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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
MCMA50PD1600TB	28.8939	RFQ	9755	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCMA50				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				100 ma													1.6 kV	79 a	1.5 v	800a，865a	78 MA		50 a												1 sc，1二极管
IXFN110N85X	65.6500	RFQ	3170	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN110		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			850 v	110A（TC）	10V	33mohm @ 55a，10v	5.5V @ 8mA	425 NC @ 10 V	±30V	17000 PF @ 25 V	-	1170W（TC）
IXGH50N90B2	7.3082	RFQ	1484	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH50	标准		400 w			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					720V，50a，5ohm，15V																															pt	900 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，50a	4.7MJ（）	135 NC	20N/350N
IXFH26N50Q	-	RFQ	7832	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			500 v	26a（TC）	10V	200mohm @ 13a，10v	4.5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MCC19-16IO8B	24.0864	RFQ	5383	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCC19				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				200 ma													1.6 kV	40 a	1.5 v	400a，420a	100 ma		25 a												2 scr
IXTV280N055T	-	RFQ	4529	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv280		MOSFET （金属 o化物）				加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	280a（TC）	10V	3.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9800 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IXFH4N100Q	-	RFQ	3313	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH4		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 2a，10v	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	150W（TC）
DSEP2X61-03A	35.1300	RFQ	10	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DSEP2X61		标准				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								2独立	300 v	60a	1.68 V @ 60 A	30 ns	650 µA @ 300 V	-40°C〜150°C
DSEP60-06A	8.3200	RFQ	30	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DSEP60		标准				TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSEP6006A	Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									600 v		2.04 V @ 60 A	35 ns	650 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	60a	-
IXYP15N65B3D1	-	RFQ	9467	ixys	-	管子	积极的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP15N65B3D1	Ear99	8541.29.0095	50
MCC700-18IO1W	-	RFQ	9976	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	WC-500	MCC700				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1																	1.8 kV	1331 a		18200 @ 50MHz			700 a												2 scr
ixtp32n20t	-	RFQ	7247	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp32		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			200 v	32A（TC）	10V	72MOHM @ 16a，10v	4.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1760 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXTH98N20T	-	RFQ	1874年	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth98		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			200 v	98A（TC）		-	-				-	-
DSEI2X61-06C	29.0800	RFQ	698	ixys	弗雷德	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DSEI2x61		标准				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								2独立	600 v	60a	1.8 V @ 60 A	50 ns	200 µA @ 600 V	-40°C〜150°C
VTOF70-12IO7	-	RFQ	9585	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	fo-ta	VTOF70				桥梁，三相 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				200 ma													1.2 kV		1.5 v	550a，600a	100 ma		70 a												6 scr
IXFB80N50Q2	26.3288	RFQ	1432	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB80		MOSFET （金属 o化物）				加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			500 v	80A（TC）	10V	60mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	15000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFX73N30Q	-	RFQ	3410	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX73		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			300 v	73A（TC）	10V	45mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	195 NC @ 10 V	±30V	5400 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFH22N60P	7.0187	RFQ	3490	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH22		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	22a（TC）	10V	350MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 4mA	58 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
CS19-08HO1S-TUB	3.4100	RFQ	74	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	CS19						TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50				50 mA													800 v	31 a	1.5 v	180a，195a	28 ma	1.32 v	20 a	50 µA	标准恢复
IXFN80N50P	36.1900	RFQ	7813	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN80		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			500 v	66A（TC）	10V	65mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±30V	12700 PF @ 25 V	-	700W（TC）
MUBW15-06A6K	-	RFQ	5033	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw15			75 w		三相桥梁整流器	E1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器																																			npt	600 v	19 a		2.9V @ 15V，15a				600 µA	是的	600 pf @ 25 V
ixtp2n60p	-	RFQ	9046	ixys	Polar™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp2		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	2A（TC）	10V	5.1OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	240 pf @ 25 V	-	55W（TC）
MCC700-22IO1W	-	RFQ	8710	ixys	-	托盘	过时的	-	底盘安装	WC-500	MCC700				系列连接 -scr			-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1																	2.2 kV	1331 a		18200 @ 50MHz			700 a												2 scr
MCD700-18IO1W	-	RFQ	2062	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	WC-500	MCD700				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1																	1.8 kV	1331 a		18200 @ 50MHz			700 a												1 sc，1二极管
CLA80MT1200NHR	13.5500	RFQ	8560	ixys	DT-TRIAC™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	CLA80						ISO247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	30	单身的			70 MA												标准	1.2 kV	88 a	1.7 v	480a，520a	70 MA
MEK250-12DA	82.6600	RFQ	43	ixys	弗雷德	盒子	积极的		底盘安装	Y4-M6	MEK250		标准				Y4-M6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1对普通阴极	1200 v	260a	1.8 V @ 260 A	500 ns	12 ma @ 1200 V	-40°C〜150°C
IXTU05N100	-	RFQ	3761	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ixtu05		MOSFET （金属 o化物）				TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			1000 v	750mA（TC）	10V	17ohm @ 375mA，10v	4.5V @ 250µA	7.8 NC @ 10 V	±30V	260 pf @ 25 V	-	40W（TC）
GWM100-01X1-SLSAM	-	RFQ	8881	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM100		MOSFET （金属 o化物）	-			ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）					100V	90a		8.5MOHM @ 80A，10V	4.5V @ 250µA	90NC @ 10V		-	-
DLA10IM800UC-TRL	1.0346	RFQ	2311	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DLA10		标准				TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									800 v		1.1 V @ 10 A		10 µA @ 800 V	-55°C 〜175°C	10a	-
IXFC24N50Q	-	RFQ	1270	ixys	Hiperfet™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC24N50		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1			n通道			500 v	21a（TC）	10V	230mohm @ 10.5a，10v	4V @ 4mA	135 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	230W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²