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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
DSA30C60PB	-	RFQ	1256	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-3	DSA30C60		肖特基				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	60 V	15a	850 MV @ 15 A		500 µA @ 60 V	-55°C 〜175°C
IXGT32N120A3	11.4300	RFQ	7039	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT32	标准		300 w			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					-																												pt	1200 v	75 a	230 a	2.35V @ 15V，32a	-	89 NC	-
GWM220-004P3-SL SAM	-	RFQ	1694年	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM220		MOSFET （金属 o化物）	-			ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）					40V	180a		-	4V @ 1mA	94NC @ 10V		-	-
DSS25-0045A	-	RFQ	5867	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	DSS25		肖特基				TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						45 v		690 mv @ 25 A		1 mA @ 45 V	-55°C 〜175°C	25a	-
IXFN50N120SIC	82.8500	RFQ	20	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN50		sicfet （碳化硅）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			1200 v	47A（TC）	20V	50mohm @ 40a，20v	2.2V @ 2mA	100 nc @ 20 V	+20V，-5V	1900 pf @ 1000 V	-	-
IXFA60N25X3	8.4800	RFQ	38	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA60		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			250 v	60a（TC）	10V	23mohm @ 30a，10v	4.5V @ 1.5mA	50 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 25 V	-	320W（TC）
IXTT12N150HV-TRL	46.0094	RFQ	1340	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt12		MOSFET （金属 o化物）				TO-268HV（IXTT）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-ixtt12n150hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	400			n通道			1500 v	12A（TC）	10V	2.2Ohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	3720 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFT20N80P	-	RFQ	4391	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft20		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			800 v	20A（TC）	10V	520MOHM @ 10a，10v	5V @ 4mA	86 NC @ 10 V	±30V	4685 pf @ 25 V	-	500W（TC）
DMA150YA1600NA	35.1200	RFQ	3450	ixys	-	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DMA150		标准				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					3个常见阳极	1600 v	150a	1.21 V @ 50 A		100 µA @ 1600 V	-40°C〜150°C
DNA40U2200GU	20.9800	RFQ	116	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	5-sip	DNA40U2200		标准				GUFP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-DNA40U2200GU	Ear99	8541.10.0080	14																										1.28 V @ 30 A		40 µA @ 2200 V		40 a											三期	2.2 kV
DSB30C30pb	-	RFQ	9103	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-3	DSB30C30		肖特基				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	30 V	15a	510 MV @ 15 A		10 mA @ 30 V	-55°C〜150°C
VBO160-16NO7	88.2660	RFQ	4349	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-E	VBO160		标准				PWS-E	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5																										1.43 V @ 300 A		300 µA @ 1600 V		174 a											单相	1.6 kV
VUO82-08NO7	36.1120	RFQ	2649	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-D	VUO82		标准				PWS-D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10																										1.6 V @ 150 A		300 µA @ 800 V		88 a											三期	800 v
VUB145-16NO1	-	RFQ	6846	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	VUB145		标准				E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6																										168 V @ 150 A		100 µA @ 1600 V		145 a											（（（）	1.6 kV
IXFX120N65X2	24.8600	RFQ	243	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX120		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			650 v	120A（TC）	10V	24mohm @ 60a，10v	5.5V @ 8mA	225 NC @ 10 V	±30V	15500 pf @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFP30N60X	4.9964	RFQ	9120	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP30		MOSFET （金属 o化物）				TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	30A（TC）	10V	155mohm @ 15a，10v	4.5V @ 4mA	56 NC @ 10 V	±30V	2270 pf @ 25 V	-	500W（TC）
VUO125-12NO7	58.6600	RFQ	9	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-C	VUO125		标准				PWS-C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VUO12512NO7	Ear99	8541.10.0080	10																										1.07 V @ 50 A		200 µA @ 1200 V		166 a											三期	1.2 kV
MCC95-14IO1	41.0400	RFQ	38	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCC95				系列连接 -scr			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-MCC95-14IO1	Ear99	8541.30.0080	36				200 ma													1.4 kV	182 a	2.5 v	2250a，2430a	150 ma	116 a										2 scr
DSEP6-06AS-TRL	2.5000	RFQ	4	ixys	Hiperfred™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DSEP6		标准				TO-252AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						600 v		2.02 V @ 6 A	20 ns	50 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	6a	-
VUO155-16NO1	-	RFQ	8936	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v2-pak	VUO155		标准				v2-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6																										1.59 V @ 150 A		300 µA @ 1600 V		157 a											三期	1.6 kV
ixtk17n120l	46.4000	RFQ	297	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk17		MOSFET （金属 o化物）				TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtk17n120l	Ear99	8541.29.0095	25			n通道			1200 v	17a（TC）	20V	900mohm @ 8.5a，20v	5V @ 250µA	155 NC @ 15 V	±30V	8300 PF @ 25 V	-	700W（TC）
QJ6016RH5TP	3.4600	RFQ	999	ixys	QJXX16XHX	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	QJ6016						TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-QJ6016RH5TP	Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的			50 mA												替代者 -无用	600 v	16 a	1.3 v	167a，200a	50 mA
DPG30C200pc-tub	3.9800	RFQ	50	ixys	DPG30C200pc	管子	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DPG30C200		标准				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-DPG30C200pc-tub	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	200 v	15a	1.26 V @ 15 A	35 ns	1 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
ixta10p50p-trl	6.8800	RFQ	2896	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta10		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道			500 v	10A（TC）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH13N100	-	RFQ	4176	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH13		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	12.5A（TC）	10V	900mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
MWI75-06A7	-	RFQ	6977	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI75			280 w		标准	E2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器																																npt	600 v	90 a		2.6V @ 15V，75a						1.3 ma	不	3.2 NF @ 25 V
ixta26p20p	6.8800	RFQ	8	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta26		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道			200 v	26a（TC）	10V	170MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2740 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFT24N50	-	RFQ	6417	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft24		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			500 v	24A（TC）	10V	230mohm @ 12a，10v	4V @ 4mA	160 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFP130N10T2	4.5728	RFQ	1475	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP130		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	130a（TC）	10V	9.1MOHM @ 65A，10V	4.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXKR47N60C5	25.5900	RFQ	26	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXKR47		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	47A（TC）	10V	45mohm @ 44a，10v	3.5V @ 3mA	190 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²