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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 结构 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | ((av)(av)) | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | SCR,二极管的数量 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFV26N60P | - | ![]() | 8220 | 0.00000000 | ixys | Polarhv™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3,短选项卡 | IXFV26 | MOSFET (金属 o化物) | 加220 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 26a(TC) | 10V | 270MOHM @ 500mA,10V | 5V @ 4mA | 72 NC @ 10 V | ±30V | 4150 PF @ 25 V | - | 460W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTL2N470 | 114.3700 | ![]() | 274 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | isoplusi5-pak™ | ixtl2 | MOSFET (金属 o化物) | isoplusi5-pak™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixtl2n470 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 4700 v | 2A(TC) | 10V | 20ohm @ 1A,10V | 6V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 6860 pf @ 25 V | - | 220W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DSEP40-03AS-tub | 3.0790 | ![]() | 7838 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | DSEP40 | 标准 | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DSEP40-03AS-TUB | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.46 V @ 40 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C 〜175°C | 40a | 50pf @ 150V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VBE20-20NO1 | - | ![]() | 4798 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | v1a-pak | 标准 | v1a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 5.41 V @ 12 A | 750 µA @ 2000 V | 20 a | 单相 | 2 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W1748LC220 | - | ![]() | 2433 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 在sic中停产 | 夹紧 | DO-200AB,B-PUK | W1748 | 标准 | W4 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-W1748LC220 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2200 v | 1.93 V @ 3770 A | 30 ma @ 2200 V | -40°C〜175°C | 1748a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTY1R6N50D2-TRL | 3.0700 | ![]() | 45 | 0.00000000 | ixys | 消耗 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ixty1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 500 v | 1.6A(TJ) | 0V | 2.3OHM @ 800mA,0v | 4.5V @ 250µA | 23.7 NC @ 5 V | ±20V | 645 pf @ 25 V | - | 100W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTR200N10P | 16.3410 | ![]() | 7117 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXTR200 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 100 v | 120A(TC) | 10V | 8mohm @ 60a,10v | 5V @ 500µA | 235 NC @ 10 V | ±20V | 7600 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFR32N80Q3 | 36.4500 | ![]() | 57 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q3类 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFR32 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixfr32n80q3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 800 v | 24A(TC) | 10V | 300mohm @ 16a,10v | 6.5V @ 4mA | 140 NC @ 10 V | ±30V | 6940 pf @ 25 V | - | 500W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK44N50Q | - | ![]() | 2619 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q类 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFK44 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264AA(IXFK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 44A(TC) | 10V | 120mohm @ 22a,10v | 4V @ 4mA | 190 NC @ 10 V | ±20V | 7000 PF @ 25 V | - | 500W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DSS16-0045AS-tub | - | ![]() | 2183 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | DSS16 | 肖特基 | TO-263AA | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 670 mv @ 15 A | 500 µA @ 45 V | -55°C 〜175°C | 16a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK15N100Q | - | ![]() | 9302 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFK15 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264AA(IXFK) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 1000 v | 15A(TC) | 10V | 700mohm @ 500mA,10v | 5V @ 4mA | 170 NC @ 10 V | ±20V | 4500 PF @ 25 V | - | 360W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGT4N250C | - | ![]() | 9729 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | IXGT4N250 | 标准 | 150 w | TO-268AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Q7066732 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 1250V,4A,20欧姆,15V | npt | 2500 v | 13 a | 46 a | 6V @ 15V,4A | 360µJ(离) | 57 NC | - /350n | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixta380N036T4-7-Tr | 4.2820 | ![]() | 7461 | 0.00000000 | ixys | 沟 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | ixta380 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263-7(IXTA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixta380n036t4-7-Tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 36 V | 380a(TC) | 10V | 1MOHM @ 100A,10V | 4V @ 250µA | 260 NC @ 10 V | ±15V | 13400 PF @ 25 V | - | 480W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK250N10P | 24.5300 | ![]() | 78 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFK250 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264AA(IXFK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 100 v | 250A(TC) | 10V | 6.5MOHM @ 50a,10v | 5V @ 1mA | 205 NC @ 10 V | ±20V | 16000 PF @ 25 V | - | 1250W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFP14N55X2 | 5.8746 | ![]() | 6048 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X2 | 管子 | 积极的 | - | - | - | IXFP14 | - | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixfp14n55x2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTT74N20P | 7.2430 | ![]() | 7227 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | IXTT74 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 200 v | 74A(TC) | 10V | 34mohm @ 37A,10V | 5V @ 250µA | 107 NC @ 10 V | ±20V | 3300 PF @ 25 V | - | 480W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFQ8N85X | 4.5552 | ![]() | 8060 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXFQ8N85 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixfq8n85x | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 850 v | 8A(TC) | 10V | 850MOHM @ 4A,10V | 5.5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±30V | 654 pf @ 25 V | - | 200W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DHG100X1200NA | 38.8300 | ![]() | 3520 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | DHG100 | 标准 | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -DHG100X1200NA | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1200 v | 50a | 2.16 V @ 50 A | 75 ns | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTQ69N30P | 11.4600 | ![]() | 201 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXTQ69 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 300 v | 69A(TC) | 10V | 49mohm @ 500mA,10v | 5V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 4960 pf @ 25 V | - | 500W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUBW15-12A6K | 50.0500 | ![]() | 5842 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E1 | mubw15 | 90 W | 三相桥梁整流器 | E1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 三期逆变器 | npt | 1200 v | 19 a | 3.4V @ 15V,15a | 600 µA | 是的 | 600 pf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGR50N90B2D1 | - | ![]() | 9267 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGR50 | 标准 | 100 W | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 720V,50a,5ohm,15V | 200 ns | npt | 900 v | 40 a | 200 a | 2.9V @ 15V,50a | 4.7MJ() | 135 NC | 20N/350N | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXBT16N170AHV | 16.6173 | ![]() | 9900 | 0.00000000 | ixys | Bimosfet™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | IXBT16 | 标准 | 150 w | TO-268HV(IXBT) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 1360v,10a,10ohm,15V | 25 ns | - | 1700 v | 16 a | 40 a | 6V @ 15V,10a | 2.5MJ() | 65 NC | 15NS/250NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VMO550-01F | - | ![]() | 4691 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Y3-DCB | VMO550 | MOSFET (金属 o化物) | Y3-DCB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | n通道 | 100 v | 590a(TC) | 10V | 2.1MOHM @ 500mA,10V | 6V @ 110mA | 2000 NC @ 10 V | ±20V | 50000 PF @ 25 V | - | 2200W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGH30N60C3 | - | ![]() | 6135 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGH30 | 标准 | 220 w | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 300V,20A,5OHM,15V | pt | 600 v | 60 a | 150 a | 3V @ 15V,20A | 270µJ(在)上,90µJ(90µJ) | 38 NC | 16ns/42ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCD310-20IO1 | - | ![]() | 6729 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 底盘安装 | Y2-DCB | MCD310 | 系列连接 -SCR/二极管 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 150 ma | 2 kV | 500 a | 2 v | 9200A,9800A | 150 ma | 320 a | 1 sc,1二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYH20N65B3 | 4.7479 | ![]() | 2829 | 0.00000000 | ixys | XPT™,GenX3™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 230 w | TO-247AD | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixyh20n65b3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,20A,20欧姆,15V | 25 ns | pt | 650 v | 58 a | 108 a | 2.1V @ 15V,20A | (500µJ)(在450µJ上) | 29 NC | 12NS/103NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXA70I1200NA | 35.2800 | ![]() | 6657 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘,螺柱坐骑 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXA70I1200 | 350 w | 标准 | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | pt | 1200 v | 100 a | 2.1V @ 15V,50a | 100 µA | 不 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTM1316 | - | ![]() | 2833 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | - | - | - | ixtm13 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFX32N80Q3 | 32.5900 | ![]() | 824 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q3类 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | IXFX32 | MOSFET (金属 o化物) | 加上247™-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixfx32n80q3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 800 v | 32A(TC) | 10V | 270mohm @ 16a,10v | 6.5V @ 4mA | 140 NC @ 10 V | ±30V | 6940 pf @ 25 V | - | 1000W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VDI75-12P1 | - | ![]() | 9790 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Eco-PAC2 | vdi | 379 w | 标准 | Eco-PAC2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 单身的 | npt | 1200 v | 92 a | 3.2V @ 15V,75a | 3.7 MA | 是的 | 3.3 NF @ 25 V |
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