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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXTH1N170DHV	16.6800	RFQ	9876	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixth1		MOSFET （金属 o化物）			TO-247HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			1700 v	1A（TJ）	0V	16ohm @ 500mA，0v	4.5V @ 250µA	47 NC @ 5 V	±20V	3090 pf @ 25 V	耗尽模式	290W（TC）
IXFK32N60	-	RFQ	2082	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道			600 v	32A（TC）	10V	250mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	325 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
MCD44-08IO8B	23.9164	RFQ	3650	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCD44				系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36			200 ma												800 v	80 a	1.5 v	1150a，1230a	100 ma	51 a								1 sc，1二极管
MCD95-18IO1B	42.2900	RFQ	72	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCD95				系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36			200 ma												1.8 kV	180 a	2.5 v	2250a，2400a	150 ma	116 a								1 sc，1二极管
MCC312-12IO1	171.9100	RFQ	3	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	Y1-CU	MCC312				系列连接 -scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-MCC312-12IO1	Ear99	8541.30.0080	3			150 ma												1.2 kV	520 a	2 v	9200A，10100A	150 ma	320 a								2 scr
MCD44-18IO8B	28.6997	RFQ	2406	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCD44				系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36			200 ma												1.8 kV	80 a	1.5 v	1150a，1230a	100 ma	51 a								1 sc，1二极管
VW2X30-16IO1	-	RFQ	8486	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	VW2X30				2相控制器 -所有scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10			200 ma												1.6 kV	22 a	1.5 v	200a，210a	100 ma	14 a								4 sc
VHF55-14IO7	-	RFQ	2360	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	fo-ta	VHF55				桥，单相-scr/二极管（布局1）		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10			200 ma												1.4 kV		1.5 v	550a，600a	100 ma	53 a								2 scr，2个二极管
IXFC96N15P	-	RFQ	5599	ixys	Polarht™HiperFet™	盒子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC96N15		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			150 v	42A（TC）	10V	26mohm @ 48a，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	120W（TC）
IXTP1N100	2.8555	RFQ	2656	ixys	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp1		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			1000 v	1.5A（TC）	10V	11ohm @ 1A，10V	4.5V @ 25µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	400 pf @ 25 V	-	54W（TC）
VWO140-16IO1	-	RFQ	9833	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	VWO140				3 - scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6			200 ma												1.6 kV	101 a	1.5 v	1150a，1240a	100 ma	46 a								6 scr
DNA90YC2200NA	37.1560	RFQ	6061	ixys	DNA90YC2200NA	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DNA90YC2200		标准			SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DNA90YC2200NA	Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				2对普通阴极	2200 v	90a	1.7 V @ 90 A		100 µA @ 2200 V	-40°C〜150°C
MCD700-20IO1W	-	RFQ	9663	ixys	-	托盘	过时的	-	底盘安装	WC-500	MCD700				系列连接 -SCR/二极管		-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1															2 kV	1331 a		18200 @ 50MHz		700 a								1 sc，1二极管
MCD95-16IO1B	41.2900	RFQ	2	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCD95				系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCD9516IO1B	Ear99	8541.30.0080	36			200 ma												1.6 kV	180 a	2.5 v	2250a，2400a	150 ma	116 a								1 sc，1二极管
VW2X45-08IO1	-	RFQ	7125	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	VW2X45				2相控制器 -所有scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10			200 ma												800 v	32 a	1.5 v	300a，320a	100 ma	20 a								4 sc
IXFK32N100Q3	33.8900	RFQ	5356	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道			1000 v	32A（TC）	10V	320MOHM @ 16a，10v	6.5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±30V	9940 pf @ 25 V	-	1250W（TC）
MCO600-22IO1	249.4600	RFQ	6583	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	Y1-CU	MCO600				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCO60022IO1	Ear99	8541.30.0080	2			300 MA												2.2 kV	928 a	2 v	15000a，16000a	300 MA	600 a								1 scr
MCC132-12IO1	66.7800	RFQ	4259	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Y4-M6	MCC132				系列连接 -scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCC13212IO1	Ear99	8541.30.0080	6			200 ma												1.2 kV	300 a	2.5 v	4750a，5080a	150 ma	130 a								2 scr
MCC170-16IO1	-	RFQ	2626	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜130°C（TJ）	底盘安装	Y1-CU	MCC170				系列连接 -scr		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4			150 ma												1.6 kV	350 a	2 v	5400A，5800A	150 ma	203 a								2 scr
IXYH10N170C	11.7500	RFQ	1	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh10	标准		280 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				850V，10a，10ohm，15V																					17 ns				-	1700 v	36 a	84 a	3.8V @ 15V，10a	1.4MJ（在）上，700µJ（OFF）	46 NC	14NS/130NS
IXTH10N100D	18.3497	RFQ	9649	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth10		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			1000 v	10A（TC）	10V	1.4ohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	耗尽模式	400W（TC）
VCA105-18IO7	-	RFQ	2475	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	VCA105				普通阳极 -scrs		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25			200 ma												1.8 kV	180 a	1.5 v	2250a，2400a	150 ma	105 a								2 scr
VVZB120-16IOX	90.0700	RFQ	6123	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v2-pak	VVZB120				桥梁，三相 -scrs/diodes -igbt与二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6			200 ma												1.6 kV		1.5 v	700a，755a	95 MA									3 scr，3个二极管
MCD501-18IO1	-	RFQ	7023	ixys	-	托盘	过时的	125°C（TJ）	底盘安装	WC-501	MCD501				系列连接 -SCR/二极管		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1															1.8 kV			-										1 sc，1二极管
IXFN73N30	17.7985	RFQ	8050	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN73		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN73N30-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道			300 v	73A（TC）	10V	45mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
DSSS35-008AR	-	RFQ	6925	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-247-3	DSSS35		肖特基			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对系列连接	80 V	35a	790 mv @ 35 a		4 mA @ 80 V	-55°C 〜175°C
MCD132-12IO1	60.2367	RFQ	8840	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Y4	MCD132				系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6			200 ma												1.2 kV	300 a	2.5 v	4750a，5080a	150 ma	130 a								1 sc，1二极管
IXFH150N20T	19.7900	RFQ	30	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH150		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			200 v	150a（TC）	10V	15mohm @ 75a，10v	5V @ 4mA	177 NC @ 10 V	±20V	11700 PF @ 25 V	-	890W（TC）
MMO140-08IO7	-	RFQ	6364	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	MMO				1相控制器 -scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25			200 ma												800 v	90 a	1.5 v	1150a，1230a	100 ma	58 a								2 scr
IXTP76P10T	6.3300	RFQ	10	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP76		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	621165	Ear99	8541.29.0095	50		P通道			100 v	76A（TC）	10V	25mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	197 nc @ 10 V	±15V	13700 PF @ 25 V	-	298W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²