SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXYH40N120B3D1 IXYS IXYH40N120B3D1 11.2500
RFQ
 ECAD 7721 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYH40 标准 480 w TO-247（IXYH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，40a，10ohm，15V 100 ns - 1200 v 86 a 180 a 2.9V @ 15V，40a 2.7MJ（在）上，1.6MJ off） 87 NC 22NS/177NS
IXTA34N65X2 IXYS ixta34n65x2 6.0894
RFQ
 ECAD 5021 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta34 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 34A（TC） 10V 96mohm @ 17a，10v 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 25 V - 540W（TC）
FBS10-06SC IXYS FBS10-06SC -
RFQ
 ECAD 7666 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ FBS10 schottky ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 200 µA @ 600 V 6.6 a 单相 600 v
MWI50-12A7T IXYS MWI50-12A7T -
RFQ
 ECAD 3062 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 E2 MWI50 350 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 1200 v 85 a 2.7V @ 15V，50a 4 mA 是的 3.3 NF @ 25 V
VBO160-18NO7 IXYS VBO160-18NO7 92.0960
RFQ
 ECAD 7976 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-E VBO160 标准 PWS-E 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5 1.43 V @ 300 A 300 µA @ 1800 V 174 a 单相 1.8 kV
FID60-06D IXYS FID60-06D -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FID60 标准 200 w ISOPLUS I4-PAC™ - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 300V，30a，22ohm，15V 70 ns npt 600 v 65 a 2V @ 15V，30a 1MJ（在）上，1.4MJ（OFF） 120 NC -
MDI200-12A4 IXYS MDI200-12A4 -
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 150°C（TJ） 底盘安装 Y3-DCB MDI200 1130 w 标准 Y3-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 单身的 npt 1200 v 270 a 2.7V @ 15V，150a 10 MA 不 11 nf @ 25 V
VBO13-12AO2 IXYS VBO13-12AO2 -
RFQ
 ECAD 3996 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，fo-a VBO13 雪崩 fo-a 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 55 A 300 µA @ 1200 V 18 a 单相 1.2 kV
MDMA60B1600MB IXYS MDMA60B1600MB 21.2790
RFQ
 ECAD 9989 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - MDMA60 - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDMA60B1600MB Ear99 8541.30.0080 10 - -
CS30-14IO1 IXYS CS30-14IO1 6.5700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C 通过洞 TO-247-3 CS30 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -CS30-14IO1 Ear99 8541.30.0080 30 100 ma 1.4 kV 49 a 1 V 400a，430a 55 MA 1.63 v 30 a 50 µA 标准恢复
IXTK33N50 IXYS ixtk33n50 -
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk33 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 33A（TC） 10V 170MOHM @ 500mA，10V 4V @ 250µA 250 NC @ 10 V ±20V 4900 PF @ 25 V - 416W（TC）
N3012ZC200 IXYS N3012ZC200 -
RFQ
 ECAD 5763 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AF N3012 W13 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N3012ZC200 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 2 kV 5922 a 3 V 49700A @ 50Hz 300 MA 1.4 v 3012 a 200 MA 标准恢复
DSEP2X35-06C IXYS DSEP2X35-06C -
RFQ
 ECAD 9161 0.00000000 ixys Hiperdynfred™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DSEP2X35 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 600 v 35a 2.5 V @ 35 A 20 ns 250 µA @ 600 V -40°C〜150°C
IXXH30N65C4D1 IXYS IXXH30N65C4D1 -
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 ixys XPT™，Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXXH30 标准 230 w TO-247AD（IXXH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，15ohm，15V 72 ns - 650 v 62 a 136 a 2.5V @ 15V，30a 1.1mj（在）上，400µJ（400µJ） 47 NC 20N/140NS
IXTR90P20P IXYS ixtr90p20p 20.5440
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixtr90 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 200 v 53A（TC） 10V 48mohm @ 45a，10v 4V @ 1mA 205 NC @ 10 V ±20V 12000 PF @ 25 V - 312W（TC）
IXFH94N30T IXYS IXFH94N30T 12.9570
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH94 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 94A（TC） 10V 36mohm @ 47a，10v 5V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 11400 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXFA14N60P IXYS IXFA14N60P 5.2200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA14 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 14A（TC） 10V 550MOHM @ 7A，10V 5.5V @ 2.5mA 36 NC @ 10 V ±30V 2500 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXGH16N170A IXYS IXGH16N170A 13.6900
RFQ
 ECAD 3326 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH16 标准 190 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V，16a，10ohm，15V npt 1700 v 16 a 40 a 5V @ 15V，11a 900µJ（离） 65 NC 36NS/160NS
DSSK60-0045B IXYS DSSK60-0045B 5.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSSK60 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 30a 500 mv @ 30 a 20 ma @ 45 V -55°C〜150°C
VBO20-14NO2 IXYS VBO20-14NO2 -
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，fo-a VBO20 标准 fo-a - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 55 A 300 µA @ 1400 V 31 a 单相 1.4 kV
MCC26-12IO1B IXYS MCC26-12IO1B 29.6600
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC26 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 MA 1.2 kV 50 a 1.5 v 520a，560a 100 ma 32 a 2 scr
MWI15-12A6K IXYS MWI15-12A6K -
RFQ
 ECAD 3039 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E1 MWI15 90 W 标准 E1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 npt 1200 v 19 a 3.4V @ 15V，15a 900 µA 是的 600 pf @ 25 V
DHG100X650NA IXYS DHG100X650NA 52.9360
RFQ
 ECAD 1377年 0.00000000 ixys DFE250x600NA 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DHG100 标准 SOT-227B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DHG100X650NA Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 600 v 125a 1.26 V @ 125 A 80 ns 3 ma @ 600 V -40°C〜150°C
IXTH150N17T IXYS IXTH150N17T -
RFQ
 ECAD 9136 0.00000000 ixys TrechHV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH150 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 175 v 150a（TC） 10V 12mohm @ 75a，10v 5V @ 1mA 155 NC @ 10 V ±30V 9800 PF @ 25 V - 830W（TC）
IXEL40N400 IXYS IXEL40N400 134.1500
RFQ
 ECAD 167 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ ixel40 标准 380 w isoplusi5-pak™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q6074758 Ear99 8541.29.0095 25 2800V，40a，33ohm，15V - 4000 v 90 a 400 a 3.2V @ 15V，40a （55MJ）（165MJ）（OFF） 275 NC 160NS/630NS
DLA60I1200HA IXYS DLA60I1200HA 7.0400
RFQ
 ECAD 5501 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DLA60 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.19 V @ 60 A 30 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 60a 33pf @ 400V，1MHz
IXFH40N30 IXYS IXFH40N30 -
RFQ
 ECAD 2786 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH40 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 IXFH40N30-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 40a（TC） 10V 85mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 200 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFK78N50P3 IXYS IXFK78NNNN03 22.5100
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK78 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 78A（TC） 10V 68mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 147 NC @ 10 V ±30V 9900 PF @ 25 V - 1130W（TC）
IXTA182N055T IXYS IXTA182N055T -
RFQ
 ECAD 2833 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta182 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 182a（TC） 10V 5mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 114 NC @ 10 V ±20V 4850 pf @ 25 V - 360W（TC）
MDD142-16N1 IXYS MDD142-16N1 57.1300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y4-M6 MDD142 标准 Y4-M6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MDD14216N1 Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 165a 1.3 V @ 300 A 20 ma @ 1600 V -40°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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