SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) ((av)(av)) scr 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f SCR,二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
MCD224-22IO1 IXYS MCD224-22IO1 228.3700
RFQ
ECAD 1784年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 底盘安装 Y1-CU MCD224 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3 200 MA 2.2 kV 400 a 2 v 8000a,8500a 150 ma 240 a 1 sc,1二极管
IXTP76N25T IXYS IXTP76N25T 6.2100
RFQ
ECAD 25 0.00000000 ixys 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXTP76 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 76A(TC) 10V 39mohm @ 500mA,10v 5V @ 1mA 92 NC @ 10 V ±30V 4500 PF @ 25 V - 460W(TC)
MCO800-14IO1 IXYS MCO800-14IO1 -
RFQ
ECAD 9204 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 - 底盘安装 WC-800 MCO 单身的 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1 1.4 kV - 1 scr
DSS2X61-0045A IXYS DSS2X61-0045A 31.0600
RFQ
ECAD 4178 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 DSS2 肖特基 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 45 v 60a 740 mv @ 60 a 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
IXFT50N30Q3 IXYS IXFT50N30Q3 15.3200
RFQ
ECAD 5766 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft50 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixft50n30q3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 50A(TC) 10V 80Mohm @ 25a,10v 6.5V @ 4mA 65 NC @ 10 V ±20V 3165 PF @ 25 V - 690W(TC)
IXGT24N170A IXYS IXGT24N170A -
RFQ
ECAD 5575 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT24 标准 250 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V,24a,10ohm,15V npt 1700 v 24 a 75 a 6V @ 15V,16a 2.97mj(在)上(790µJ)off) 140 NC 21NS/336NS
MDD95-14N1B IXYS MDD95-14N1B 33.9586
RFQ
ECAD 8165 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 底盘安装 TO-240AA MDD95 标准 TO-240AA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 36 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1400 v 120a 1.43 V @ 300 A 15 ma @ 1400 V -40°C〜150°C
IXFN72N55Q2 IXYS IXFN72N55Q2 -
RFQ
ECAD 6284 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q2类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN72 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 550 v 72A(TC) 10V 72MOHM @ 500mA,10V 5V @ 8mA 258 NC @ 10 V ±30V 10500 PF @ 25 V - 890W(TC)
IXFH60N60X3 IXYS IXFH60N60X3 12.4900
RFQ
ECAD 13 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH60 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-ixfh60n60x3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 60a(TC) 10V 51MOHM @ 30a,10V 5V @ 4mA 51 NC @ 10 V ±20V 3450 pf @ 25 V - 625W(TC)
IXFH320N10T2 IXYS IXFH320N10T2 16.0900
RFQ
ECAD 5524 0.00000000 ixys HiperFet™,Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH320 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 320a(TC) 10V 3.5MOHM @ 100A,10V 4V @ 250µA 430 NC @ 10 V ±20V 26000 PF @ 25 V - 1000W(TC)
IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3 5.0815
RFQ
ECAD 8055 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXXH30 标准 270 w TO-247AD(IXXH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,24a,10ohm,15V pt 600 v 60 a 115 a 1.85V @ 15V,24a (550µJ)(在500µJ)上(500µJ) 39 NC 23ns/97ns
K2085TE600 IXYS K2085TE600 -
RFQ
ECAD 7870 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 - 底盘安装 TO-200AF K2085 W82 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-K2085TE600 Ear99 8541.30.0080 6 6 kV 33000a @ 50Hz 2145 a 标准恢复
IXFK64N50Q3 IXYS IXFK64N50Q3 28.9700
RFQ
ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK64 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfk64n50q3 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 64A(TC) 10V 85mohm @ 32a,10v 6.5V @ 4mA 145 NC @ 10 V ±30V 6950 pf @ 25 V - 1000W(TC)
MIAA20WB600TMH IXYS MIAA20WB600TMH -
RFQ
ECAD 8621 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 Minipack2 MIAA20W 100 W 三相桥梁整流器 Minipack2 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 20 三期逆变器 npt 600 v 29 a 2.7V @ 15V,20A 1.1 MA 是的 900 pf @ 25 V
DSEI120-12A IXYS DSEI120-12A 14.0100
RFQ
ECAD 2778 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DSEI120 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 DSEI12012A Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.8 V @ 70 A 60 ns 3 ma @ 1200 V -40°C〜150°C 75a -
IXTH24N65X2 IXYS IXTH24N65x2 6.4000
