SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXFK24N100Q3 IXYS IXFK24N100Q3 28.9700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK24 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 24A（TC） 10V 440MOHM @ 12A，10V 6.5V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±30V 7200 PF @ 25 V - 1000W（TC）
VBO13-14AO2 IXYS VBO13-14AO2 -
RFQ
 ECAD 6365 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，fo-a VBO13 雪崩 fo-a 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 55 A 300 µA @ 1400 V 18 a 单相 1.4 kV
MWI50-12A7 IXYS MWI50-12A7 -
RFQ
 ECAD 6895 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 E2 MWI50 350 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 1200 v 85 a 2.7V @ 15V，50a 4 mA 不 3.3 NF @ 25 V
R1158NC26P IXYS R1158NC26P -
RFQ
 ECAD 2574 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 夹紧 TO-200AC，K-PUK R1158 W11 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-R1158NC26P Ear99 8541.30.0080 6 1 a 2.6 kV 2328 a 3 V 16000a @ 50Hz 300 MA 2.95 v 1158 a 100 ma 标准恢复
IXGA12N60CD1 IXYS IXGA12N60CD1 -
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 ixys HiperFast™，Lightspeed™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXGA12 标准 100 W TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 480V，12a，18onm，15v 35 ns - 600 v 24 a 48 a 2.7V @ 15V，12A 90µJ（离） 32 NC 20N/60N
IXFH26N55Q IXYS IXFH26N55Q -
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH26 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 550 v 26a（TC） 10V 230MOHM @ 13A，10V 4.5V @ 4mA 92 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 25 V - 375W（TC）
IXTA4N65X2 IXYS ixta4n65x2 3.0400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta4 MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 4A（TC） 10V 850MOHM @ 2A，10V 5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±30V 455 pf @ 25 V - 80W（TC）
DH2X60-18A IXYS DH2X60-18A 39.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DH2X60 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 1800 v 60a 2.01 V @ 60 A 230 ns 200 µA @ 1800 V -40°C〜150°C
IXGR32N60CD1 IXYS IXGR32N60CD1 -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixgr32 标准 140 w ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，32a，4.7Ohm，15V 25 ns - 600 v 45 a 120 a 2.7V @ 15V，32a 320µJ（离） 110 NC 25NS/85NS
K0900ME650 IXYS K0900me650 -
RFQ
 ECAD 5978 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 夹紧 TO-200AC，K-PUK K0900 W78 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-K0900me650 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 6.5 kV 1980 a 3 V 14000a @ 50Hz 300 MA 2.5 v 1010 a 150 ma 标准恢复
IXTY8N65X2 IXYS IXTY8N65X2 2.9800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty8 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -1402-ixty8n65x2 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 650 v 8A（TC） 10V 500MOHM @ 4A，10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXGN120N60A3D1 IXYS IXGN120N60A3D1 -
RFQ
 ECAD 8306 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXGN120 595 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 600 v 200 a 1.35V @ 15V，100A 650 µA 不 14.8 nf @ 25 V
IXFN80N50Q3 IXYS IXFN80N50Q3 54.4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN80 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfn80n50q3 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 63A（TC） 10V 65mohm @ 40a，10v 6.5V @ 8mA 200 NC @ 10 V ±30V 10000 PF @ 25 V - 780W（TC）
IXFK300N20X3 IXYS IXFK300N20X3 34.4000
RFQ
 ECAD 7596 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK300 MOSFET （金属 o化物） TO-264 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 300A（TC） 10V 4mohm @ 150a，10v 4.5V @ 8mA 375 NC @ 10 V ±20V 23800 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXFT30N85XHV IXYS IXFT30N85XHV 14.1200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft30 MOSFET （金属 o化物） TO-268（IXFT） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 850 v 30A（TC） 10V 220MOHM @ 500mA，10V 5.5V @ 2.5mA 68 NC @ 10 V ±30V 2460 pf @ 25 V - 695W（TC）
IXBX50N360HV IXYS IXBX50N360HV 70.6200
