SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
DSI45-08A IXYS DSI45-08A 4.7600
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DSI45 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.28 V @ 45 A 20 µA @ 800 V -40°C〜175°C 45a -
IXTP8N65X2 IXYS ixtp8n65x2 1.6260
RFQ
 ECAD 8004 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp8 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 8A（TC） 10V 500MOHM @ 4A，10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 150W（TC）
DSS2X81-0045B IXYS DSS2X81-0045B -
RFQ
 ECAD 4742 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DSS2 肖特基 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DSS2X810045B Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 45 v 80a 650 mv @ 80 A 60 ma @ 45 V -40°C〜150°C
IXFL38N100Q2 IXYS IXFL38N100Q2 39.8160
RFQ
 ECAD 6238 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q2类 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixfl38 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 614235 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 29A（TC） 10V 280mohm @ 19a，10v 5.5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±30V 13500 PF @ 25 V - 380W（TC）
IXFI7N80P IXYS IXFI7N80P -
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA ixfi7 MOSFET （金属 o化物） TO-262（I2PAK） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 7A（TC） 10V 1.44OHM @ 3.5A，10V 5V @ 1mA 32 NC @ 10 V ±30V 1890 pf @ 25 V - 200W（TC）
VUO190-12NO7 IXYS VUO190-12NO7 83.1800
RFQ
 ECAD 4533 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-E VUO190 标准 PWS-E 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5 1.07 V @ 80 A 200 µA @ 1200 V 248 a 三期 1.2 kV
IXFT70N30Q3 IXYS IXFT70N30Q3 21.6000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT70 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixft70n30q3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 70A（TC） 10V 54mohm @ 35a，10v 6.5V @ 4mA 98 NC @ 10 V ±20V 4735 pf @ 25 V - 830W（TC）
N2543ZD300 IXYS N2543ZD300 -
RFQ
 ECAD 2278 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 - 底盘安装 TO-200AF N2543 W46 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N2543ZD300 Ear99 8541.30.0080 6 3 kV 32000a @ 50Hz 2543 a 标准恢复
IXST15N120B IXYS IXST15N120B -
RFQ
 ECAD 1885年 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXST15 标准 150 w TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，15a，10ohm，15V pt 1200 v 30 a 60 a 3.4V @ 15V，15a 1.5mj（（） 57 NC 30NS/148NS
MCC225-16IO1 IXYS MCC225-16IO1 155.7700
RFQ
 ECAD 9747 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y1-CU MCC225 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3 150 ma 1.6 kV 400 a 2 v 8000a，8500a 150 ma 221 a 2 scr
IXTQ200N085T IXYS IXTQ200N085T -
RFQ
 ECAD 3390 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ200 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 85 v 200a（TC） 10V 5mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 152 NC @ 10 V ±20V 7600 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXTH16N50D2 IXYS IXTH16N50D2 13.8500
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH16 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 16A（TC） 0V 240mohm @ 8a，0v - 199 NC @ 5 V ±20V 5250 pf @ 25 V 耗尽模式 695W（TC）
VUO62-14NO7 IXYS VUO62-14NO7 39.1100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-D VUO62 标准 PWS-D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 150 A 300 µA @ 1400 V 63 a 三期 1.4 kV
MWI25-12A7 IXYS MWI25-12A7 -
RFQ
 ECAD 1851年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 MWI25 225 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 1200 v 50 a 2.7V @ 15V，25a 2 ma 不 1.65 NF @ 25 V
IXFX32N80Q3 IXYS IXFX32N80Q3 32.5900
RFQ
 ECAD 824 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX32 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfx32n80q3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 32A（TC） 10V 270mohm @ 16a，10v 6.5V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±30V 6940 pf @ 25 V - 1000W（TC）
VDI75-12P1 IXYS VDI75-12P1 -
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 vdi 379 w 标准 Eco-PAC2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 单身的 npt 1200 v 92 a 3.2V @ 15V，75a 3.7 MA 是的 3.3 NF @ 25 V
K1010MA650 IXYS K1010MA650 -
RFQ
 ECAD 8268 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 夹紧 TO-200AC，K-PUK K1010 W77 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-K1010MA650 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 6.5 kV 2210 a 3 V 14000a @ 50Hz 300 MA 2.5 v 1130 a 150 ma 标准恢复
IXFK210N17T IXYS IXFK210N17T -
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 ixys Gigamos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK210 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 170 v 210a（TC） 10V 7.5MOHM @ 60a，10v 5V @ 4mA 285 NC @ 10 V ±20V 18800 PF @ 25 V - 1150W（TC）
MMO230-14IO7 IXYS MMO230-14IO7 -
RFQ
 ECAD 5364 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 模块 MMO 1相控制器 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MMO23014IO7 Ear99 8541.30.0080 25 200 MA 1.4 kV 180 a 1.5 v 2250a，2400a 150 ma 105 a 2 scr
MCNA120PD2200T-NMI IXYS MCNA120PD2200T-NMI -
RFQ
 ECAD 6809 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 - - - MCNA120 - - 到达不受影响 238-MCNA120PD2200T-NMI Ear99 8541.30.0080 36 - -
MWI100-06A8 IXYS MWI100-06A8 -
RFQ
 ECAD 8281 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 MWI100 410 w 标准 E3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 npt 600 v 130 a 2.5V @ 15V，100a 1.2 ma 不 4.3 NF @ 25 V
MDA600-18N1 IXYS MDA600-18N1 -
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 模块 MDA600 标准 模块 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 1800 v 883a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1800 V -40°C〜150°C
DH40-18A IXYS DH40-18A 9.4600
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 ixys Sonic-FRD™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DH40 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DH4018A Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1800 v 2.7 V @ 40 A 300 ns 100 µA @ 1800 V -40°C〜150°C 40a -
MDK950-20N1W IXYS MDK950-20N1W -
RFQ
 ECAD 8793 0.00000000 ixys - 托盘 积极的 底盘安装 模块 MDK950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 2000 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 mA @ 2000 V -40°C〜150°C
IXGT30N60B2 IXYS IXGT30N60B2 -
RFQ
 ECAD 8254 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT30 标准 190 w TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，24A，5OHM，15V pt 600 v 70 a 150 a 1.8V @ 15V，24a 320µJ（离） 66 NC 13NS/110NS
MEE75-12DA IXYS mee75-12da 34.7800
RFQ
 ECAD 7506 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 TO-240AA mee75 标准 TO-240AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对系列连接 1200 v 75a 2.17 V @ 100 A 300 ns 2 ma @ 1200 V -40°C〜150°C
IXFP5N100P IXYS IXFP5N100P 5.5900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP5N100 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfp5n100p Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 5A（TC） 10V 2.8ohm @ 500mA，10v 6V @ 250µA 33.4 NC @ 10 V ±30V 1830 pf @ 25 V - 250W（TC）
HTZ280H32K IXYS HTZ280H32K -
RFQ
 ECAD 8509 0.00000000 ixys htz280h 盒子 积极的 底盘安装 模块 HTZ280 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 32000 v 4.7a 23 V @ 12 A 500 µA @ 32000 V
IXFN23N100 IXYS IXFN23N100 -
RFQ
 ECAD 1316 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN23 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 23A（TC） 10V - 5V @ 8mA ±20V - 600W（TC）
IXFP12N65X2M IXYS IXFP12N65X2M 4.2300
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IXFP12 MOSFET （金属 o化物） TO-220隔离选项卡 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 12A（TC） 10V 310MOHM @ 6A，10V 5V @ 250µA 18.5 NC @ 10 V ±30V 1134 PF @ 25 V - 40W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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