SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
CS19-12HO1C IXYS CS19-12HO1C -
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 ISOPLUS220™ CS19 ISOPLUS220™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 50 mA 1.2 kV 35 a 1.5 v 100a，105a 25 ma 1.65 v 13 a 1 MA 标准恢复
MDD220-08N1 IXYS MDD220-08N1 -
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y2-DCB MDD220 标准 Y2-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 270a 1.4 V @ 600 A 40 ma @ 800 V -40°C〜150°C
IXTH50N30 IXYS IXTH50N30 -
RFQ
 ECAD 9703 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth50 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 50A（TC） 10V 65mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 165 NC @ 10 V ±30V 4400 PF @ 25 V - 400W（TC）
N2825TJ400 IXYS N2825TJ400 -
RFQ
 ECAD 3013 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AF N2825 W81 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N2825TJ400 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 4 kV 5520 a 3 V 41000a @ 50Hz 300 MA 3.37 v 2825 a 250 MA 标准恢复
IXFN34N100 IXYS IXFN34N100 -
RFQ
 ECAD 8901 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN34 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 34A（TC） 10V 280MOHM @ 500mA，10V 5.5V @ 8mA 380 NC @ 10 V ±20V 9200 PF @ 25 V - 700W（TC）
VGO36-14IO7 IXYS VGO36-14IO7 -
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC1 VGO36 桥，单相-scrs/二极管（布局3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 100 ma 1.4 kV 1 V 320a，350a 65 ma 40 a 2 scr，2个二极管
VBE55-12NO7 IXYS VBE55-12NO7 19.9300
RFQ
 ECAD 1715年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC1 VBE55 标准 Eco-PAC1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 2.71 V @ 30 A 250 µA @ 1200 V 59 a 单相 1.2 kV
IXFT32N50Q IXYS IXFT32N50Q -
RFQ
 ECAD 3735 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft32 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） IXFT32N50Q-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 32A（TC） 10V 160mohm @ 16a，10v 4.5V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 4925 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFA72N30X3-TRL IXYS IXFA72N30x3-Trl 6.6640
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXFA72 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa72n30x3-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 300 v 72A（TC） 10V 19mohm @ 36a，10v 4.5V @ 1.5mA 82 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 390W（TC）
IXGH24N120C3H1 IXYS IXGH24N120C3H1 8.7748
RFQ
 ECAD 7480 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH24 标准 250 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，20A，5OHM，15V 70 ns pt 1200 v 48 a 96 a 4.2V @ 15V，20A 1.16mj（在）（470µJ）上） 79 NC 16ns/93ns
VBO130-18NO7 IXYS VBO130-18NO7 76.5320
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-E VBO130 标准 PWS-E 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5 1.65 V @ 300 A 300 µA @ 1800 V 122 a 单相 1.8 kV
VWO85-14IO1 IXYS VWO85-14IO1 -
RFQ
 ECAD 3390 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 模块 vwo 3 - scr 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1.4 kV 59 a 1.5 v 520a，560a 100 ma 27 a 6 scr
IXTR170P10P IXYS IXTR170P10P 23.5500
RFQ
 ECAD 830 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTR170 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 100 v 108a（TC） 10V 13mohm @ 85a，10v 4V @ 1mA 240 NC @ 10 V ±20V 12600 PF @ 25 V - 312W（TC）
IXSP20N60B2D1 IXYS IXSP20N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 7179 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXSP20 标准 190 w TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 IXSP20N60B2D1-NDR Ear99 8541.29.0095 50 480V，16a，10ohm，15V 30 ns pt 600 v 35 a 60 a 2.5V @ 15V，16a 380µJ（OFF） 33 NC 30ns/116ns
MDMA65P1600TG IXYS MDMA65P1600TG 28.6514
RFQ
 ECAD 8006 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 TO-240AA MDMA65 标准 TO-240AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 36 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 65a 1.18 V @ 65 A 100 µA @ 1600 V -40°C〜150°C
