SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（av）（av）） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXFT18N90P IXYS IXFT18N90P -
RFQ
 ECAD 5654 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft18 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 18A（TC） 10V 600mohm @ 500mA，10v 6.5V @ 1mA 97 NC @ 10 V ±30V 5230 PF @ 25 V - 540W（TC）
MCMA110PD1600TB IXYS MCMA110PD1600TB 35.6497
RFQ
 ECAD 6653 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCMA110 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.6 kV 170 a 1.5 v 1900a，2050a 150 ma 110 a 1 sc，1二极管
W1032LC500 IXYS W1032LC500 -
RFQ
 ECAD 8516 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 DO-200AB，B-PUK W1032 标准 W4 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-W1032LC500 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 5000 v 2.7 V @ 2420 A 30 µs 30 ma @ 5000 V -40°C〜150°C 1032a -
MCO600-20IO1 IXYS MCO600-20IO1 233.8850
RFQ
 ECAD 2425 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y1-CU MCO600 单身的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2 300 MA 2 kV 928 a 2 v 15000a，16000a 300 MA 600 a 1 scr
IXFN26N100P IXYS IXFN26N100P 54.3070
RFQ
 ECAD 1694年 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN26 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 23A（TC） 10V 390MOHM @ 13A，10V 6.5V @ 1mA 197 nc @ 10 V ±30V 11900 PF @ 25 V - 595W（TC）
IXTA180N085T IXYS IXTA180N085T -
RFQ
 ECAD 1413 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta180 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 85 v 180a（TC） 10V 5.5MOHM @ 25A，10V 4V @ 250µA 170 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 25 V - 430W（TC）
IXA20RG1200DHG-TRR IXYS IXA20RG1200DHG-TRR 12.7242
RFQ
 ECAD 4369 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 9-SMD模块 IXA20 标准 125 w ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 200 600V，15a，56ohm，15V pt 1200 v 32 a 2.1V @ 15V，15a 1.55MJ（在）上，1.7MJ OFF） 48 NC -
IXTT30N50P IXYS IXTT30N50P -
RFQ
 ECAD 2711 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXTT30 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 30A（TC） 10V 200mohm @ 15a，10v 5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±30V 4150 PF @ 25 V - 460W（TC）
IXFA16N50P IXYS IXFA16N50P 3.6441
RFQ
 ECAD 6375 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA16 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 16A（TC） 10V 400mohm @ 8a，10v 5.5V @ 2.5mA 43 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXTT68P20T IXYS IXTT68P20T 20.6800
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt68 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 200 v 68A（TC） 10V 55mohm @ 34a，10v 4V @ 250µA 380 NC @ 10 V ±15V 33400 PF @ 25 V - 568W（TC）
MCC500-18IO1 IXYS MCC500-18IO1 -
RFQ
 ECAD 7031 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 WC-500 MCC500 系列连接 -scr 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1 1 a 1.8 kV 1294 a 3 V 16500a @ 50Hz 300 MA 545 a 2 scr
IXTP44N25T IXYS IXTP44N25T -
RFQ
 ECAD 1837年 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3 ixtp44 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 44A（TC） - - - -
MDD312-12N1 IXYS MDD312-12N1 148.8800
RFQ
 ECAD 5572 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y1-CU MDD312 标准 Y1-CU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 310a 1.32 V @ 600 A 30 ma @ 1200 V -40°C〜150°C
DMA50I800HA IXYS DMA50I800HA 3.7653
RFQ
 ECAD 4029 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DMA50 标准 TO-247 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-DMA50I800HA Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.3 V @ 50 A 40 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 50a 19pf @ 400V，1MHz
GMM3X100-01X1-SMD IXYS GMM3X100-01X1-SMD -
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 24-smd，海鸥翼 GMM3x100 MOSFET （金属 o化物） - 24-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 28 6 n通道（3相桥） 100V 90a - 4.5V @ 1mA 90NC @ 10V - -
IXYP15N65C3 IXYS IXYP15N65C3 2.3740
RFQ
