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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
VUO80-12NO1	32.3467	RFQ	9620	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v1-a	VUO80		标准			v1-a	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	24														1.14 V @ 30 A		40 µA @ 1200 V	82 a									三期	1.2 kV
MUBW75-12T8	-	RFQ	3386	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw75			355 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器																	沟	1200 v	110 a		2.15V @ 15V，75a						4 mA	是的	5.35 NF @ 25 V
IXFK30N100Q2	-	RFQ	4061	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK30		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	30A（TC）	10V	400mohm @ 15a，10v	5V @ 8mA	186 NC @ 10 V	±30V	8200 PF @ 25 V	-	735W（TC）
VUO28-08NO7	15.1996	RFQ	7877	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC1	VUO28		标准			Eco-PAC1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25														1.2 V @ 10 A		300 µA @ 800 V	28 a									三期	800 v
MIXA20WB1200TML	-	RFQ	1602	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	Mixa20			100 W	三相桥梁整流器	Minipack2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器																	pt	1200 v	28 a		2.1V @ 15V，16a						100 µA	是的
IXGN80N60A2	-	RFQ	2976	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixgn80			625 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																	-	600 v	160 a		1.35V @ 15V，80a						25 µA	不
IXSQ20N60B2D1	-	RFQ	9135	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXSQ20	标准		190 w		to-3p	下载		不适用	到达不受影响	IXSQ20N60B2D1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			-												30 ns			pt	600 v	35 a		2.5V @ 15V，16a	380µJ（OFF）	33 NC	30ns/116ns
IXTR48P20P	14.3800	RFQ	3979	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixtr48		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	30A（TC）	10V	93MOHM @ 24A，10V	4.5V @ 250µA	103 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	190w（TC）
VUO125-18NO7	-	RFQ	9600	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-C	VUO125		标准			PWS-C	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10														1.07 V @ 50 A		200 µA @ 1800 V	166 a									三期	1.8 kV
IXGP16N60C2	-	RFQ	9305	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP16	标准		150 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，12A，22OHM，15V															pt	600 v	40 a	100 a	3V @ 15V，12A	160µJ（在）（90µJ）上，OFF）	25 NC	16ns/75ns
IXSH25N120AU1	-	RFQ	8727	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH25	标准		200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，25a，18ohm，15V												60 ns			-	1200 v	50 a	80 a	4V @ 15V，25a	9.6MJ（（）	120 NC	100NS/450NS
IXGR40N60B	-	RFQ	1861年	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR40	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，4.7Ohm，15V															-	600 v	70 a	150 a	2.1V @ 15V，40a	2.7MJ（）	116 NC	25NS/180NS
IXGK400N30A3	26.0400	RFQ	21	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK400	标准		1000 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-															pt	300 v	400 a	1200 a	1.15V @ 15V，100a	-	560 NC	-
IXTK170P10P	21.4200	RFQ	1	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK170		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		P通道		100 v	170a（TC）	10V	12mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	240 NC @ 10 V	±20V	12600 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFN32N120P	73.4200	RFQ	9402	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN32		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfn32n120p	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1200 v	32A（TC）	10V	310MOHM @ 500mA，10V	6.5V @ 1mA	360 NC @ 10 V	±30V	21000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
IXFE44N50QD2	-	RFQ	8425	ixys	Hiperfet™，耗尽	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixfe44		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	39A（TC）	10V	120mohm @ 22a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXBA16N170AHV-TRL	42.1911	RFQ	8959	ixys	Bimosfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixba16	标准		150 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixba16n170ahv-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			1360v，10a，10ohm，15V												360 ns			-	1700 v	16 a	40 a	6V @ 15V，10a	1.2MJ（）	65 NC	15NS/160NS
IXXH50N60B3D1	12.7900	RFQ	2916	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXXH50	标准		600 w		TO-247AD（IXXH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，36a，5ohm，15V												25 ns			pt	600 v	120 a	200 a	1.8V @ 15V，36a	670µJ（在）上，740µJ（OFF）	70 NC	27n/100ns
IXTH21N50	7.7060	RFQ	3883	ixys	Megamos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth21		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	21a（TC）	10V	250mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
ixta160n075t	-	RFQ	9243	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta160		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	160a（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	4950 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTH120N20X4	10.4200	RFQ	3042	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH120		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-ixth120n20x4	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	120A（TC）	10V	9.5MOHM @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 25 V	-	417W（TC）
FUO50-16N	22.1800	RFQ	408	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	fuo50		标准			ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	FUO5016N	Ear99	8541.10.0080	25														1.15 V @ 15 A		20 µA @ 1600 V	50 a									三期	1.6 kV
ixtk88n30p	11.6268	RFQ	7073	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk88		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	88A（TC）	10V	40mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
VBO20-08NO2	-	RFQ	7223	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，fo-a	VBO20		标准			fo-a	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10														1.8 V @ 55 A		300 µA @ 800 V	31 a									单相	800 v
FMM60-02TF	18.8696	RFQ	3615	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMM60		MOSFET （金属 o化物）	125W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2 n 通道（双）			200V	33a		40mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	90NC @ 10V		3700pf @ 25V	-
IXTQ30N50P	-	RFQ	1152	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ30		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTT64N25P	7.2430	RFQ	1501	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt64		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	64A（TC）	10V	49mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	400W（TC）
IXFV96N15PS	-	RFQ	4344	ixys	Polarht™HiperFet™	盒子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV96		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXCP01N90E	-	RFQ	6347	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXCP01		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		900 v	250mA（tc）	10V	80ohm @ 50mA，10v	5V @ 25µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	133 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IXFV30N50P	-	RFQ	9055	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV30		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²