MCC19-16IO1B IXYS MCC19-16IO1B 28.8900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC19 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.6 kV 40 a 1.5 v 400a，420a 100 ma 25 a 2 scr
MDO500-22N1 IXYS MDO500-22N1 182.2700
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y1-CU MDO500 标准 Y1-CU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MDO50022N1 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2200 v 1.3 V @ 1200 A 30 ma @ 2200 V 560a 576pf @ 700V，1MHz
VWO36-16IO7 IXYS VWO36-16IO7 -
RFQ
 ECAD 2792 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 模块 VWO36 3 - scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1.6 kV 28 a 1 V 320a，350a 65 ma 18 a 6 scr
MIO600-65E11 IXYS MIO600-65E11 -
RFQ
 ECAD 3468 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E11 mio 标准 E11 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单个开关 npt 6500 v 600 a 4.2V @ 15V，600A 120 MA 不 150 nf @ 25 V
VTO175-16IO7 IXYS VTO175-16IO7 -
RFQ
 ECAD 7145 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 PWS-E2 VTO175 桥梁，三相 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 5 200 ma 1.6 kV 89 a 1.5 v 1500a，1600a 100 ma 167 a 6 scr
DH40-18A IXYS DH40-18A 9.4600
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 ixys Sonic-FRD™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DH40 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DH4018A Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1800 v 2.7 V @ 40 A 300 ns 100 µA @ 1800 V -40°C〜150°C 40a -
CS45-12IO1 IXYS CS45-12IO1 6.7400
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜140°C 通过洞 TO-247-3变体 CS45 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 CS4512IO1 Ear99 8541.30.0080 30 100 ma 1.2 kV 75 a 1.5 v 520a，560a 100 ma 1.64 v 48 a 5 ma 标准恢复
IXTH80N65X2 IXYS IXTH80N65X2 13.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth80 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 80A（TC） 10V 40MOHM @ 40a，10v 4.5V @ 4mA 144 NC @ 10 V ±30V 7753 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXTH50P10 IXYS IXTH50P10 11.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth50 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 606059 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 100 v 50A（TC） 10V 55mohm @ 25a，10v 5V @ 250µA 140 NC @ 10 V ±20V 4350 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXFN40N110Q3 IXYS IXFN40N110Q3 -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN40 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1100 v 35A（TC） 10V 260mohm @ 20a，10v 6.5V @ 8mA 300 NC @ 10 V ±30V 14000 PF @ 25 V - 960W（TC）
IXTA200N055T2-7 IXYS IXTA200N055T2-7 3.5880
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） ixta200 MOSFET （金属 o化物） TO-263-7（IXTA） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta200N055T2-7 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 200a（TC） 10V 4.2MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 109 NC @ 10 V ±20V 6970 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXUN280N10 IXYS IXUN280N10 -
RFQ
 ECAD 4556 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixun280 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 280a（TC） 10V 5mohm @ 140a，10v 4V @ 4mA 440 NC @ 10 V ±20V 18000 PF @ 25 V - 770W（TC）
IXFA26N30X3 IXYS IXFA26N30x3 4.9700
RFQ
 ECAD 4901 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXFA26 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 26a（TC） 10V 66mohm @ 13a，10v 4.5V @ 500µA 22 NC @ 10 V ±20V 1465 PF @ 25 V - 170W（TC）
IXFQ60N50P3 IXYS IXFQ60N503 10.5200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXFQ60 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 60a（TC） 10V 100mohm @ 30a，10v 5V @ 4mA 96 NC @ 10 V ±30V 6250 pf @ 25 V - 1040W（TC）
MIXG330PF1200PTSF IXYS MIXG330PF1200PTSF 157.0608
RFQ
 ECAD 8621 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - Mixg330 - - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MIXG330PF1200PTSF 24 - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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