SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXFN26N100P IXYS IXFN26N100P 54.3070
RFQ
 ECAD 1694年 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN26 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 23A（TC） 10V 390MOHM @ 13A，10V 6.5V @ 1mA 197 nc @ 10 V ±30V 11900 PF @ 25 V - 595W（TC）
IXFH20N60Q IXYS IXFH20N60Q -
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH20 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 20A（TC） 10V 350MOHM @ 10A，10V 4.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±30V 3300 PF @ 25 V - 300W（TC）
DSEC59-06BC IXYS DSEC59-06BC 9.4224
RFQ
 ECAD 3554 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 通过洞 ISOPLUS220™ DSEC59 标准 ISOPLUS220™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 30a 2.51 V @ 30 A 30 ns 250 µA @ 600 V -40°C〜175°C
IXTY1N120PTRL IXYS ixty1n120ptrl -
RFQ
 ECAD 3330 0.00000000 ixys 极性 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty1 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA - 到达不受影响 238-ixty1n120ptrltr Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 1200 v 1A（TC） 10V 20ohm @ 500mA，10v 4.5V @ 50µA 17.6 NC @ 10 V ±30V 445 pf @ 25 V - 63W（TC）
MCD162-14IO1 IXYS MCD162-14IO1 67.0467
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Y4-M6 MCD162 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1.4 kV 300 a 2.5 v 6000a，6400a 150 ma 190 a 1 sc，1二极管
IXFH23N60Q IXYS IXFH23N60Q -
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH23 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 23A（TC） 10V 320MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±30V 3300 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXTQ200N06P IXYS IXTQ200N06P -
RFQ
 ECAD 3389 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ200 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 60 V 200a（TC） 10V 5MOHM @ 400A，15V 5V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 714W（TC）
IXFT26N60P IXYS IXFT26N60P 7.0695
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft26 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 26a（TC） 10V 270MOHM @ 500mA，10V 5V @ 4mA 72 NC @ 10 V ±30V 4150 PF @ 25 V - 460W（TC）
IXTP27N20T IXYS IXTP27N20T -
RFQ
 ECAD 7734 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3 ixtp27 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 27a（TC） - - - -
VUO85-14NO7 IXYS VUO85-14NO7 -
RFQ
 ECAD 4133 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 fo-ta VUO85 标准 fo-ta 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.6 V @ 150 A 500 µA @ 1400 V 85 a 三期 1.4 kV
IXEH25N120D1 IXYS IXEH25N120D1 -
RFQ
 ECAD 1409 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXEH25 标准 200 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，20a，68onm，15V 130 ns npt 1200 v 36 a 3.2V @ 15V，25a 4.1MJ（在）上，1.5MJ off） 100 NC -
IXGR40N60C IXYS IXGR40N60C -
RFQ
 ECAD 3568 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGR40 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，40a，4.7Ohm，15V - 600 v 75 a 150 a 2.7V @ 15V，40a 850µJ（离） 116 NC 25n/100n
MCC56-08IO1B IXYS MCC56-08IO1B 32.2500
RFQ
 ECAD 2663 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC56 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -MCC56-08IO1B Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 800 v 100 a 1.5 v 1500a，1600a 100 ma 64 a 2 scr
IXSN80N60BD1 IXYS IXSN80N60BD1 -
RFQ
 ECAD 5023 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXSN80 420 W 标准 SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 600 v 160 a 2.5V @ 15V，80a 200 µA 不 6.6 NF @ 25 V
MIXG330PF1200PTSF IXYS MIXG330PF1200PTSF 157.0608
RFQ
 ECAD 8621 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - Mixg330 - - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MIXG330PF1200PTSF 24 - - -
IXFH6N100F IXYS IXFH6N100F -
RFQ
 ECAD 6900 0.00000000 ixys hiperfet™，f类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH6 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 6A（TC） 10V 1.9OHM @ 3A，10V 5.5V @ 2.5mA 54 NC @ 10 V ±20V 1770 pf @ 25 V - 180W（TC）