RFQ
ECAD 300 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixth24 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 24A(TC) 10V 145mohm @ 12a,10v 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 2060 pf @ 25 V - 390W(TC)
MCC95-16IO1 IXYS MCC95-16IO1 39.0778
RFQ
ECAD 3335 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 TO-240AA MCC95 系列连接 -scr - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCC95-16IO1 Ear99 8541.30.0080 36 200 MA 1.6 kV 182 a 2.5 v 2250a,2430a 150 ma 116 a 2 scr
IXFT12N100 IXYS IXFT12N100 -
RFQ
ECAD 9445 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXFT12 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 12A(TC) 10V 1.05Ohm @ 6a,10v 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 300W(TC)
MDD172-12N1 IXYS MDD172-12N1 54.1700
RFQ
ECAD 6463 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 底盘安装 Y4-M6 MDD172 标准 Y4-M6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1200 v 190a 1.15 V @ 300 A 20 ma @ 1200 V -40°C〜150°C
IXFX240N15T2 IXYS IXFX240N15T2 21.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 ixys HiperFet™,Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXFX240 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfx240N15T2 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 240a(TC) 10V 5.2MOHM @ 60a,10V 5V @ 8mA 460 NC @ 10 V ±20V 32000 PF @ 25 V - 1250W(TC)
IXTP80N075L2 IXYS IXTP80N075L2 7.7400
RFQ
ECAD 100 0.00000000 ixys 线性l2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp80 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixtp80n075l2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 80A(TC) 10V 24mohm @ 40a,10v 4.5V @ 250µA 103 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 357W(TC)
IXGX82N120A3 IXYS IXGX82N120A3 27.1407
RFQ
ECAD 5587 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3变体 IXGX82 标准 1250 w 加上247™-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V,80a,2ohm,15V pt 1200 v 260 a 580 a 2.05V @ 15V,82a 5.5mj(在)中,12.5MJ off) 340 NC 34NS/265NS
IXTT3N200P3HV IXYS IXTT3N200P3HV 52.2600
RFQ
ECAD 7755 0.00000000 ixys Polar P3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixtt3 MOSFET (金属 o化物) TO-268HV(IXTT) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -ixtt3n200p3hv Ear99 8541.29.0095 30 n通道 2000 v 3A(TC) 10V 8ohm @ 1.5A,10V 5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 1860 pf @ 25 V - 520W(TC)
IXTH14N80 IXYS IXTH14N80 -
RFQ
ECAD 7343 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixth14 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 14A(TC) 10V 700mohm @ 500mA,10v 4.5V @ 250µA 170 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXFQ22N60P3 IXYS IXFQ22N60P3 9.8600
RFQ
ECAD 9385 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXFQ22 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfq22n60p3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 22a(TC) 10V 360mohm @ 11a,10v 5V @ 1.5mA 38 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 500W(TC)
IXTA120P065T IXYS IXTA120P065T 6.5700
RFQ
ECAD 1741年 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta120 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 65 v 120A(TC) 10V 10mohm @ 500mA,10v 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ±15V 13200 PF @ 25 V - 298W(TC)
IXFA20N60X3 IXYS IXFA20N60X3 5.1264
RFQ
ECAD 5930 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFA20 - 238-ixfa20n60x3 50
MDD44-16N1B IXYS MDD44-16N1B 30.2400
RFQ
ECAD 98 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 TO-240AA MDD44 标准 TO-240AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 36 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1600 v 64a 1.6 V @ 200 A 10 ma @ 1600 V -40°C〜150°C
IXGA15N120B IXYS IXGA15N120B -
RFQ
ECAD 5169 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXGA15 标准 150 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 960V,15a,10ohm,15V pt 1200 v 30 a 60 a 3.2V @ 15V,15a 1.75MJ() 69 NC 25NS/180NS
IXFL44N80 IXYS IXFL44N80 -
RFQ
ECAD 4461 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFL44 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS264™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 800 v 44A(TC) 10V 165mohm @ 22a,10v 4V @ 8mA 380 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 25 V - 550W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库