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXBX50 标准 660 w to-247plus-hv 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，50a，5ohm，15V 1.7 µs - 3600 v 125 a 420 a 2.9V @ 15V，50a - 210 NC 46NS/205NS
DSI35-08A IXYS DSI35-08A -
RFQ
 ECAD 2815 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 DSI35 标准 do-203ab 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.55 V @ 150 A 4 ma @ 800 V -40°C〜180°C 49a -
IXGX72N60B3H1 IXYS IXGX72N60B3H1 -
RFQ
 ECAD 4919 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXGX72 标准 540 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，50a，3ohm，15v 140 ns pt 600 v 75 a 450 a 1.8V @ 15V，60a 1.4mj（在）上，1MJ（1MJ） 225 NC 31ns/152ns
N3597ML060 IXYS N3597ML060 -
RFQ
 ECAD 6303 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜140°C 夹紧 TO-200AC，K-PUK N3597 WP5 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N3597ML060 Ear99 8541.30.0080 12 1 a 600 v 7030 a 3 V 50000A @ 50Hz 300 MA 1.53 v 3597 a 100 ma 标准恢复
MDI550-12A4 IXYS MDI550-12A4 -
RFQ
 ECAD 8737 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 150°C（TJ） 底盘安装 Y3-DCB MDI550 2750 w 标准 Y3-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 单身的 npt 1200 v 670 a 2.8V @ 15V，400A 21 ma 不 26 NF @ 25 V
IXTY15P15T IXYS IXTY15P15T 4.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty15 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 P通道 150 v 15A（TC） 10V 240MOHM @ 7A，10V 4.5V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±15V 3650 pf @ 25 V - 150W（TC）
VBO68-16NO7 IXYS VBO68-16NO7 19.8500
RFQ
 ECAD 1353 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC1 VBO68 标准 Eco-PAC1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 VBO6816NO7 Ear99 8541.10.0080 25 1.14 V @ 30 A 40 µA @ 1600 V 68 a 单相 1.6 kV
IXGP12N120A3 IXYS IXGP12N120A3 4.3200
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP12 标准 100 W TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 - pt 1200 v 22 a 60 a 3V @ 15V，12A - 20.4 NC -
DCG20C1200HR IXYS DCG20C1200HR -
RFQ
 ECAD 8149 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DCG20 肖特基 ISO247 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DCG20C1200HR Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1200 v 1.8 V @ 10 A 250 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 12.5a 755pf @ 0v，1MHz
IXTH75N10 IXYS IXTH75N10 11.1500
RFQ
 ECAD 3149 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth75 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXTH75N10-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 75A（TC） 10V 20mohm @ 37.5a，10v 4V @ 4mA 260 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFA36N55X2 IXYS IXFA36N55X2 1982年9月9日
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 - - - IXFA36 - - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa36n55x2 Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
IXFK94N50P2 IXYS IXFK94N50P2 21.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys HiperFet™，Polarp2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK94 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 94A（TC） 10V 55mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 220 NC @ 10 V ±30V 13700 PF @ 25 V - 1300W（TC）
R0830LC12C IXYS R0830LC12C -
RFQ
 ECAD 8369 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK R0830 W10 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-R0830LC12C Ear99 8541.30.0080 6 1 a 1.2 kV 1713 a 3 V 9350a @ 50Hz 300 MA 2.4 v 830 a 70 MA 标准恢复
IXTT16N20D2 IXYS IXTT16N20D2 13.7900
RFQ
 ECAD 8995 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXTT16 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 16A（TC） - 73mohm @ 8a，0v - 208 NC @ 5 V ±20V 5500 PF @ 25 V 耗尽模式 695W（TC）
IXXP12N65B4D1 IXYS IXXP12N65B4D1 2.8766
RFQ
 ECAD 4939 0.00000000 ixys XPT™，Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXXP12 标准 160 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，12a，20欧姆，15V 43 ns - 650 v 38 a 70 a 1.95V @ 15V，12A 440µJ（在）上，220µJ（（） 34 NC 13ns/158ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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