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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
VMM45-02F	33.7817	RFQ	4322	ixys	Hiperfet™	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	VMM45		MOSFET （金属 o化物）	190W		TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	2 n 通道（双）					200V	45a		45mohm @ 22.5a，10v	4V @ 4mA	225nc @ 10V		7500pf @ 25V	-
IXFT15N100Q	-	RFQ	9534	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft15		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	15A（TC）	10V	700mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	170 NC @ 5 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTR32P60P	20.5440	RFQ	8895	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixtr32		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			P通道			600 v	18A（TC）	10V	385MOHM @ 16a，10v	4V @ 1mA	196 NC @ 10 V	±20V	11100 PF @ 25 V	-	310W（TC）
IXFH150N30x3	20.3100	RFQ	1158	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH150		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			300 v	150a（TC）	10V	8.3MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 4mA	177 NC @ 10 V	±20V	13100 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFA24N60X	4.5712	RFQ	1850年	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA24		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	24A（TC）	10V	175mohm @ 12a，10v	4.5V @ 2.5mA	47 NC @ 10 V	±30V	1910 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXTH21N50	7.7060	RFQ	3883	ixys	Megamos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth21		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			500 v	21a（TC）	10V	250mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTT88N15	-	RFQ	1994	ixys	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt88		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			150 v	88A（TC）	10V	22mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	400W（TC）
IXFH80N08	-	RFQ	8934	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			80 V	80A（TC）	10V	9mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTH80N20L	15.3300	RFQ	335	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixth80n20l	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			200 v	80A（TC）	10V	32MOHM @ 40a，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6160 pf @ 25 V	-	520W（TC）
ixty1n100p-trl	1.2663	RFQ	6740	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty1n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			1000 v	1A（TC）	10V	15ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	331 PF @ 25 V	-	50W（TC）
MDO500-12N1	145.2200	RFQ	127	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	Y1-CU	MDO500		标准			Y1-CU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MDO50012N1	Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								1200 v		1.3 V @ 1200 A		30 ma @ 1200 V		560a	762pf @ 400V，1MHz
MLO175-08IO7	-	RFQ	6892	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	MLO175				1相控制器 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25				200 MA												800 v	125 a	1.5 v	1500a，1600a	100 ma		80 a												1 sc，1二极管
IXFL40N110P	-	RFQ	2138	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL40		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			1100 v	21a（TC）	10V	280mohm @ 20a，10v	6.5V @ 1mA	310 NC @ 10 V	±30V	19000 PF @ 25 V	-	-
IXTH12N65X2	5.4700	RFQ	9	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			650 v	12A（TC）	10V	300mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXTQ180N055T	-	RFQ	5834	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			55 v	180a（TC）		4mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	160 NC @ 10 V		5800 pf @ 25 V	-	-
IXXH40N65C4D1	-	RFQ	6356	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH40	标准		455 w		TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixxH40N65C4D1	Ear99	8541.29.0095	30					400V，40a，5ohm，15V																								62 ns						pt	650 v	110 a	215 a	2.3V @ 15V，40a	1.6MJ（在）上，420µJ（OFF）	68 NC	20N/100NS
N3565HA160	-	RFQ	7521	ixys	-	盒子	在sic中停产	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF	N3565					W79	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-N3565HA160	Ear99	8541.30.0080	6				1 a												1.6 kV	7050 a	3 V	50000A @ 50Hz	300 MA	1.2 v	3565 a	150 ma	标准恢复
VBO50-12NO7	-	RFQ	8059	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-A	VBO50		标准			PWS-A	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10																												1.14 V @ 40 A		100 µA @ 1200 V		50 a											单相	1.2 kV
VUO62-16NO7	38.3000	RFQ	5145	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-D	VUO62		标准			PWS-D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VUO6216NO7	Ear99	8541.10.0080	10																												1.8 V @ 150 A		300 µA @ 1600 V		63 a											三期	1.6 kV
IXTV230N085T	-	RFQ	3544	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXTV230		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			85 v	230a（TC）	10V	4.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	187 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）
DPG80C300HB	7.4200	RFQ	10	ixys	Hiperfred²™	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	DPG80C300		标准			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	300 v	40a	1.36 V @ 40 A	35 ns	1 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C
IXCY01N90E	-	RFQ	9261	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXCY01		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			900 v	250mA（tc）	10V	80ohm @ 50mA，10v	5V @ 25µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	133 pf @ 25 V	-	40W（TC）
DSSK80-006BR	-	RFQ	2940	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-247-3	DSSK80		肖特基			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSSK80006BR	Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	60 V	40a	550 mv @ 40 a		20 ma @ 60 V	-55°C〜150°C
IXTH160N15T	10.0150	RFQ	9842	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH160		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			150 v	160a（TC）	10V	9.6mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	160 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	830W（TC）
CMA50E1600QB	5.7847	RFQ	5491	ixys	CMA50E1600QB	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	CMA50					to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-CMA50E1600QB	Ear99	8541.30.0080	30				100 ma												1.6 kV	79 a	1.5 v	550a，595a	50 mA	1.3 v	50 a		标准恢复
DPG60IM300PC-TRL	6.5200	RFQ	6559	ixys	Hiperfred²™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DPG60IM300		标准			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								300 v		1.43 V @ 60 A	35 ns	1 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C	60a	-
DSA30C150HB	-	RFQ	1308	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	DSA30C150		肖特基			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	150 v	15a	880 mv @ 15 a		300 NA @ 150 V	-55°C 〜175°C
DSSK40-0015B	-	RFQ	2963	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	DSSK40		肖特基			TO-247AD	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	15 v	20a	440 mv @ 20 a		10 ma @ 15 V	-55°C〜150°C
IXFN100N10S2	-	RFQ	7546	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN100		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			100 v	100A（TC）	10V	15mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
GWM100-0085x1-SMD SAM	-	RFQ	2284	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM100		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）					85V	103a		6.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	114NC @ 10V		-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²