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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io（io） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXTA230N04T4 IXYS IXTA230N04T4 3.5176
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta230 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 230a（TC） 10V 2.9MOHM @ 115A，10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 V ±15V 7400 PF @ 25 V - 340W（TC）
IXTA34N65X2 IXYS ixta34n65x2 6.0894
RFQ
 ECAD 5021 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta34 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 34A（TC） 10V 96mohm @ 17a，10v 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 25 V - 540W（TC）
IXTP230N04T4 IXYS IXTP230N04T4 3.3066
RFQ
 ECAD 4496 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP230 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 230a（TC） 10V 2.9MOHM @ 115A，10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 V ±15V 7400 PF @ 25 V - 340W（TC）
IXXP50N60B3 IXYS IXXP50N60B3 7.6221
RFQ
 ECAD 2664 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXXP50 标准 600 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 360V，36a，5ohm，15V 40 ns - 600 v 120 a 200 a 1.8V @ 15V，36a 670µJ（在）（1.2MJ）上） 70 NC 27NS/150NS
IXYQ40N65C3D1 IXYS IXYQ40N65C3D1 -
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXYQ40 标准 300 w to-3p 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，10ohm，15V 40 ns - 650 v 80 a 180 a 2.35V @ 15V，40a 830µJ（在）上，650µJ（650µJ） 66 NC 23ns/110ns
T-TD1R4N60P 11 IXYS T-TD1R4N60P 11 -
RFQ
 ECAD 1217 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - - - - - - （1 （无限） T-TD1R4N60P11 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
IXGM25N100A IXYS IXGM25N100A -
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-204AE IXGM25 标准 200 w TO-204AE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 800V，25a，33ohm，15V 200 ns - 1000 v 50 a 100 a 4V @ 15V，25a （5MJ）） 180 NC 100NS/500NS
IXBT14N300HV IXYS IXBT14N300HV 49.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT14 标准 200 w TO-268HV（IXBT） - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Q10794009 Ear99 8541.29.0095 30 960V，14a，20欧姆，15V 1.4 µs - 3000 v 38 a 120 a 2.7V @ 15V，14a - 62 NC -
IXFH6N100F IXYS IXFH6N100F -
RFQ
 ECAD 6900 0.00000000 ixys hiperfet™，f类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH6 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 6A（TC） 10V 1.9OHM @ 3A，10V 5.5V @ 2.5mA 54 NC @ 10 V ±20V 1770 pf @ 25 V - 180W（TC）
IXYH24N170CV1 IXYS IXYH24N170CV1 17.5100
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixyh24 标准 500 w TO-247（IXYH） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V，24A，5OHM，15V 170 ns - 1700 v 58 a 140 a 4V @ 15V，24a 3.6mj（在）上，1.76mj Off） 96 NC 16ns/155ns
IXYH16N250CV1HV IXYS IXYH16N250CV1HV 31.9100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixyh16 标准 500 w TO-247（IXYH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，16A，10OHM，15V 19 ns - 2500 v 35 a 126 a 4V @ 15V，16a 4.75MJ（在）上，3.9MJ off） 97 NC 14NS/260NS
IXYH8N250CV1HV IXYS IXYH8N250CV1HV 24.7200
RFQ
 ECAD 7153 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYH8N250 标准 280 w TO-247（IXYH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，8a，15ohm，15V 5 ns - 2500 v 29 a 70 a 4V @ 15V，8a 2.6mj（在）上，1.07mj off） 45 NC 11NS/180NS
IXYX40N250CHV IXYS IXYX40N250CHV 53.0400
RFQ
 ECAD 277 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXYX40 标准 1500 w to-247plus-hv 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，40a，1ohm，15V - 2500 v 70 a 380 a 4V @ 15V，40a 11.7MJ（在）上，6.9MJ（（） 270 NC 21NS/200NS
IXBT32N300HV IXYS IXBT32N300HV 59.1017
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT32 标准 400 w TO-268HV（IXBT） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，32a，2ohm，15V 1500 ns - 3000 v 80 a 280 a 3.2V @ 15V，32a - 142 NC 50NS/160NS
IXFA26N30X3 IXYS IXFA26N30x3 4.9700
RFQ
 ECAD 4901 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA26 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 26a（TC） 10V 66mohm @ 13a，10v 4.5V @ 500µA 22 NC @ 10 V ±20V 1465 PF @ 25 V - 170W（TC）
IXFT50N30Q3 IXYS IXFT50N30Q3 15.3200
RFQ
