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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压-峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
VBO78-08NO7	21.9420	RFQ	2215	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	VBO78		标准				Eco-PAC2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25																												1.14 V @ 40 A		100 µA @ 800 V		78 a										单相	800 v
IXBT32N300HV	59.1017	RFQ	8486	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT32	标准		400 w			TO-268HV（IXBT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					1250V，32a，2ohm，15V																								1500 ns					-	3000 v	80 a	280 a	3.2V @ 15V，32a	-	142 NC	50NS/160NS
IXGR55N120A3H1	15.9793	RFQ	1639年	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR55	标准		200 w			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					960V，55a，3ohm，15V																								200 ns					pt	1200 v	70 a	330 a	2.35V @ 15V，55a	5.1mj（在）上，13.3mj off）	185 NC	23ns/365ns
VUE75-12NO7	21.2812	RFQ	7132	ixys	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC1	VUE75		标准				Eco-PAC1	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25																												2.71 V @ 30 A		250 µA @ 1200 V		74 a										三期	1.2 kV
VBO125-12NO7	-	RFQ	8021	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-C	VBO125		标准				PWS-C	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10																												1.07 V @ 50 A		200 µA @ 1200 V		124 a										单相	1.2 kV
IXFP72N30x3	10.0500	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP72		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			300 v	72A（TC）	10V	19mohm @ 36a，10v	4.5V @ 1.5mA	82 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	390W（TC）
VBO21-08NO7	14.3268	RFQ	9305	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC1	VBO21		标准				Eco-PAC1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25																												1.2 V @ 10 A		10 µA @ 800 V		21 a										单相	800 v
IXFA3N80	-	RFQ	1743年	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixfa3		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			800 v	3.6A（TC）	10V	3.6ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±20V	685 pf @ 25 V	-	100W（TC）
ixtd4n80p-3j	-	RFQ	2688	ixys	Polarhv™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	ixtd4n		MOSFET （金属 o化物）				死	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			800 v	3.6A（TC）	10V	3.4OHM @ 1.8A，10V	5.5V @ 100µA	14.2 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXA20PG1200DHG-TUB	19.6670	RFQ	7887	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA20			130 w		标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥																																	pt	1200 v	32 a		2.1V @ 15V，15a						125 µA	不
IXGA30N120B3-TRL	5.3818	RFQ	8634	ixys	Genx3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXGA30	标准		300 w			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixga30n120b3-trltr	Ear99	8541.29.0095	800					960V，30a，5ohm，15V																								37 ns					pt	1200 v	60 a	150 a	3.5V @ 15V，30a	3.47MJ（在）上，2.16MJ off）	87 NC	16NS/127NS
IXYH16N170CV1	14.2600	RFQ	30	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh16	标准		310 w			TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					850V，16a，10ohm，15V																								150 ns					-	1700 v	40 a	100 a	3.8V @ 15V，16a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	56 NC	11NS/140NS
P0327WC12E	118.0500	RFQ	3574	ixys	-	盒子	不适合新设计	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AB，B-PUK	P0327						W8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-P0327WC12E	Ear99	8541.30.0080	24				600 MA												1.2 kV	670 a	3 V	3575a @ 50Hz	200 ma	2.17 v	330 a	30 ma	标准恢复
DPG30C400PB	3.1110	RFQ	5274	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	DPG30C400		标准				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	400 v	15a	1.39 V @ 15 A	45 ns	1 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C
IXFX140N60X3	1893年2月25日	RFQ	5279	ixys	-	管子	积极的				IXFX140							-				238-ixfx140n60x3			30
IXFN26N90	29.2860	RFQ	5958	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN26		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN26N90-NDR	Ear99	8541.29.0095	10			n通道			900 v	26a（TC）	10V	300MOHM @ 13A，10V	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	600W（TC）
VBO160-14NO7	-	RFQ	4604	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-E	VBO160		标准				PWS-E	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5																												1.43 V @ 300 A		300 µA @ 1400 V		174 a										单相	1.4 kV
IXFA7N80P	4.0000	RFQ	4694	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA7N80		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			800 v	7A（TC）	10V	1.44OHM @ 3.5A，10V	5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1890 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXFH36N55Q2	-	RFQ	9702	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH36		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			550 v	36a（TC）	10V	180mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXGH30N60B4	-	RFQ	9094	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		190 w			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，24a，10ohm，15V																													pt	600 v	66 a	156 a	1.7V @ 15V，24a	（440µJ）（在700µJ上）	77 NC	21NS/200NS
IXTH220N075T	-	RFQ	8771	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH220		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			75 v	220A（TC）	10V	4.5MOHM @ 25A，10V	4V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 25 V	-	480W（TC）
MDD72-14N1B	34.2844	RFQ	2821	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	TO-240AA	MDD72		标准				TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	36		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	1400 v	113a	1.6 V @ 300 A		15 ma @ 1400 V	-40°C〜150°C
IXTC130N15T	-	RFQ	1645年	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC130		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS220™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			150 v	-		-	-				-	-
ixtq22n50p	6.3000	RFQ	209	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq22		MOSFET （金属 o化物）				to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			500 v	22a（TC）	10V	270MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2630 PF @ 25 V	-	350W（TC）
IXT36N30T	-	RFQ	4597	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	ixtp36		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			300 v	36a（TC）		110MOHM @ 500mA，10V	-	70 NC @ 10 V		2250 pf @ 25 V	-	-
IXFP26N65x3	6.2394	RFQ	4428	ixys	-	管子	积极的				IXFP26							-				238-ixfp26n65x3			50
IXGH12N60C	-	RFQ	6037	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH12	标准		100 W			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					480V，12a，18onm，15v																													-	600 v	24 a	48 a	2.7V @ 15V，12A	90µJ（离）	32 NC	20N/60N
DSSK18-0025B	-	RFQ	2474	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	DSSK18		肖特基				TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	350		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	25 v	10a	450 MV @ 10 A		10 mA @ 25 V	-55°C〜150°C
IXDH30N120	-	RFQ	1148	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXDH30	标准		300 w			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					600V，30a，47ohm，15V																													npt	1200 v	60 a	76 a	2.9V @ 15V，30a	4.6mj（在）上，3.4MJ off）	120 NC	-
MCK550-16IO1	-	RFQ	1824年	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					普通阴极 -scr			-	rohs3符合条件			238-MCK550-16IO1	Ear99	8541.30.0080	1				1 a												1.6 kV	1318 a	3 V	18000a，19800a	300 MA		550 a											2 scr

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²