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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（av）（av）） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXBT14N300HV IXYS IXBT14N300HV 49.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT14 标准 200 w TO-268HV（IXBT） - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Q10794009 Ear99 8541.29.0095 30 960V，14a，20欧姆，15V 1.4 µs - 3000 v 38 a 120 a 2.7V @ 15V，14a - 62 NC -
IXSH30N60CD1 IXYS IXSH30N60CD1 -
RFQ
 ECAD 4165 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixsh30 标准 200 w TO-247AD 下载 不适用 到达不受影响 IXSH30N60CD1-NDR Ear99 8541.29.0095 30 480V，30a，4.7Ohm，15V 50 ns - 600 v 55 a 110 a 2.5V @ 15V，30a （700µJ）（离） 100 NC 30NS/90NS
MDK950-14N1W IXYS MDK950-14N1W -
RFQ
 ECAD 6808 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 模块 MDK950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1400 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1400 V -40°C〜150°C
DSEI2X61-02A IXYS DSEI2X61-02A 33.2400
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 ixys 弗雷德 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DSEI2X6 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 200 v 71a 1.08 V @ 60 A 50 ns 50 µA @ 200 V -40°C〜150°C
IXYH75N65C3H1 IXYS IXYH75N65C3H1 17.6000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixyh75 标准 750 w TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，60a，3ohm，15V 150 ns pt 650 v 170 a 360 a 2.3V @ 15V，60a 2.8MJ（在）上，1MJ（1MJ） 123 NC 27NS/93NS
MDMA360UB1600P-PC IXYS MDMA360UB1600P-PC 124.0982
RFQ
 ECAD 1778年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - MDMA360 - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDMA360UB1600P-PC Ear99 8541.30.0080 28 - -
DMA80IM1600HB IXYS DMA80IM1600HB 7.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ixys DMA 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DMA80 标准 TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-DMA80IM1600HB Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.17 V @ 80 A 40 µA @ 1600 V -55°C〜150°C 80a 43pf @ 400V，1MHz
IXTH102N25T IXYS IXTH102N25T -
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXTH102 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 102A（TC） - - - -
DPG80C300HB IXYS DPG80C300HB 7.4200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfred²™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DPG80C300 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 300 v 40a 1.36 V @ 40 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55°C 〜175°C
IXTV22N60PS IXYS ixtv22n60ps -
RFQ
 ECAD 9001 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 加220SMD ixtv22 MOSFET （金属 o化物） 加220SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 22a（TC） 10V 350MOHM @ 11A，10V 5.5V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXTQ26P20P IXYS ixtq26p20p 7.5500
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 ixtq26 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 200 v 26a（TC） 10V 170MOHM @ 13A，10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 2740 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXDR30N120 IXYS IXDR30N120 -
RFQ
 ECAD 6790 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixdr30 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，30a，47ohm，15V npt 1200 v 50 a 60 a 2.9V @ 15V，30a 4.6mj（在）上，3.4MJ off） 120 NC -
IXFN44N80 IXYS IXFN44N80 50.1440
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN44 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 800 v 44A（TC） 10V 165mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 8mA 380 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 25 V - 700W（TC）
IXFN300N20X3 IXYS IXFN300N20X3 48.6800
RFQ
 ECAD 2044 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN300 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 200 v 300A（TC） 10V 3.5MOHM @ 150A，10V 4.5V @ 8mA 375 NC @ 10 V ±20V 23800 PF @ 25 V - 695W（TC）
IXTK33N50 IXYS ixtk33n50 -
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk33 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 33A（TC） 10V 170MOHM @ 500mA，10V 4V @ 250µA 250 NC @ 10 V ±20V 4900 PF @ 25 V - 416W（TC）
IXTQ200N075T IXYS IXTQ200N075T -
RFQ
 ECAD 4537 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ200 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 75 v 200a（TC） 10V 5mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 160 NC @ 10 V ±20V 6800 PF @ 25 V - 430W（TC）
IXGT24N170AH1 IXYS IXGT24N170AH1 -
RFQ
 ECAD 3709 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT24 标准 250 w TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 300 850V，24a，10ohm，15V 200 ns npt 1700 v 24 a 75 a 6V @ 15V，16a 2.97mj（在）上（790µJ）off） 140 NC 21NS/336NS
MWI15-12A6K IXYS MWI15-12A6K -
RFQ
 ECAD 3039 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E1 MWI15 90 W 标准 E1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 npt 1200 v 19 a 3.4V @ 15V，15a 900 µA 是的 600 pf @ 25 V
MWI50-12E7 IXYS MWI50-12E7 -
RFQ
 ECAD 1733年 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 MWI50 350 w 标准 E2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 1200 v 90 a 2.4V @ 15V，50a 800 µA 不 3.8 nf @ 25 V
IXGH30N60B4 IXYS IXGH30N60B4 -
RFQ
 ECAD 9094 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH30 标准 190 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，24a，10ohm，15V pt 600 v 66 a 156 a 1.7V @ 15V，24a （440µJ）（在700µJ上） 77 NC 21NS/200NS
IXFP14N60P IXYS IXFP14N60P 3.5284
RFQ
 ECAD 7181 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP14 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 14A（TC） 10V 550MOHM @ 7A，10V 5.5V @ 2.5mA 36 NC @ 10 V ±30V 2500 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXGT4N250C IXYS IXGT4N250C -
RFQ
 ECAD 9729 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT4N250 标准 150 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q7066732 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，4A，20欧姆，15V npt 2500 v 13 a 46 a 6V @ 15V，4A 360µJ（离） 57 NC - /350n
GWM160-0055X1-SMDSAM IXYS GWM160-0055X1-SMDSAM -
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM160 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 55V 150a 3.3MOHM @ 100A，10V 4.5V @ 1mA 105nc @ 10V - -
VWO85-12IO1 IXYS VWO85-12IO1 -
RFQ
 ECAD 3066 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 模块 vwo 3 - scr 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1.2 kV 59 a 1.5 v 520a，560a 100 ma 27 a 6 scr
IXGX120N60C2 IXYS IXGX120N60C2 -
RFQ
 ECAD 6563 0.00000000 ixys HiperFast™，Lightspeed™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXGX120 标准 830 w 加上247™-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，80a，1ohm，15V - 600 v 75 a 500 a 2.5V @ 15V，100a 1.7mj（在）上，1MJ（1MJ） 370 NC 40NS/120NS
DPG20C400PN IXYS DPG20C400PN 3.0600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 ixys Hiperfred²™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 DPG20C400 标准 TO-220ABFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 10a 1.32 V @ 10 A 45 ns 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C
DSEC16-12AS-TRL IXYS DSEC16-12AS-TRL 2.8651
RFQ
 ECAD 6556 0.00000000 ixys Hiperfred™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DSEC16 标准 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 1200 v 10a 2.94 V @ 10 A 40 ns 60 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
IXGN100N170 IXYS IXGN100N170 61.0300
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixgn100 735 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 npt 1700 v 160 a 3V @ 15V，100a 50 µA 不 9.22 NF @ 25 V
IXTA200N055T2-7 IXYS IXTA200N055T2-7 3.5880
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） ixta200 MOSFET （金属 o化物） TO-263-7（IXTA） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta200N055T2-7 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 200a（TC） 10V 4.2MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 109 NC @ 10 V ±20V 6970 pf @ 25 V - 360W（TC）
MWI50-12A7 IXYS MWI50-12A7 -
RFQ
 ECAD 6895 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 E2 MWI50 350 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 1200 v 85 a 2.7V @ 15V，50a 4 mA 不 3.3 NF @ 25 V
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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