SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
LSIC2SD120N80PA IXYS LSIC2SD120N80PA 81.6000
RFQ
 ECAD 6593 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 LSIC2SD120 SIC （碳化硅） SOT -227B -MiniBLOC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-LSIC2SD120N80PA Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 1200 v 75A（DC） 1.8 V @ 40 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MDMA1400C1600CC IXYS MDMA1400C1600CC 218.7567
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 ixys MDMA1400C1600CC 盒子 积极的 底盘安装 模块 MDMA1400 标准 组合 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDMA1400C1600CC Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1600 v 700a 1.14 V @ 700 A 500 µA @ 1600 V -40°C〜150°C
DMA80IM1600HB IXYS DMA80IM1600HB 7.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ixys DMA 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DMA80 标准 TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-DMA80IM1600HB Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.17 V @ 80 A 40 µA @ 1600 V -55°C〜150°C 80a 43pf @ 400V，1MHz
IXFX520N075T2 IXYS IXFX520N075T2 16.2400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX520 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 75 v 520a（TC） 10V 2.2MOHM @ 100A，10V 5V @ 8mA 545 NC @ 10 V ±20V 41000 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXTN210P10T IXYS IXTN210P10T 52.2500
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXTN210 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 P通道 100 v 210a（TC） 10V 7.5MOHM @ 105A，10V 4.5V @ 250µA 740 NC @ 10 V ±15V 69500 PF @ 25 V - 830W（TC）
IXTN120P20T IXYS IXTN120P20T 54.3500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXTN120 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 P通道 200 v 106a（TC） 10V 30mohm @ 60a，10v 4.5V @ 250µA 740 NC @ 10 V ±15V 73000 PF @ 25 V - 830W（TC）
IXGA48N60C3 IXYS IXGA48N60C3 -
RFQ
 ECAD 9687 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXGA48 标准 300 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，30a，3ohm，15V pt 600 v 75 a 250 a 2.5V @ 15V，30a 410µJ（在）上，230µJ（OFF） 77 NC 19NS/60NS
DSS10-01A IXYS DSS10-01A 1.6800
RFQ
 ECAD 1012 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 DSS10 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DSS1001A Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 840 mv @ 10 a 300 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 10a -
IXFH20N85X IXYS IXFH20N85X 10.4400
RFQ
 ECAD 2110 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH20 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 850 v 20A（TC） 10V 330mohm @ 500mA，10v 5.5V @ 2.5mA 63 NC @ 10 V ±30V 1660 pf @ 25 V - 540W（TC）
VUO110-18NO7 IXYS VUO110-18NO7 66.9520
RFQ
 ECAD 4664 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-E VUO110 标准 PWS-E 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5 1.13 V @ 50 A 100 µA @ 1800 V 127 a 三期 1.8 kV
IXKC19N60C5 IXYS IXKC19N60C5 -
RFQ
 ECAD 9236 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXKC19 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 19a（tc） 10V 125mohm @ 16a，10v 3.5V @ 1.1mA 70 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 100 V - -
IXFT12N100 IXYS IXFT12N100 -
RFQ
 ECAD 9445 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT12 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 12A（TC） 10V 1.05Ohm @ 6a，10v 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXTX46N50L IXYS ixtx46n50l 46.7100
RFQ
 ECAD 232 0.00000000 ixys 线性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 ixtx46 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 46A（TC） 20V 160MOHM @ 500mA，20V 6V @ 250µA 260 NC @ 15 V ±30V 7000 PF @ 25 V - 700W（TC）
MDD250-16N1 IXYS MDD250-16N1 -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y2-DCB MDD250 标准 Y2-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 290a 1.3 V @ 600 A 40 mA @ 1600 V -40°C〜150°C
N3229QK040 IXYS N3229QK040 -
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜140°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK N3229 WP2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N3229QK040 Ear99 8541.30.0080 12 1 a 400 v 6305 a 3 V 30800a @ 50Hz 300 MA 1.57 v 3229 a 100 ma 标准恢复
VUO110-08NO7 IXYS VUO110-08NO7 55.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-E VUO110 标准 PWS-E 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5 1.13 V @ 50 A 100 µA @ 800 V 127 a 三期 800 v
IXTA08N50D2 IXYS IXTA08N50D2 2.7700
RFQ
 ECAD 7464 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta08 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 800mA（TC） - 4.6ohm @ 400mA，0v - 12.7 NC @ 5 V ±20V 312 PF @ 25 V 耗尽模式 60W（TC）
IXYP30N120B4 IXYS IXYP30N120B4 14.5226
RFQ
 ECAD 5510 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-IXYP30N120B4 Ear99 8541.29.0095 50
MCC161-22IO1 IXYS MCC161-22IO1 137.9400
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Y4-M6 MCC161 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 150 ma 2.2 kV 300 a 2 v 6000a，6400a 150 ma 165 a 2 scr
MKE38P600TLB-TRR IXYS MKE38P600TLB-TRR -
RFQ
 ECAD 8430 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 - 表面安装 9-SMD模块 MKE38 - - ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
IXFX90N60X IXYS IXFX90N60X 18.3363
RFQ
 ECAD 6337 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX90 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 90A（TC） 10V 38mohm @ 45a，10v 4.5V @ 8mA 210 NC @ 10 V ±30V 8500 PF @ 25 V - 1100W（TC）
DSSK50-01A IXYS DSSK50-01A -
RFQ
 ECAD 8473 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSSK50 肖特基 TO-247AD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 25a 800 mv @ 25 A 1 mA @ 100 V -55°C 〜175°C
DSEP15-06A IXYS DSEP15-06A 2.6300
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 DSEP15 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DSEP1506A Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 2.04 V @ 15 A 35 ns 100 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 15a -
IXFK52N30Q IXYS IXFK52N30Q -
RFQ
 ECAD 8445 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK52 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 300 v 52A（TC） 10V 60mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 150 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFT20N80P IXYS IXFT20N80P -
RFQ
 ECAD 4391 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft20 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 20A（TC） 10V 520MOHM @ 10a，10v 5V @ 4mA 86 NC @ 10 V ±30V 4685 pf @ 25 V - 500W（TC）
IXTP08N50D2 IXYS IXTP08N50D2 2.4900
RFQ
 ECAD 8375 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp08 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 800mA（TC） - 4.6ohm @ 400mA，0v - 12.7 NC @ 5 V ±20V 312 PF @ 25 V 耗尽模式 60W（TC）
MDNA700P2200CC IXYS MDNA700P2200CC 266.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 模块 标准 组合 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-MDNA700P2200CC Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 2200 v 700a 1.14 V @ 700 A 500 µA @ 2200 V -40°C〜150°C
IXFK52N100X IXYS IXFK52N100X 36.3000
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK52 MOSFET （金属 o化物） TO-264 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 52A（TC） 10V 125mohm @ 26a，10v 6V @ 4mA 245 NC @ 10 V ±30V 6725 PF @ 25 V - 1250W（TC）
MKI80-06T6K IXYS MKI80-06T6K -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E1 MKI80 210 w 标准 E1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 完整的桥梁逆变器 沟 600 v 89 a 2.3V @ 15V，75a 500 µA 是的 4.62 NF @ 25 V
DGS9-030AS IXYS DGS9-030AS -
RFQ
 ECAD 4432 0.00000000 ixys - 管子 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DGS9 肖特基 TO-252AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 2 V @ 5 A 1.3 ma @ 300 V -55°C 〜175°C 11a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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