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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTV98N20T	-	RFQ	6243	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv98		MOSFET （金属 o化物）			加220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			200 v	98A（TC）		-	-				-	-
DPG10I300PA	1.7700	RFQ	18	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	DPG10I300		标准			TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									300 v		1.27 V @ 10 A	35 ns	1 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C	10a	-
MIXA225PF1200TSF	131.9700	RFQ	9415	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	Mixa225			1100 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	半桥																																		pt	1200 v	360 a		2.1V @ 15V，225a						300 µA	是的
IXFX420N10T	20.8100	RFQ	67	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX420		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			100 v	420a（TC）	10V	2.6mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	670 NC @ 10 V	±20V	47000 PF @ 25 V	-	1670W（TC）
IXFX14N100	-	RFQ	6174	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX14		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	14A（TC）	10V	750MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
GWM160-00553	-	RFQ	5727	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM160		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	6 n通道（3相桥）					55V	160a		3MOHM @ 100A，10V	4V @ 1mA	90NC @ 10V		-	-
ixta88n085t	-	RFQ	7034	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta88		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			85 v	88A（TC）	10V	11mohm @ 25a，10v	4V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	3140 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IXTH96N20P	10.0300	RFQ	1407	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth96		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			200 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXFR64N50Q3	32.5900	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR64		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfr64n50q3	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			500 v	45A（TC）	10V	95mohm @ 32a，10v	6.5V @ 4mA	145 NC @ 10 V	±30V	6950 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXXH50N60B3D1	12.7900	RFQ	2916	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXXH50	标准		600 w		TO-247AD（IXXH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					360V，36a，5ohm，15V																									25 ns					pt	600 v	120 a	200 a	1.8V @ 15V，36a	670µJ（在）上，740µJ（OFF）	70 NC	27n/100ns
MDD600-18N1	-	RFQ	2812	ixys	-	盒子	过时的		底盘安装	WC-500	MDD600		标准			WC-500	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								1对系列连接	1800 v	600a	880 mv @ 500 A		50 ma @ 1800 V	-40°C〜150°C
VBO50-18NO7	-	RFQ	1167	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-A	VBO50		标准			PWS-A	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10																													1.14 V @ 40 A		100 µA @ 1800 V		50 a										单相	1.8 kV
IXFX20N120P	27.7800	RFQ	126	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX20		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1200 v	20A（TC）	10V	570MOHM @ 10A，10V	6.5V @ 1mA	193 NC @ 10 V	±30V	11100 PF @ 25 V	-	780W（TC）
DSP8-08A	2.9000	RFQ	930	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	DSP8		标准			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSP808A	Ear99	8541.10.0080	50		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								1对系列连接	800 v	11a	1.15 V @ 7 A		5 µA @ 800 V	-55°C 〜175°C
VUO110-12NO7	56.9300	RFQ	33	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-E	VUO110		标准			PWS-E	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5																													1.13 V @ 50 A		100 µA @ 1200 V		127 a										三期	1.2 kV
DSEI2X61-02A	33.2400	RFQ	2277	ixys	弗雷德	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DSEI2X6		标准			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								2独立	200 v	71a	1.08 V @ 60 A	50 ns	50 µA @ 200 V	-40°C〜150°C
MWI75-12T7T	-	RFQ	8484	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI75			355 w	标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器																																		沟	1200 v	110 a		2.15V @ 15V，75a						4 mA	是的	5.35 NF @ 25 V
IXFL30N120P	-	RFQ	4330	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	IXFL30		MOSFET （金属 o化物）			isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			1200 v	18A（TC）	10V	380MOHM @ 15A，10V	6.5V @ 1mA	310 NC @ 10 V	±30V	19000 PF @ 25 V	-	357W（TC）
IXFP72N30x3	10.0500	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP72		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			300 v	72A（TC）	10V	19mohm @ 36a，10v	4.5V @ 1.5mA	82 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXBF9N160G	-	RFQ	1153	ixys	Bimosfet™	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF9N160	标准		70 W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					960V，5A，27OHM，10V																														-	1600 v	7 a		7V @ 15V，5A	-	34 NC	-
ixta1r4n120p	5.9700	RFQ	140	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			1200 v	1.4A（TC）	10V	13ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 100µA	24.8 NC @ 10 V	±20V	666 pf @ 25 V	-	86W（TC）
R1127NC32P	-	RFQ	8652	ixys	-	盒子	在sic中停产	-40°C〜125°C	夹紧	TO-200AC，K-PUK	R1127					W11	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-R1127NC32P	Ear99	8541.30.0080	6				1 a													3.2 kV	2247 a	3 V	14100a @ 50Hz	300 MA	2.42 v	1127 a	100 ma	标准恢复
QJ8035NH4TP	6.8100	RFQ	1	ixys	QJXX35XH4	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	QJ8035					TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-QJ8035NH4TP	Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的			60 ma												替代者 -无用	800 v	35 a	1 V	290a，350a	35 MA
DSI45-08A	4.7600	RFQ	9716	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DSI45		标准			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									800 v		1.28 V @ 45 A		20 µA @ 800 V	-40°C〜175°C	45a	-
ixtp8n65x2	1.6260	RFQ	8004	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp8		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	8A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	150W（TC）
DSS2X81-0045B	-	RFQ	4742	ixys	-	管子	在sic中停产		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DSS2		肖特基			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSS2X810045B	Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								2独立	45 v	80a	650 mv @ 80 A		60 ma @ 45 V	-40°C〜150°C
IXFL38N100Q2	39.8160	RFQ	6238	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixfl38		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	614235	Ear99	8541.29.0095	25			n通道			1000 v	29A（TC）	10V	280mohm @ 19a，10v	5.5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	13500 PF @ 25 V	-	380W（TC）
IXFI7N80P	-	RFQ	6019	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	ixfi7		MOSFET （金属 o化物）			TO-262（I2PAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			800 v	7A（TC）	10V	1.44OHM @ 3.5A，10V	5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1890 pf @ 25 V	-	200W（TC）
VUO190-12NO7	83.1800	RFQ	4533	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-E	VUO190		标准			PWS-E	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5																													1.07 V @ 80 A		200 µA @ 1200 V		248 a										三期	1.2 kV
IXFT70N30Q3	21.6000	RFQ	18	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT70		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft70n30q3	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			300 v	70A（TC）	10V	54mohm @ 35a，10v	6.5V @ 4mA	98 NC @ 10 V	±20V	4735 pf @ 25 V	-	830W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²