 ECAD 5766 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft50 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixft50n30q3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 50A（TC） 10V 80Mohm @ 25a，10v 6.5V @ 4mA 65 NC @ 10 V ±20V 3165 PF @ 25 V - 690W（TC）
IXFK24N100Q3 IXYS IXFK24N100Q3 28.9700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK24 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 24A（TC） 10V 440MOHM @ 12A，10V 6.5V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±30V 7200 PF @ 25 V - 1000W（TC）
IXFA5N100P IXYS IXFA5N100P 4.0491
RFQ
 ECAD 2945 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA5N100 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 5A（TC） 10V 2.8ohm @ 2.5a，10v 6V @ 250µA 33.4 NC @ 10 V ±30V 1830 pf @ 25 V - 250W（TC）
IXGR55N120A3H1 IXYS IXGR55N120A3H1 15.9793
RFQ
 ECAD 1639年 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGR55 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，55a，3ohm，15V 200 ns pt 1200 v 70 a 330 a 2.35V @ 15V，55a 5.1mj（在）上，13.3mj off） 185 NC 23ns/365ns
IXTT12N150 IXYS IXTT12N150 17.0700
RFQ
 ECAD 2069 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt12 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1500 v 12A（TC） 10V 2ohm @ 6a，10v 4.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±30V 3720 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXTT440N055T2 IXYS IXTT440N055T2 15.4300
RFQ
 ECAD 2791 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXTT440 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixtt440n055t2 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 55 v 440a（TC） 10V 1.8mohm @ 100a，10v 4V @ 250µA 405 NC @ 10 V ±20V 25000 PF @ 25 V - 1000W（TC）
IXXH50N60B3 IXYS IXXH50N60B3 8.8916
RFQ
 ECAD 1530 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXXH50 标准 600 w TO-247AD（IXXH） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 360V，36a，5ohm，15V pt 600 v 120 a 200 a 1.8V @ 15V，36a 670µJ（在）上，740µJ（OFF） 70 NC 27n/100ns
VUE75-12NO7 IXYS VUE75-12NO7 21.2812
RFQ
 ECAD 7132 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC1 VUE75 标准 Eco-PAC1 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 2.71 V @ 30 A 250 µA @ 1200 V 74 a 三期 1.2 kV
IXGH25N100A IXYS IXGH25N100A -
RFQ
 ECAD 3923 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH25 标准 200 w TO-247AD 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 800V，25a，33ohm，15V - 1000 v 50 a 100 a 4V @ 15V，25a （5MJ）） 130 NC 100NS/500NS
MWI200-06A8 IXYS MWI200-06A8 -
RFQ
 ECAD 1826年 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 MWI200 675 w 标准 E3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q2725163 Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 npt 600 v 225 a 2.5V @ 15V，200a 1.8 ma 不 9 nf @ 25 V
IXTV30N50PS IXYS IXTV30N50PS -
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 加220SMD ixtv30 MOSFET （金属 o化物） 加220SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 30A（TC） 10V 200mohm @ 15a，10v 5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±30V 4150 PF @ 25 V - 460W（TC）
IXTI10N60P IXYS ixti10n60p -
RFQ
 ECAD 2539 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA ixti10 MOSFET （金属 o化物） TO-262（I2PAK） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10A（TC） 10V 740MOHM @ 5A，10V 5V @ 100µA 32 NC @ 10 V ±30V 1610 PF @ 25 V - 200W（TC）
IXFP10N60P IXYS IXFP10N60P 4.1400
RFQ
 ECAD 576 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP10 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10A（TC） 10V 740MOHM @ 5A，10V 5.5V @ 1mA 32 NC @ 10 V ±30V 1610 PF @ 25 V - 200W（TC）
IXFN64N60P IXYS IXFN64N60P 36.2800
RFQ
 ECAD 7808 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN64 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 600 v 50A（TC） 10V 96mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 200 NC @ 10 V ±30V 12000 PF @ 25 V - 700W（TC）
IXGH30N120C3H1 IXYS IXGH30N120C3H1 9.3597
RFQ
 ECAD 7200 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH30 标准 250 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，24A，5OHM，15V 70 ns pt 1200 v 48 a 115 a 4.2V @ 15V，24a 1.45MJ（在）上，470µJ off） 80 NC 18NS/106NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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