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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFT20N80P	-	RFQ	4391	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft20		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			800 v	20A（TC）	10V	520MOHM @ 10a，10v	5V @ 4mA	86 NC @ 10 V	±30V	4685 pf @ 25 V	-	500W（TC）
DSSK50-01A	-	RFQ	8473	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	DSSK50		肖特基				TO-247AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	100 v	25a	800 mv @ 25 A		1 mA @ 100 V	-55°C 〜175°C
MKI80-06T6K	-	RFQ	5109	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	MKI80			210 w		标准	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	完整的桥梁逆变器																																		沟	600 v	89 a		2.3V @ 15V，75a				500 µA	是的	4.62 NF @ 25 V
DSEP15-06A	2.6300	RFQ	34	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	DSEP15		标准				TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSEP1506A	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								600 v		2.04 V @ 15 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	15a	-
DSA30C150HB	-	RFQ	1308	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	DSA30C150		肖特基				TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	150 v	15a	880 mv @ 15 a		300 NA @ 150 V	-55°C 〜175°C
IXTP08N50D2	2.4900	RFQ	8375	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp08		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			500 v	800mA（TC）	-	4.6ohm @ 400mA，0v	-	12.7 NC @ 5 V	±20V	312 PF @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）
IXFK52N100X	36.3000	RFQ	9871	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK52		MOSFET （金属 o化物）				TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			1000 v	52A（TC）	10V	125mohm @ 26a，10v	6V @ 4mA	245 NC @ 10 V	±30V	6725 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFK52N30Q	-	RFQ	8445	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK52		MOSFET （金属 o化物）				TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25			n通道			300 v	52A（TC）	10V	60mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	360W（TC）
DGS9-030AS	-	RFQ	4432	ixys	-	管子	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DGS9		肖特基				TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								300 v		2 V @ 5 A		1.3 ma @ 300 V	-55°C 〜175°C	11a	-
IXFN44N80Q3	63.4600	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN44		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfn44n80q3	Ear99	8541.29.0095	10			n通道			800 v	37A（TC）	10V	190mohm @ 22a，10v	6.5V @ 8mA	185 NC @ 10 V	±30V	9840 pf @ 25 V	-	780W（TC）
IXFC16N80P	-	RFQ	4492	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC16N80		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			800 v	9A（TC）	10V	650MOHM @ 8A，10V	5V @ 4mA	71 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IXFH70N65X3	14.4300	RFQ	5656	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH70		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXFH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfh70n65x3	Ear99	8541.29.0095	300			n通道			650 v	70A（TC）	10V	44mohm @ 35a，10v	5.2V @ 4mA	66 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 25 V	-	780W（TC）
ixtx3n250l	67.7467	RFQ	7322	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx3		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtx3n250l	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			2500 v	3A（TC）	10V	10ohm @ 1.5A，10V	5V @ 1mA	230 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	417W（TC）
MMO175-12IO7	23.2744	RFQ	4624	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	MMO175				1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25				200 ma												1.2 kV	125 a	1.5 v	1500a，1600a	100 ma		80 a												2 scr
R1446NC12D	-	RFQ	6929	ixys	-	盒子	在sic中停产	-40°C〜125°C	夹紧	TO-200AC，K-PUK	R1446						W11	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-R1446NC12D	Ear99	8541.30.0080	6				1 a												1.2 kV	2940 a	3 V	21500A @ 50Hz	300 MA	1.7 v	1446 a	150 ma	标准恢复
DSA30C60PB	-	RFQ	1256	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-3	DSA30C60		肖特基				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	60 V	15a	850 MV @ 15 A		500 µA @ 60 V	-55°C 〜175°C
MIXA150Q1200VA	34.0754	RFQ	4507	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v1a-pak	Mixa150			695 w		标准	v1a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	单身的																																		pt	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a				100 µA	不
MCC500-18IO1	-	RFQ	7031	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	WC-500	MCC500				系列连接 -scr			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				1 a												1.8 kV	1294 a	3 V	16500a @ 50Hz	300 MA		545 a												2 scr
IXTP44N25T	-	RFQ	1837年	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	ixtp44		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			250 v	44A（TC）		-	-				-	-
VCK105-14IO7	-	RFQ	3496	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	VCK105				普通阴极 -scr			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25				200 ma												1.4 kV	180 a	1.5 v	2250a，2400a	150 ma		105 a												2 scr
IXFN230N20T	37.7000	RFQ	401	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN230		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			200 v	220A（TC）	10V	7.5MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	378 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1090W（TC）
DLA10IM800UC-TUB	1.3061	RFQ	5131	ixys	-	管子	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DLA10		标准				TO-252AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DLA10IM800UC-TUB	Ear99	8541.10.0080	70		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								800 v		1.22 V @ 10 A		5 µA @ 800 V	-55°C 〜175°C	10a	3PF @ 400V，1MHz
IXFX320N17T2	32.2000	RFQ	8250	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX320		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			170 v	320a（TC）	10V	5.2MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	640 NC @ 10 V	±20V	45000 PF @ 25 V	-	1670W（TC）
ixta48p05t-trl	2.8547	RFQ	5871	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta48		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta48p05t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			P通道			50 V	48A（TC）	10V	30mohm @ 24a，10v	4.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±15V	3660 pf @ 25 V	-	150W（TC）
ixuv170n075	-	RFQ	8638	ixys	-	盒子	积极的	-	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixuv170		MOSFET （金属 o化物）				加220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			75 v	175a（TC）		-	-				-	-
IXGH25N100A	-	RFQ	3923	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH25	标准		200 w			TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					800V，25a，33ohm，15V																														-	1000 v	50 a	100 a	4V @ 15V，25a	（5MJ））	130 NC	100NS/500NS
IXTH60N20X4	11.5000	RFQ	299	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth60		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixth60n20x4	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			200 v	60a（TC）	10V	21mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	2450 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXFT15N100Q3	19.7000	RFQ	20	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft15		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft15n100q3	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	15A（TC）	10V	1.05OHM @ 7.5A，10V	6.5V @ 4mA	64 NC @ 10 V	±30V	3250 pf @ 25 V	-	690W（TC）
IXFA76N15T2-TRL	3.8409	RFQ	7266	ixys	HiperFet™，Trencht2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA76		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa76n15t2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			150 v	76A（TC）	10V	22mohm @ 38a，10v	4.5V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	350W（TC）
DHG20C600PB	3.1500	RFQ	50	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	DHG20		标准				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	600 v	10a	2.37 V @ 10 A	35 ns	15 µA @ 600 V	-55°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²