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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
MIXA60HU1200VA	31.4571	RFQ	8617	ixys	-	盒子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v1a-pak	Mixa60				290 w		标准	v1a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	2独立																																							pt	1200 v	85 a		2.1V @ 15V，55a							500 µA	不
IXFT7N90Q	-	RFQ	5932	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT7N90			MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						900 v	7A（TC）	10V	1.5OHM @ 500mA，10V	5V @ 2.5mA	56 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXFH220N06T3	6.3100	RFQ	1	ixys	HiperFet™，Trencht3™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH220			MOSFET （金属 o化物）				TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						60 V	220A（TC）	10V	4MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	136 NC @ 10 V	±20V	8500 PF @ 25 V	-	440W（TC）
IXTQ60N10T	3.6053	RFQ	8416	ixys	沟	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ60			MOSFET （金属 o化物）				to-3p	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtq60n10t	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						100 v	60a（TC）	10V	18mohm @ 25a，10v	4.5V @ 50µA	49 NC @ 10 V	±30V	2650 pf @ 25 V	-	176W（TC）
IXFK21N100F	-	RFQ	9189	ixys	Hiperrf™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK21			MOSFET （金属 o化物）				TO-264AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25			n通道						1000 v	21a（TC）	10V	500mohm @ 10.5a，10v	5.5V @ 4mA	160 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	500W（TC）
DSP25-16A	6.0400	RFQ	10	ixys	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	DSP25			标准				TO-247AD	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																												1对系列连接	1600 v	28a	1.6 V @ 55 A		2 ma @ 1600 V	-40°C〜180°C
IXFH20N85X	10.4400	RFQ	2110	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH20			MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						850 v	20A（TC）	10V	330mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 2.5mA	63 NC @ 10 V	±30V	1660 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IXZ210N50L	-	RFQ	3415	ixys	-	管子	过时的	500 v			6-SMD模块			175MHz	MOSFET				DE275	-		（1 （无限）	到达不受影响	Q2463978	Ear99	8541.29.0075	30	n通道			10a			200W	16dB																					-																			50 V
IXFH74N20	-	RFQ	1069	ixys	Hiperfet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH74			MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			n通道						200 v	74A（TC）	10V	30mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	280 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFP18N60X	6.6443	RFQ	9868	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP18			MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	18A（TC）	10V	230MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 1.5mA	35 NC @ 10 V	±30V	1440 pf @ 25 V	-	320W（TC）
MCO500-16IO1	174.2300	RFQ	43	ixys	-	盒子	积极的		-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	Y1-CU	MCO500					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCO50016IO1	Ear99	8541.30.0080	2					300 MA															1.6 kV	880 a	2 v	17000a，16000a	300 MA		560 a													1 scr
ixtp26p10t	2.9790	RFQ	9171	ixys	Trechp™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp26			MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道						100 v	26a（TC）	10V	90MOHM @ 13A，10V	4.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±15V	3820 pf @ 25 V	-	150W（TC）
M0659LC450	-	RFQ	6200	ixys	-	盒子	在sic中停产			夹紧	DO-200AB，B-PUK	M0659			标准				W4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-M0659LC450	Ear99	8541.10.0080	6		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																													4500 v		3 V @ 1400 A	4.2 µs	100 ma @ 4500 V	-40°C〜125°C	659a	-
QJ8035LH4TP	6.2800	RFQ	1	ixys	QJXX35XH4	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3隔离选项卡	QJ8035							ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-QJ8035LH4TP	Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的				60 ma														替代者 -无用	800 v	35 a	1 V	290a，350a	35 MA
VCK105-18IO7	-	RFQ	5070	ixys	-	盒子	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	VCK105					普通阴极 -scr			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25					200 ma															1.8 kV	180 a	1.5 v	2250a，2400a	150 ma		105 a													2 scr
IXTT30N50L2	18.2200	RFQ	3405	ixys	线性l2™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30			MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt30n50l2	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFX27N80Q	27.4000	RFQ	277	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX27			MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						800 v	27a（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXTQ200N075T	-	RFQ	4537	ixys	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ200			MOSFET （金属 o化物）				to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						75 v	200a（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	430W（TC）
IXFH1799	-	RFQ	1983	ixys	-	管子	过时的					IXFH17								-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30										-
IXFB150N65X2	35.6000	RFQ	6241	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB150			MOSFET （金属 o化物）				加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道						650 v	150a（TC）	10V	17mohm @ 75a，10v	5.5V @ 8mA	430 NC @ 10 V	±30V	20400 PF @ 25 V	-	1560W（TC）
IXFH26N55Q	-	RFQ	9037	ixys	Hiperfet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26			MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						550 v	26a（TC）	10V	230MOHM @ 13A，10V	4.5V @ 4mA	92 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IXTT16N20D2	13.7900	RFQ	8995	ixys	消耗	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT16			MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						200 v	16A（TC）	-	73mohm @ 8a，0v	-	208 NC @ 5 V	±20V	5500 PF @ 25 V	耗尽模式	695W（TC）
VBO130-14NO7	-	RFQ	5409	ixys	-	盒子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-E	VBO130			标准				PWS-E	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5																																	1.65 V @ 300 A		300 µA @ 1400 V		122 a												单相	1.4 kV
N3229QK040	-	RFQ	4461	ixys	-	盒子	在sic中停产		-40°C〜140°C	底盘安装	TO-200AB，B-PUK	N3229							WP2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-N3229QK040	Ear99	8541.30.0080	12					1 a															400 v	6305 a	3 V	30800a @ 50Hz	300 MA	1.57 v	3229 a	100 ma	标准恢复
IXTT50P085	-	RFQ	4987	ixys	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA				MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			P通道						85 v	50A（TC）	10V	55mohm @ 25a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFA5N100P	4.0491	RFQ	2945	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA5N100			MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						1000 v	5A（TC）	10V	2.8ohm @ 2.5a，10v	6V @ 250µA	33.4 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	250W（TC）
HTZ280H20K	-	RFQ	6748	ixys	htz280h	盒子	积极的			底盘安装	模块	HTZ280			标准				模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																												1对系列连接	20000 v	4.7a	23 V @ 12 A		500 µA @ 20000 V
IXA40RG1200DHG-TUB	18.4765	RFQ	3445	ixys	ISOPLUS™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA40				230 w		标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥																																							pt	1200 v	63 a		2.15V @ 15V，35a							150 µA	不
IXFK27N80Q	30.2600	RFQ	181	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK27			MOSFET （金属 o化物）				TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道						800 v	27a（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXGT6N170AHV	14.5227	RFQ	4663	ixys	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT6N170	标准			75 w			TO-268HV（IXGT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						850V，6A，33OHM，15V																																		-	1700 v	6 a	14 a	7V @ 15V，3A	（590µJ）（180µj of），OFF）	18.5 NC	46NS/220NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²