SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) ((av)(av)) 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f SCR,二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
IXFV26N60P IXYS IXFV26N60P -
RFQ
ECAD 8220 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3,短选项卡 IXFV26 MOSFET (金属 o化物) 加220 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 26a(TC) 10V 270MOHM @ 500mA,10V 5V @ 4mA 72 NC @ 10 V ±30V 4150 PF @ 25 V - 460W(TC)
IXTL2N470 IXYS IXTL2N470 114.3700
RFQ
ECAD 274 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 isoplusi5-pak™ ixtl2 MOSFET (金属 o化物) isoplusi5-pak™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixtl2n470 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 4700 v 2A(TC) 10V 20ohm @ 1A,10V 6V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 6860 pf @ 25 V - 220W(TC)
DSEP40-03AS-TUB IXYS DSEP40-03AS-tub 3.0790
RFQ
ECAD 7838 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB DSEP40 标准 TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSEP40-03AS-TUB Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.46 V @ 40 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 40a 50pf @ 150V,1MHz
VBE20-20NO1 IXYS VBE20-20NO1 -
RFQ
ECAD 4798 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 v1a-pak 标准 v1a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 24 5.41 V @ 12 A 750 µA @ 2000 V 20 a 单相 2 kV
W1748LC220 IXYS W1748LC220 -
RFQ
ECAD 2433 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 DO-200AB,B-PUK W1748 标准 W4 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-W1748LC220 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2200 v 1.93 V @ 3770 A 30 ma @ 2200 V -40°C〜175°C 1748a -
IXTY1R6N50D2-TRL IXYS IXTY1R6N50D2-TRL 3.0700
RFQ
ECAD 45 0.00000000 ixys 消耗 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty1 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 500 v 1.6A(TJ) 0V 2.3OHM @ 800mA,0v 4.5V @ 250µA 23.7 NC @ 5 V ±20V 645 pf @ 25 V - 100W(TC)
IXTR200N10P IXYS IXTR200N10P 16.3410
RFQ
ECAD 7117 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXTR200 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 120A(TC) 10V 8mohm @ 60a,10v 5V @ 500µA 235 NC @ 10 V ±20V 7600 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXFR32N80Q3 IXYS IXFR32N80Q3 36.4500
RFQ
ECAD 57 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFR32 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfr32n80q3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 24A(TC) 10V 300mohm @ 16a,10v 6.5V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±30V 6940 pf @ 25 V - 500W(TC)
IXFK44N50Q IXYS IXFK44N50Q -
RFQ
ECAD 2619 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK44 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 44A(TC) 10V 120mohm @ 22a,10v 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 7000 PF @ 25 V - 500W(TC)
DSS16-0045AS-TUB IXYS DSS16-0045AS-tub -
RFQ
ECAD 2183 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB DSS16 肖特基 TO-263AA - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 670 mv @ 15 A 500 µA @ 45 V -55°C 〜175°C 16a -
IXFK15N100Q IXYS IXFK15N100Q -
RFQ
ECAD 9302 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK15 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 15A(TC) 10V 700mohm @ 500mA,10v 5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W(TC)
IXGT4N250C IXYS IXGT4N250C -
RFQ
ECAD 9729 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT4N250 标准 150 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Q7066732 Ear99 8541.29.0095 30 1250V,4A,20欧姆,15V npt 2500 v 13 a 46 a 6V @ 15V,4A 360µJ(离) 57 NC - /350n
IXTA380N036T4-7-TR IXYS Ixta380N036T4-7-Tr 4.2820
RFQ
ECAD 7461 0.00000000 ixys 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) ixta380 MOSFET (金属 o化物) TO-263-7(IXTA) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta380n036t4-7-Tr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 36 V 380a(TC) 10V 1MOHM @ 100A,10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 V ±15V 13400 PF @ 25 V - 480W(TC)
IXFK250N10P IXYS IXFK250N10P 24.5300
RFQ
ECAD 78 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK250 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 250A(TC) 10V 6.5MOHM @ 50a,10v 5V @ 1mA 205 NC @ 10 V ±20V 16000 PF @ 25 V - 1250W(TC)
IXFP14N55X2 IXYS IXFP14N55X2 5.8746