 ECAD 5056 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXYP15 标准 200 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，15a，20欧姆，15V pt 650 v 38 a 80 a 2.5V @ 15V，15a 270µJ（在）上，230µJ（230µJ） 19 nc 15NS/68NS
IXSH30N60U1 IXYS IXSH30N60U1 -
RFQ
 ECAD 7836 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixsh30 标准 200 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，30a，4.7Ohm，15V 50 ns - 600 v 50 a 100 a 2.5V @ 15V，30a 2.5MJ（） 110 NC 60NS/400NS
IXTT50P085 IXYS IXTT50P085 -
RFQ
 ECAD 4987 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA MOSFET （金属 o化物） TO-268AA - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 P通道 85 v 50A（TC） 10V 55mohm @ 25a，10v 5V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFP38N30X3 IXYS IXFP38N30x3 6.1300
RFQ
 ECAD 818 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixfp38 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 38A（TC） 10V 50mohm @ 19a，10v 4.5V @ 1mA 35 NC @ 10 V ±20V 2240 pf @ 25 V - 240W（TC）
DSA10C150UC-TUB IXYS DSA10C150UC-TUB -
RFQ
 ECAD 4024 0.00000000 ixys DSA10C150UC 管子 在sic中停产 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DSA10C150 肖特基 TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSA10C150UC-TUB Ear99 8541.10.0080 70 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 5a 860 mv @ 5 a 100 µA @ 150 V -55°C 〜175°C
IXGN100N160A IXYS IXGN100N160A -
RFQ
 ECAD 4171 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixgn100 标准 SOT-227B - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 1600 v 200 a - 不
IXGR60N60C3C1 IXYS IXGR60N60C3C1 -
RFQ
 ECAD 2982 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGR60 标准 170 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，40a，3ohm，15V pt 600 v 75 a 260 a 2.5V @ 15V，40a （830µJ）（在450µJ上） 115 NC 24NS/70NS
IXTT12N150 IXYS IXTT12N150 17.0700
RFQ
 ECAD 2069 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt12 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1500 v 12A（TC） 10V 2ohm @ 6a，10v 4.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±30V 3720 PF @ 25 V - 890W（TC）
DSI45-08A IXYS DSI45-08A 4.7600
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DSI45 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.28 V @ 45 A 20 µA @ 800 V -40°C〜175°C 45a -
IXFX160N30T IXYS IXFX160N30T 20.1500
RFQ
 ECAD 811 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX160 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 160a（TC） 10V 19mohm @ 60a，10v 5V @ 8mA 335 NC @ 10 V ±20V 28000 PF @ 25 V - 1390W（TC）
IXTA62N15P-TRL IXYS ixta62n15p-trl 3.2181
RFQ
 ECAD 6164 0.00000000 ixys 极性 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta62 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta62n15p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 150 v 62A（TC） 10V 40mohm @ 31a，10v 5.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 2250 pf @ 25 V - 350W（TC）
IXTA60N20X4 IXYS ixta60n20x4 11.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta60 MOSFET （金属 o化物） TO-263（IXTA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixta60n20x4 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 60a（TC） 10V 21mohm @ 30a，10v 4.5V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±20V 2450 pf @ 25 V - 250W（TC）
MCD312-14IO1 IXYS MCD312-14IO1 164.8667
RFQ
 ECAD 8483 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y1-CU MCD312 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3 150 ma 1.4 kV 520 a 2 v 9200A，10100A 150 ma 320 a 1 sc，1二极管
IXFT80N10Q IXYS IXFT80N10Q -
RFQ
 ECAD 2997 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft80 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 80A（TC） 10V 15mohm @ 40a，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
MUBW35-12A8 IXYS MUBW35-12A8 -
RFQ
 ECAD 4719 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 mubw 225 w 三相桥梁整流器 E3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三期逆变器 npt 1200 v 50 a 3.1V @ 15V，35a 1.1 MA 是的 1.65 NF @ 25 V
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196-LFBGA裸露的垫子

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