SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXFK80N15Q IXYS IXFK80N15Q -
RFQ
 ECAD 8258 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK80 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 150 v 80A（TC） 10V 22.5mohm @ 40a，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
DSP25-16AT-TUB IXYS DSP25-16AT-TUB 6.7833
RFQ
 ECAD 5894 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA DSP25 标准 TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 28a 1.6 V @ 55 A 2 ma @ 1600 V -40°C〜180°C
IXFC24N50 IXYS IXFC24N50 -
RFQ
 ECAD 2811 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC24N50 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 21a（TC） 10V 230mohm @ 12a，10v 4V @ 4mA 135 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 230W（TC）
IXFT40N30Q TR IXYS IXFT40N30Q TR -
RFQ
 ECAD 1309 0.00000000 ixys Hiperfet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT40 MOSFET （金属 o化物） TO-268（IXFT） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 300 v 40a（TC） 10V 85mohm @ 20a，10v 4V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±20V 3560 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXTU08N100P IXYS IXTU08N100P -
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 - 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA ixtu08 MOSFET （金属 o化物） TO-251AA - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 1000 v 8A（TC） - - - -
IXTH80N65X2 IXYS IXTH80N65X2 13.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth80 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 80A（TC） 10V 40MOHM @ 40a，10v 4.5V @ 4mA 144 NC @ 10 V ±30V 7753 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXFT44N50P IXYS IXFT44N50P 12.4400
RFQ
 ECAD 206 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT44 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 44A（TC） 10V 140mohm @ 22a，10v 5V @ 4mA 98 NC @ 10 V ±30V 5440 pf @ 25 V - 658W（TC）
MCC56-16IO1B IXYS MCC56-16IO1B 36.4000
RFQ
 ECAD 2946 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC56 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MCC5616IO1B Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.6 kV 100 a 1.5 v 1500a，1600a 100 ma 64 a 2 scr
CS19-12HO1S-TUB IXYS CS19-12HO1S-TUB 3.3400
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB CS19 TO-263（D2PAK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 50 mA 1.2 kV 31 a 1.5 v 180a，195a 28 ma 1.32 v 20 a 50 µA 标准恢复
IXFP13N60X3 IXYS IXFP13N60X3 3.4206
RFQ
 ECAD 1216 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFP13 - 238-ixfp13n60x3 50
FMP76-010T IXYS FMP76-010T -
RFQ
 ECAD 3948 0.00000000 ixys Trench™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMP76 MOSFET （金属 o化物） 89W，132W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n和p通道 100V 62a，54a 11mohm @ 25a，10v 4.5V @ 250µA 104NC @ 10V 5080pf @ 25V -
IXFT70N15 IXYS IXFT70N15 -
RFQ
 ECAD 6698 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT70 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 70A（TC） 10V 28mohm @ 35a，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 300W（TC）
DS9-08F IXYS DS9-08F -
RFQ
 ECAD 8402 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 DS9 标准 do-203aa 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.4 V @ 36 A 3 ma @ 800 V -40°C〜180°C 11a -
MCMA110P1200TA IXYS MCMA110P1200TA 38.4800
RFQ
 ECAD 1895年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCMA110 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.2 kV 170 a 1.5 v 1900a，2050a 150 ma 110 a 2 scr
DSDI60-14A IXYS DSDI60-14A 12.7300
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DSDI60 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1400 v 4.1 V @ 70 A 300 ns 2 ma @ 1400 V -40°C〜150°C 63a -
IXFP18N65X2M IXYS IXFP18N65X2M 3.7020
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IXFP18 MOSFET （金属 o化物） TO-220隔离选项卡 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfp18n65x2m Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 18A（TC） 10V 200mohm @ 9a，10v 5V @ 1.5mA 29 NC @ 10 V ±30V 1520 pf @ 25 V - 290W（TC）
DLA10IM800UC-TUB IXYS DLA10IM800UC-TUB 1.3061
RFQ
 ECAD 5131 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DLA10 标准 TO-252AA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-DLA10IM800UC-TUB Ear99 8541.10.0080 70 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.22 V @ 10 A 5 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 10a 3PF @ 400V，1MHz
MKI50-12E7 IXYS MKI50-12E7 -
RFQ
 ECAD 9446 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 Mki 350 w 标准 E2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 完整的桥梁逆变器 npt 1200 v 90 a 2.4V @ 15V，50a 800 µA 不 3.8 nf @ 25 V
DMA10IM1600UZ-TUB IXYS DMA10IM1600UZ-TUB 1.7900
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DMA10 标准 TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-DMA10IM1600UZ-TUB Ear99 8541.10.0080 70 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.26 V @ 10 A 10 µA @ 1600 V -55°C 〜175°C 10a 4pf @ 400V，1MHz
W5984TE360 IXYS W5984TE360 -
RFQ
 ECAD 9291 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 底盘安装 do-200ae W5984 标准 W94 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-W5984TE360 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 3600 v 1.25 V @ 5000 A 47 µs 100 ma @ 3600 V -40°C〜160°C 5984a -
VUO100-12NO7 IXYS VUO100-12NO7 -
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 fo-ta VUO100 标准 fo-ta 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.4 V @ 150 A 500 µA @ 1200 V 100 a 三期 1.2 kV
MDO1200-22N1 IXYS MDO1200-22N1 -
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 Y1-CU MDO1200 标准 Y1-CU - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2200 v - -
IXGH28N90B IXYS IXGH28N90B -
RFQ
 ECAD 1974年 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH28 标准 200 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 720v，28a，4.7Ohm，15v - 900 v 51 a 120 a 2.7V @ 15V，28a 1.2MJ（） 100 NC 30n/100n
MCD250-18IO1 IXYS MCD250-18IO1 -
RFQ
 ECAD 1857年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y2-DCB MCD250 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2 150 ma 1.8 kV 450 a 2 v 9000a，9600a 150 ma 287 a 1 sc，1二极管
VVZ70-14IO7 IXYS VVZ70-14IO7 -
RFQ
 ECAD 5394 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 fo-ta VVZ70 桥梁，三相-scr/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 200 ma 1.4 kV 1.5 v 550a，600a 100 ma 70 a 3 scr，3个二极管
IXTP12N50PM IXYS IXTP12N50PM 5.3084
RFQ
 ECAD 5276 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp12 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 6A（TC） 10V 500mohm @ 6a，10v 5.5V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 1830 pf @ 25 V - 50W（TC）
IXBT32N300HV IXYS IXBT32N300HV 59.1017
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT32 标准 400 w TO-268HV（IXBT） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，32a，2ohm，15V 1500 ns - 3000 v 80 a 280 a 3.2V @ 15V，32a - 142 NC 50NS/160NS
IXGN200N60B3 IXYS IXGN200N60B3 44.7500
RFQ
 ECAD 981 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXGN200 830 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 600 v 300 a 1.5V @ 15V，100a 50 µA 不 26 NF @ 25 V
MIXA150R1200VA IXYS MIXA150R1200VA 34.0754
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 v1a-pak Mixa150 695 w 标准 v1a-pak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 单身的 pt 1200 v 220 a 2.1V @ 15V，150a 500 µA 不
IXFN170N25X3 IXYS IXFN170N25X3 37.1100
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN170 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 250 v 170a（TC） 10V 7.4mohm @ 85a，10v 4.5V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 13500 PF @ 25 V - 390W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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