | 80W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VCA105-14IO7 | - | ![]() | 9086 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | Eco-PAC2 | VCA105 | 普通阳极 -scrs | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 25 | 200 ma | 1.4 kV | 180 a | 1.5 v | 2250a,2400a | 150 ma | 105 a | 2 scr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFB44N100Q3 | 46.4400 | ![]() | 7066 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q3类 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFB44 | MOSFET (金属 o化物) | 加上264™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 1000 v | 44A(TC) | 10V | 220MOHM @ 22a,10v | 6.5V @ 8mA | 264 NC @ 10 V | ±30V | 13600 PF @ 25 V | - | 1560W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFP26N65x2 | 9.9300 | ![]() | 5732 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X2 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXFP26 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-ixfp26n65x2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 26a(TC) | 10V | 130MOHM @ 500mA,10V | 5V @ 2.5mA | 45 NC @ 10 V | ±30V | 2450 pf @ 25 V | - | 460W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MITA15WB1200TMH | - | ![]() | 7962 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | Minipack2 | MITA15W | 120 w | 三相桥梁整流器 | Minipack2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 三期逆变器 | 沟 | 1200 v | 30 a | 2.2V @ 15V,15a | 600 µA | 是的 | 1.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCMA700PD1600CB-PC | 231.3300 | ![]() | 5648 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 底盘安装 | 组合 | MCMA700 | 系列连接 -SCR/二极管 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MCMA700PD1600CB-PC | Ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 MA | 1.6 kV | 1200 a | 2 v | 19000a,20500a | 300 MA | 700 a | 1 sc,1二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ixta300N04T2 | 5.2412 | ![]() | 6291 | 0.00000000 | ixys | TRENCHT2™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta300 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 300A(TC) | 10V | 2.5MOHM @ 500mA,10V | 4V @ 250µA | 145 NC @ 10 V | ±20V | 10700 PF @ 25 V | - | 480W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTF1N250 | 59.0700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | I4-PAC™-5 (3个线索) | ixtf1 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS I4-PAC™ | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Q7319967A | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 2500 v | 1A(TC) | 10V | 40ohm @ 500mA,10v | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±20V | 1660 pf @ 25 V | - | 110W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGQ50N60B4D1 | - | ![]() | 7944 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXGQ50 | 标准 | 300 w | to-3p | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,36a,10ohm,15V | 25 ns | pt | 600 v | 100 a | 230 a | 1.8V @ 15V,36a | 930µJ(在)上,1MJ(1MJ) | 110 NC | 37NS/330N | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFP10N80P | 6.3800 | ![]() | 281 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXFP10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 10A(TC) | 10V | 1.1OHM @ 5A,10V | 5.5V @ 2.5mA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 2050 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFN44N100P | 44.9200 | ![]() | 8476 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXFN44 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixfn44n100p | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 1000 v | 37A(TC) | 10V | 220MOHM @ 22a,10v | 6.5V @ 1mA | 305 NC @ 10 V | ±30V | 19000 PF @ 25 V | - | 890W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXFV36N50P | - | ![]() | 2442 | 0.00000000 | ixys | HiperFet™,Polarp2™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3,短选项卡 | IXFV36 | MOSFET (金属 o化物) | 加220 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 36a(TC) | 10V | 170MOHM @ 500mA,10V | 5V @ 4mA | 93 NC @ 10 V | ±30V | 5500 PF @ 25 V | - | 540W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MWI50-12E7 | - | ![]() | 1733年 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E2 | MWI50 | 350 w | 标准 | E2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 三相逆变器 | npt | 1200 v | 90 a | 2.4V @ 15V,50a | 800 µA | 不 | 3.8 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYH8N250CHV | 25.4400 | ![]() | 8056 | 0.00000000 | ixys | XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | IXYH8N250 | 标准 | 280 w | TO-247HV | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 1250V,8a,15ohm,15V | 5 ns | - | 2500 v | 29 a | 70 a | 4V @ 15V,8a | 2.6mj(在)上,1.07mj off) | 45 NC | 11NS/180NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VBO20-08NO2 | - | ![]() | 7223 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,fo-a | VBO20 | 标准 | fo-a | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.8 V @ 55 A | 300 µA @ 800 V | 31 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH80N15Q | - | ![]() | 2631 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH80 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 150 v | 80A(TC) | 10V | 22.5mohm @ 40a,10v | 4V @ 4mA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 4500 PF @ 25 V | - | 360W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXG70IF1200NA | 25.1170 | ![]() | 5432 | 0.00000000 | ixys | X2PT™,XPT™ | 管子 | 积极的 | - | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXG70IF1200 | 标准 | SOT-227B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixg70if1200NA | 0000.00.0000 | 10 | - | pt | 1200 v | 130 a | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTY4N65X2-TRL | 1.2663 | ![]() | 1584年 | 0.00000000 | ixys | Ultra X2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ixty4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixty4nnnnn65x2-trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 650 v | 4A(TC) | 10V | 850MOHM @ 2A,10V | 5V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±30V | 455 pf @ 25 V | - | 80W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VUB116-16NO1 | - | ![]() | 2492 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E2 | VUB116 | 标准 | E2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 2.76 V @ 30 A | 100 µA @ 1600 V | 116 a | ((() | 1.6 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFP230N075T2 | 7.1800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | ixys | HiperFet™,Trencht2™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXFP230 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 75 v | 230a(TC) | 10V | 4.2MOHM @ 50a,10v | 4V @ 1mA | 178 NC @ 10 V | ±20V | 10500 PF @ 25 V | - | 480W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDO500-22N1 | 182.2700 | ![]() | 41 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | Y1-CU | MDO500 | 标准 | Y1-CU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MDO50022N1 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2200 v | 1.3 V @ 1200 A | 30 ma @ 2200 V | 560a | 576pf @ 700V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFX320N17T2 | 32.2000 | ![]() | 8250 | 0.00000000 | ixys | HiperFet™,Trencht2™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | IXFX320 | MOSFET (金属 o化物) | 加上247™-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 170 v | 320a(TC) | 10V | 5.2MOHM @ 60a,10v | 5V @ 8mA | 640 NC @ 10 V | ±20V | 45000 PF @ 25 V | - | 1670W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLE90UH1200TLB-TRR | 24.1195 | ![]() | 2530 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 9-PowersMD | CLE90 | 桥梁,三相-scr/二极管 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-CLE90UH1200TLB-TRRTR | Ear99 | 8541.30.0080 | 200 | 60 ma | 1.2 kV | 100 a | 1.4 v | 350a,380a | 30 ma | 90 a | 3 scr,3个二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXFP30N25X3M | 6.8500 | ![]() | 288 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X3 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | IXFP30 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220隔离选项卡 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixfp30n25x3m | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 250 v | 30A(TC) | 10V | 60mohm @ 15a,10v | 4.5V @ 500µA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 1450 pf @ 25 V | - | 36W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFT69N30P | 11.3667 | ![]() | 3671 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | ixft69 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 300 v | 69A(TC) | 10V | 49mohm @ 500mA,10v | 5V @ 4mA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 4960 pf @ 25 V | - | 500W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYP10N65C3D1 | - | ![]() | 4184 | 0.00000000 | ixys | GenX3™,XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXYP10 | 标准 | 160 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,10A,50OHM,15V | 170 ns | pt | 650 v | 30 a | 54 a | 2.5V @ 15V,10a | 240µJ(在)上,110µJ(110µJ) | 18 NC | 20NS/77NS |
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