SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXFN210N30X3 IXYS IXFN210N30x3 48.2200
RFQ
 ECAD 369 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN210 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 300 v 210a（TC） 10V 4.6mohm @ 105a，10v 4.5V @ 8mA 375 NC @ 10 V ±20V 24200 PF @ 25 V - 695W（TC）
N3597ML040 IXYS N3597ML040 -
RFQ
 ECAD 9609 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜140°C 夹紧 TO-200AC，K-PUK N3597 WP5 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N3597ML040 Ear99 8541.30.0080 12 1 a 400 v 7030 a 3 V 50000A @ 50Hz 300 MA 1.53 v 3597 a 100 ma 标准恢复
VUO50-08NO3 IXYS VUO50-08NO3 -
RFQ
 ECAD 4114 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 fo-fb VUO50 标准 fo-fb 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.9 V @ 150 A 300 µA @ 800 V 58 a 三期 800 v
STS802U2SRP IXYS STS802U2SRP 2.8300
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 ixys sts 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 独立 -scrs 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-STS802U2SRPCT Ear99 8541.30.0080 2,500 3 ma 800 v 0.6 a 800 mv 20a，24a 100 µA 2 scr
IXFP12N65X2 IXYS IXFP12N65x2 4.1400
RFQ
 ECAD 293 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP12 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 12A（TC） 10V 310MOHM @ 6A，10V 5V @ 250µA 18.5 NC @ 10 V ±30V 1134 PF @ 25 V - 180W（TC）
MDNA300P2200PT-PC IXYS MDNA300P2200PT-PC 168.0783
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - MDNA300 - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDNA300P2200PT-PC Ear99 8541.30.0080 24 - -
IXBH6N170 IXYS IXBH6N170 11.9900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXBH6 标准 75 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.08 µs - 1700 v 12 a 36 a 3.4V @ 15V，6A - 17 NC -
IXFH26N60Q IXYS IXFH26N60Q -
RFQ
 ECAD 2231 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH26 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 不适用 IXFH26N60Q-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 26a（TC） 10V 250MOHM @ 13A，10V 4.5V @ 4mA 200 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 25 V - 360W（TC）
DSA30C45HB IXYS DSA30C45HB -
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSA30C45 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 15a 740 mv @ 15 A 300 NA @ 45 V -55°C 〜175°C
IXFR130N65X3 IXYS IXFR130N65X3 40.3760
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFR130 - 238-ixfr130n65x3 30
IXFH120N20P IXYS IXFH120N20P 12.5700
RFQ
 ECAD 8173 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH120 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 120A（TC） 10V 22mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 152 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 714W（TC）
IXDN55N120D1 IXYS IXDN55N120D1 37.5500
RFQ
 ECAD 3026 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXDN55 450 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 npt 1200 v 100 a 2.8V @ 15V，55a 3.8 ma 不 3.3 NF @ 25 V
IXGT25N160 IXYS IXGT25N160 -
RFQ
 ECAD 5412 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT25 标准 300 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - npt 1600 v 75 a 200 a 4.7V @ 20v，100a - 84 NC -
IXFK120N20P IXYS IXFK120N20P 13.4900
RFQ
 ECAD 4550 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK120 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 120A（TC） 10V 22mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 152 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 714W（TC）
IXTA05N100-TRL IXYS ixta05n100-trl 3.1142
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta05 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta05n100-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 1000 v 750mA（TC） 10V 17ohm @ 375mA，10v 4.5V @ 250µA 7.8 NC @ 10 V ±30V 260 pf @ 25 V - 40W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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