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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
MWI15-12A6K IXYS MWI15-12A6K -
RFQ
 ECAD 3039 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E1 MWI15 90 W 标准 E1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 npt 1200 v 19 a 3.4V @ 15V，15a 900 µA 是的 600 pf @ 25 V
MWI50-12E7 IXYS MWI50-12E7 -
RFQ
 ECAD 1733年 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 MWI50 350 w 标准 E2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 1200 v 90 a 2.4V @ 15V，50a 800 µA 不 3.8 nf @ 25 V
IXGH30N60B4 IXYS IXGH30N60B4 -
RFQ
 ECAD 9094 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH30 标准 190 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，24a，10ohm，15V pt 600 v 66 a 156 a 1.7V @ 15V，24a （440µJ）（在700µJ上） 77 NC 21NS/200NS
IXGT4N250C IXYS IXGT4N250C -
RFQ
 ECAD 9729 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT4N250 标准 150 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q7066732 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，4A，20欧姆，15V npt 2500 v 13 a 46 a 6V @ 15V，4A 360µJ（离） 57 NC - /350n
IXGN100N170 IXYS IXGN100N170 61.0300
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixgn100 735 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 npt 1700 v 160 a 3V @ 15V，100a 50 µA 不 9.22 NF @ 25 V
IXTA200N055T2-7 IXYS IXTA200N055T2-7 3.5880
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） ixta200 MOSFET （金属 o化物） TO-263-7（IXTA） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta200N055T2-7 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 200a（TC） 10V 4.2MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 109 NC @ 10 V ±20V 6970 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXFT52N30Q TRL IXYS IXFT52N30Q TRL -
RFQ
 ECAD 3258 0.00000000 ixys Hiperfet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft52 MOSFET （金属 o化物） TO-268（IXFT） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 300 v 52A（TC） 10V 60mohm @ 26a，10v 4V @ 4mA 150 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXBH5N160G IXYS IXBH5N160G -
RFQ
 ECAD 1085 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXBH5N160 标准 68 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，3A，47OHM，10V - 1600 v 5.7 a 7.2V @ 15V，3A - 26 NC -
MUBW15-12A6K IXYS MUBW15-12A6K 50.0500
RFQ
 ECAD 5842 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E1 mubw15 90 W 三相桥梁整流器 E1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 三期逆变器 npt 1200 v 19 a 3.4V @ 15V，15a 600 µA 是的 600 pf @ 25 V
MWI15-12A7 IXYS MWI15-12A7 85.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 MWI15 140 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 1200 v 30 a 2.6V @ 15V，15a 900 µA 不 1 nf @ 25 V
IXGA20N120A3-TRL IXYS IXGA20N120A3-TRL 4.2118
RFQ
 ECAD 9948 0.00000000 ixys Genx3™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixga20 标准 180 w TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixga20n120a3-trltr Ear99 8541.29.0095 800 960V，20a，10ohm，15V 44 ns pt 1200 v 40 a 120 a 2.5V @ 15V，20A 2.85mj（在）上，6.47mj off） 50 NC 16NS/290NS
IXDH30N120 IXYS IXDH30N120 -
RFQ
 ECAD 1148 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXDH30 标准 300 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，30a，47ohm，15V npt 1200 v 60 a 76 a 2.9V @ 15V，30a 4.6mj（在）上，3.4MJ off） 120 NC -
DSEI12-10A IXYS DSEI12-10A 2.9000
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 DSEI12 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 2.7 V @ 12 A 60 ns 250 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 12a -
IXFA10N60P IXYS IXFA10N60P 4.3100
RFQ
 ECAD 336 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA10 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10A（TC） 10V 740MOHM @ 5A，10V 5.5V @ 1mA 32 NC @ 10 V ±30V 1610 PF @ 25 V - 200W（TC）
IXGP24N60C4D1 IXYS IXGP24N60C4D1 -
RFQ
 ECAD 7591 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP24 标准 190 w TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 360V，24a，10ohm，15V 30 ns pt 600 v 56 a 130 a 2.7V @ 15V，24a （350µJ）（在340µJ上） 64 NC 22NS/192NS
IXFT24N50 IXYS IXFT24N50 -