RFQ
ECAD 6048 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X2 管子 积极的 - - - IXFP14 - - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfp14n55x2 Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
IXTT74N20P IXYS IXTT74N20P 7.2430
RFQ
ECAD 7227 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXTT74 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 74A(TC) 10V 34mohm @ 37A,10V 5V @ 250µA 107 NC @ 10 V ±20V 3300 PF @ 25 V - 480W(TC)
IXFQ8N85X IXYS IXFQ8N85X 4.5552
RFQ
ECAD 8060 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXFQ8N85 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfq8n85x Ear99 8541.29.0095 30 n通道 850 v 8A(TC) 10V 850MOHM @ 4A,10V 5.5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 654 pf @ 25 V - 200W(TC)
DHG100X1200NA IXYS DHG100X1200NA 38.8300
RFQ
ECAD 3520 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 DHG100 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -DHG100X1200NA Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1200 v 50a 2.16 V @ 50 A 75 ns 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C
IXTQ69N30P IXYS IXTQ69N30P 11.4600
RFQ
ECAD 201 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXTQ69 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 69A(TC) 10V 49mohm @ 500mA,10v 5V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 4960 pf @ 25 V - 500W(TC)
MUBW15-12A6K IXYS MUBW15-12A6K 50.0500
RFQ
ECAD 5842 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E1 mubw15 90 W 三相桥梁整流器 E1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 三期逆变器 npt 1200 v 19 a 3.4V @ 15V,15a 600 µA 是的 600 pf @ 25 V
IXGR50N90B2D1 IXYS IXGR50N90B2D1 -
RFQ
ECAD 9267 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGR50 标准 100 W ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 720V,50a,5ohm,15V 200 ns npt 900 v 40 a 200 a 2.9V @ 15V,50a 4.7MJ() 135 NC 20N/350N
IXBT16N170AHV IXYS IXBT16N170AHV 16.6173
RFQ
ECAD 9900 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXBT16 标准 150 w TO-268HV(IXBT) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1360v,10a,10ohm,15V 25 ns - 1700 v 16 a 40 a 6V @ 15V,10a 2.5MJ() 65 NC 15NS/250NS
VMO550-01F IXYS VMO550-01F -
RFQ
ECAD 4691 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Y3-DCB VMO550 MOSFET (金属 o化物) Y3-DCB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 n通道 100 v 590a(TC) 10V 2.1MOHM @ 500mA,10V 6V @ 110mA 2000 NC @ 10 V ±20V 50000 PF @ 25 V - 2200W(TC)
IXGH30N60C3 IXYS IXGH30N60C3 -
RFQ
ECAD 6135 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH30 标准 220 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 300V,20A,5OHM,15V pt 600 v 60 a 150 a 3V @ 15V,20A 270µJ(在)上,90µJ(90µJ) 38 NC 16ns/42ns
MCD310-20IO1 IXYS MCD310-20IO1 -
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C 〜140°C(TJ) 底盘安装 Y2-DCB MCD310 系列连接 -SCR/二极管 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2 150 ma 2 kV 500 a 2 v 9200A,9800A 150 ma 320 a 1 sc,1二极管
IXYH20N65B3 IXYS IXYH20N65B3 4.7479
RFQ
ECAD 2829 0.00000000 ixys XPT™,GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 230 w TO-247AD - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixyh20n65b3 Ear99 8541.29.0095 30 400V,20A,20欧姆,15V 25 ns pt 650 v 58 a 108 a 2.1V @ 15V,20A (500µJ)(在450µJ上) 29 NC 12NS/103NS
IXA70I1200NA IXYS IXA70I1200NA 35.2800
RFQ
ECAD 6657 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘,螺柱坐骑 SOT-227-4,迷你布洛克 IXA70I1200 350 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 1200 v 100 a 2.1V @ 15V,50a 100 µA
IXTM1316 IXYS IXTM1316 -
RFQ
ECAD 2833 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - - - ixtm13 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 - - - - - - - -
IXFX32N80Q3 IXYS IXFX32N80Q3 32.5900
RFQ
ECAD 824 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXFX32 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfx32n80q3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 32A(TC) 10V 270mohm @ 16a,10v 6.5V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±30V 6940 pf @ 25 V - 1000W(TC)
VDI75-12P1 IXYS VDI75-12P1 -
RFQ
ECAD 9790 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC2 vdi 379 w 标准 Eco-PAC2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 单身的 npt 1200 v 92 a 3.2V @ 15V,75a 3.7 MA 是的 3.3 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库