IXTH140N075L2 IXYS IXTH140N075L2 18.2938
RFQ
 ECAD 9647 0.00000000 ixys 线性l2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH140 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 75 v 140a（TC） 10V 11mohm @ 70a，10v 4.5V @ 250µA 275 NC @ 10 V ±20V 9300 PF @ 25 V - 540W（TC）
IXTP180N085T IXYS IXTP180N085T -
RFQ
 ECAD 9439 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP180 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 85 v 180a（TC） 10V 5.5MOHM @ 25A，10V 4V @ 250µA 170 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 25 V - 430W（TC）
QJ6016NH5TP IXYS QJ6016NH5TP 3.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys QJXX16XHX 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB QJ6016 TO-263（D2PAK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-QJ6016NH5TP Ear99 8541.30.0080 113 单身的 50 mA 替代者 -无用 600 v 16 a 1.3 v 167a，200a 50 mA
IXXH30N60C3D1 IXYS IXXH30N60C3D1 7.5500
RFQ
 ECAD 7547 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXXH30 标准 270 w TO-247AD（IXXH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，24a，10ohm，15V 25 ns pt 600 v 60 a 110 a 2.3V @ 15V，24a 500µJ（在）上，270µJ（OFF） 37 NC 23ns/77ns
MWI75-06A7T IXYS MWI75-06A7T -
RFQ
 ECAD 5130 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 E2 MWI75 280 w 标准 E2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 600 v 90 a 2.6V @ 15V，75a 1.3 ma 是的 3.2 NF @ 25 V
IXTY32P05T IXYS IXTY32P05T 2.5163
RFQ
 ECAD 1956年 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty32 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 P通道 50 V 32A（TC） 10V 39mohm @ 16a，10v 4.5V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±15V 1975 pf @ 25 V - 83W（TC）
DSA10I100PM IXYS DSA10I100PM -
RFQ
 ECAD 1605 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2完整包，隔离选项卡 DSA10I100 肖特基 TO-220FP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 890 mv @ 10 a 200 µA @ 100 V -55°C〜150°C 10a -
DSSK80-003B IXYS DSSK80-003B -
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSSK80 肖特基 TO-247（IXTH） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 40a 480 mv @ 40 a 40 mA @ 30 V -55°C〜150°C
IXTP20N65X2M IXYS IXTP20N65X2M 3.5864
RFQ
 ECAD 5558 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 ixtp20 MOSFET （金属 o化物） TO-220隔离选项卡 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 238-ixtp20n65x2m Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 20A（TC） 10V 185mohm @ 10a，10v 4.5V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±30V 1450 pf @ 25 V - 36W（TC）
N2825TE400 IXYS N2825TE400 -
RFQ
 ECAD 2283 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AF N2825 W82 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N2825TE400 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 4 kV 5520 a 3 V 41000a @ 50Hz 300 MA 3.37 v 2825 a 250 MA 标准恢复
MCC200-18IO1 IXYS MCC200-18IO1 99.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Y4-M6 MCC200 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MCC20018IO1 Ear99 8541.30.0080 6 150 ma 1.8 kV 340 a 2 v 8000a，8600a 150 ma 216 a 2 scr
DSI45-12A IXYS DSI45-12A 4.6100
RFQ
 ECAD 9433 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DSI45 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DSI4512A Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.28 V @ 45 A 20 µA @ 1200 V -40°C〜175°C 45a 18pf @ 400V，1MHz
IXTM9226 IXYS IXTM9226 -
RFQ
 ECAD 4913 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - - - ixtm92 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 - - - - - - - -
IXFP14N60P IXYS IXFP14N60P 3.5284
RFQ
 ECAD 7181 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP14 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 14A（TC） 10V 550MOHM @ 7A，10V 5.5V @ 2.5mA 36 NC @ 10 V ±30V 2500 PF @ 25 V - 300W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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