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft24 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A（TC） 10V 230mohm @ 12a，10v 4V @ 4mA 160 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXYP10N65C3D1 IXYS IXYP10N65C3D1 -
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXYP10 标准 160 w TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，10A，50OHM，15V 170 ns pt 650 v 30 a 54 a 2.5V @ 15V，10a 240µJ（在）上，110µJ（110µJ） 18 NC 20NS/77NS
IXFP36N60X3 IXYS IXFP36N60X3 7.0700
RFQ
 ECAD 6408 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixfp36 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixfp36n60x3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 36a（TC） 10V 90MOHM @ 18A，10V 5V @ 2.5mA 29 NC @ 10 V ±20V 2030 pf @ 25 V - 446W（TC）
IXFA76N15T2 IXYS IXFA76N15T2 5.2060
RFQ
 ECAD 6564 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA76 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 76A（TC） 10V 20mohm @ 38a，10v 4.5V @ 250µA 97 NC @ 10 V ±20V 5800 pf @ 25 V - 350W（TC）
IXGA20N120B3 IXYS IXGA20N120B3 4.7479
RFQ
 ECAD 6215 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixga20 标准 180 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 600V，16A，15OHM，15V pt 1200 v 36 a 80 a 3.1V @ 15V，16a （920µJ）（在），560µJ（OFF）上） 51 NC 16NS/150NS
IXYH8N250CHV IXYS IXYH8N250CHV 25.4400
RFQ
 ECAD 8056 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXYH8N250 标准 280 w TO-247HV 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，8a，15ohm，15V 5 ns - 2500 v 29 a 70 a 4V @ 15V，8a 2.6mj（在）上，1.07mj off） 45 NC 11NS/180NS
DSEI2X61-02P IXYS DSEI2X61-02P -
RFQ
 ECAD 7508 0.00000000 ixys 弗雷德 盒子 积极的 底盘安装 Eco-PAC1 DSEI2x61 标准 Eco-PAC1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 200 v 71a 1.08 V @ 60 A 50 ns 50 µA @ 200 V -40°C〜150°C
IXFH14N100 IXYS IXFH14N100 -
RFQ
 ECAD 3710 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH14 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 14A（TC） 10V 750MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 4mA 220 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFT4N100Q IXYS IXFT4N100Q -
RFQ
 ECAD 4613 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft4 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 4A（TC） 10V 3ohm @ 2a，10v 5V @ 1.5mA 39 NC @ 10 V ±20V 1050 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXGC12N60CD1 IXYS IXGC12N60CD1 -
RFQ
 ECAD 9962 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXGC12 标准 85 w ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 480V，12a，18onm，15v 35 ns - 600 v 15 a 48 a 2.7V @ 15V，12A 90µJ（离） 32 NC 20N/60N
IXTM15N60 IXYS IXTM15N60 -
RFQ
 ECAD 5717 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - - - ixtm15 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 - - - - - - - -
IXGA30N120B3-TRL IXYS IXGA30N120B3-TRL 5.3818
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 ixys Genx3™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXGA30 标准 300 w TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixga30n120b3-trltr Ear99 8541.29.0095 800 960V，30a，5ohm，15V 37 ns pt 1200 v 60 a 150 a 3.5V @ 15V，30a 3.47MJ（在）上，2.16MJ off） 87 NC 16NS/127NS
IXFH320N10T2 IXYS IXFH320N10T2 16.0900
RFQ
 ECAD 5524 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH320 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 320a（TC） 10V 3.5MOHM @ 100A，10V 4V @ 250µA 430 NC @ 10 V ±20V 26000 PF @ 25 V - 1000W（TC）
IXYX120N120B3 IXYS IXYX120N120B3 31.2583
RFQ
 ECAD 5302 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXYX120 标准 1500 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，100A，1OHM，15V 54 ns - 1200 v 320 a 800 a 2.2V @ 15V，100a 9.7mj（在）上，21.5MJ off） 400 NC 30NS/340NS
IXFH40N30 IXYS IXFH40N30 -
RFQ
 ECAD 2786 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH40 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 IXFH40N30-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 40a（TC） 10V 85mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 200 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V - 300W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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196-LFBGA裸露的垫子

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