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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 结构 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | ((av)(av)) | scr | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | SCR,二极管的数量 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSP8-12AC | - | ![]() | 6217 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | ISOPLUS220™ | DSP8 | 标准 | ISOPLUS220™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 11a | 1.22 V @ 10 A | 10 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTV230N085T | - | ![]() | 3544 | 0.00000000 | ixys | TRENCHMV™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3,短选项卡 | IXTV230 | MOSFET (金属 o化物) | 加220 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 85 v | 230a(TC) | 10V | 4.4mohm @ 50a,10v | 4V @ 250µA | 187 NC @ 10 V | ±20V | 9900 PF @ 25 V | - | 550W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGL200N60B3 | - | ![]() | 9725 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXGL200 | 标准 | 400 w | ISOPLUS264™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 300V,100A,1OHM,15V | pt | 600 v | 150 a | 600 a | 1.5V @ 15V,100a | 1.6MJ(在)上,2.9MJ off) | 750 NC | 44NS/310NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXSH30N60BD1 | - | ![]() | 2679 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixsh30 | 标准 | 200 w | TO-247AD | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V,30a,4.7Ohm,15V | 50 ns | - | 600 v | 55 a | 110 a | 2.7V @ 15V,55a | 1.5mj(() | 100 NC | 30NS/150NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
DNA30EM2200PC | - | ![]() | 7471 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | DNA30EM2200 | 标准 | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2200 v | 1.26 V @ 30 A | 40 µA @ 2200 V | -55°C 〜175°C | 30a | 7pf @ 700V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFT30N50Q | - | ![]() | 6969 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | ixft30 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268AA | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 30A(TC) | 10V | 160mohm @ 15a,10v | 4.5V @ 4mA | 190 NC @ 10 V | ±20V | 4925 PF @ 25 V | - | 360W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSEI2X61-02P | - | ![]() | 7508 | 0.00000000 | ixys | 弗雷德 | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | Eco-PAC1 | DSEI2x61 | 标准 | Eco-PAC1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 71a | 1.08 V @ 60 A | 50 ns | 50 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixtp44p15t | 6.3900 | ![]() | 80 | 0.00000000 | ixys | Trechp™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | ixtp44 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 150 v | 44A(TC) | 10V | 65mohm @ 500mA,10v | 4V @ 250µA | 175 NC @ 10 V | ±15V | 13400 PF @ 25 V | - | 298W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSEI2X61-12P | 22.5812 | ![]() | 5056 | 0.00000000 | ixys | 弗雷德 | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | Eco-PAC1 | DSEI2x61 | 标准 | Eco-PAC1 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1200 v | 52a | 2.5 V @ 60 A | 60 ns | 2.2 ma @ 1200 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLB30I1200HB | 4.4383 | ![]() | 2572 | 0.00000000 | ixys | CLB30I1200HB | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | CLB30 | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-CLB30I1200HB | Ear99 | 8541.30.0080 | 30 | 60 ma | 1.2 kV | 47 a | 1.3 v | 300a,325a | 28 ma | 1.28 v | 30 a | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTH12N65X2 | 5.4700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ixys | Ultra X2 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixth12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 650 v | 12A(TC) | 10V | 300mohm @ 6a,10v | 5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±30V | 1100 PF @ 25 V | - | 180W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCMA140P1600TA | 47.7600 | ![]() | 36 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 底盘安装 | TO-240AA | MCMA140 | 系列连接 -scr | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -MCMA140P1600TA | Ear99 | 8541.30.0080 | 36 | 200 ma | 1.6 kV | 220 a | 1.5 v | 2400a,2590a | 150 ma | 140 a | 2 scr | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTT100N25P | 13.5600 | ![]() | 4112 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | ixtt100 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 250 v | 100A(TC) | 10V | 24mohm @ 50a,10v | 5V @ 250µA | 185 NC @ 10 V | ±20V | 6300 PF @ 25 V | - | 600W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGR60N60U1 | - | ![]() | 1749年 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGR60 | 标准 | 300 w | ISOPLUS247™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V,60a,2.7Ohm,15V | - | 600 v | 75 a | 200 a | 1.7V @ 15V,60a | (16mj)) | 200 NC | 50NS/600NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXSR50N60BU1 | - | ![]() | 5449 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-247-3 | IXSR50 | 标准 | ISOPLUS247™ | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 600 v | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTH102N25T | - | ![]() | 5019 | 0.00000000 | ixys | 沟 | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-247-3 | IXTH102 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 250 v | 102A(TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH13N80 | - | ![]() | 7752 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH13 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | IXFH13N80-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 800 v | 13A(TC) | 10V | 800mohm @ 500mA,10v | 4.5V @ 4mA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 4200 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W1975MC680 | - | ![]() | 3014 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 在sic中停产 | 夹紧 | do-200 ac,k-puk | W1975 | 标准 | W54 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-W1975MC680 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 6800 v | 3.95 V @ 4200 A | 45 µs | 100 ma @ 6800 V | -40°C〜150°C | 1975a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYH75N65C3H1 | 17.6000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | ixys | GenX3™,XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixyh75 | 标准 | 750 w | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,60a,3ohm,15V | 150 ns | pt | 650 v | 170 a | 360 a | 2.3V @ 15V,60a | 2.8MJ(在)上,1MJ(1MJ) | 123 NC | 27NS/93NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDD95-14N1B | 33.9586 | ![]() | 8165 | 0.00000000 | ixys | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | TO-240AA | MDD95 | 标准 | TO-240AA | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 120a | 1.43 V @ 300 A | 15 ma @ 1400 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXKH70N60C5 | 24.1700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | coolmos™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXKH70 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 70A(TC) | 10V | 45mohm @ 44a,10v | 3.5V @ 3mA | 190 NC @ 10 V | ±20V | 6800 PF @ 100 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK21N100F | - | ![]() | 9189 | 0.00000000 | ixys | Hiperrf™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFK21 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264AA | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 1000 v | 21a(TC) | 10V | 500mohm @ 10.5a,10v | 5.5V @ 4mA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 5500 PF @ 25 V | - | 500W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMIX1F360N15T2 | 46.8120 | ![]() | 6350 | 0.00000000 | ixys | Gigamos™,Trencht2™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 24-PowersMD,21个线索 | MMIX1F360 | MOSFET (金属 o化物) | 24-smpd | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | n通道 | 150 v | 235a(TC) | 10V | 4.4mohm @ 100a,10v | 5V @ 8mA | 715 NC @ 10 V | ±20V | 47500 PF @ 25 V | - | 680W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTK90N15 | - | ![]() | 3118 | 0.00000000 | ixys | Megamos™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | ixtk90 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264(IXTK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 150 v | 90A(TC) | 10V | 16mohm @ 45a,10v | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 6400 PF @ 25 V | - | 390W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH230N075T2 | 8.3600 | ![]() | 3245 | 0.00000000 | ixys | HiperFet™,Trencht2™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH230 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 75 v | 230a(TC) | 10V | 4.2MOHM @ 50a,10v | 4V @ 250µA | 178 NC @ 10 V | ±20V | 10500 PF @ 25 V | - | 480W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCD312-18IO1 | 179.8567 | ![]() | 1448 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 底盘安装 | Y1-CU | MCD312 | 系列连接 -SCR/二极管 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MCD31218IO1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 150 ma | 1.8 kV | 520 a | 2 v | 9200A,10100A | 150 ma | 320 a | 1 sc,1二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGP20N120A3 | 6.9200 | ![]() | 4644 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXGP20 | 标准 | 180 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 960V,20a,10ohm,15V | pt | 1200 v | 40 a | 120 a | 2.5V @ 15V,20A | 2.85mj(在)上,6.47mj off) | 50 NC | 16NS/290NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFN200N10P | 28.9600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 盒子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXFN200 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 100 v | 200a(TC) | 10V | 7.5mohm @ 500mA,10v | 5V @ 8mA | 235 NC @ 10 V | ±20V | 7600 PF @ 25 V | - | 680W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCO50-16IO1 | 31.3100 | ![]() | 4578 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MCO50 | 单身的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MCO5016IO1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 100 ma | 1.6 kV | 85 a | 1.4 v | 740a,800a | 80 ma | 54 a | 1 scr | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCC21-12IO8B | - | ![]() | 9430 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | TO-240AA | MCC21 | 系列连接 -scr | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 36 | 100 ma | 1.2 kV | 33 a | 1 V | 320a,350a | 65 ma | 21 a | 2 scr |
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