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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 结构 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | ((av)(av)) | 当前 -关闭状态(最大) | scr | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | SCR,二极管的数量 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MCD72-12IO8B | 36.9100 | ![]() | 36 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | TO-240AA | MCD72 | 系列连接 -SCR/二极管 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -MCD72-12IO8B | Ear99 | 8541.30.0080 | 36 | 200 ma | 1.2 kV | 180 a | 2.5 v | 1700a,1800a | 150 ma | 115 a | 1 sc,1二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTT1N100 | - | ![]() | 5797 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | ixtt1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1000 v | 1.5A(TC) | 10V | 11ohm @ 1A,10V | 4.5V @ 25µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 480 pf @ 25 V | - | 60W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VDI130-06P1 | - | ![]() | 4150 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Eco-PAC2 | vdi | 379 w | 标准 | Eco-PAC2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 单身的 | npt | 600 v | 121 a | 2.9V @ 15V,130a | 1.2 ma | 是的 | 4.2 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK48N50Q | - | ![]() | 8518 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q类 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFK48 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264AA(IXFK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 48A(TC) | 10V | 100mohm @ 24a,10v | 4V @ 4mA | 190 NC @ 10 V | ±20V | 7000 PF @ 25 V | - | 500W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
DSSK80-0008D | - | ![]() | 7055 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | DSSK80 | 肖特基 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 8 V | 40a | 340 mv @ 40 a | 200 ma @ 8 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GWM220-004P3-SMD SAM | - | ![]() | 6011 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 17-SMD,鸥翼 | GWM220 | MOSFET (金属 o化物) | - | ISOPLUS-DIL™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道(3相桥) | 40V | 180a | - | 4V @ 1mA | 94NC @ 10V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VGF0136AB | 55.3500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | VGF0136 | ((() | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 2800 v | 1.5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCC224-24IO1 | 280.6567 | ![]() | 8956 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MCC224 | 系列连接 -scr | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 150 ma | 2.4 kV | 400 a | 2 v | 8000a,8500a | 150 ma | 240 a | 2 scr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFP130N15X3 | 9.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X3 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXFP130 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixfp130n15x3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 150 v | 130a(TC) | 10V | 9mohm @ 65a,10v | 4.5V @ 1.5mA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 5230 PF @ 25 V | - | 390W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HTZ250G39K | - | ![]() | 7676 | 0.00000000 | ixys | HTZ250G | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | HTZ250 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 39200 v | 2.7a | 32 V @ 12 A | 500 µA @ 39200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK48N50 | 27.1000 | ![]() | 820 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFK48 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264AA(IXFK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | IXFK48N50-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 48A(TC) | 10V | 100mohm @ 24a,10v | 4V @ 8mA | 270 NC @ 10 V | ±20V | 8400 PF @ 25 V | - | 500W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTQ30N60L2 | 19.3700 | ![]() | 6629 | 0.00000000 | ixys | 线性l2™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXTQ30 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 30A(TC) | 10V | 240mohm @ 15a,10v | 4.5V @ 250µA | 335 NC @ 10 V | ±20V | 10700 PF @ 25 V | - | 540W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH40N30Q | - | ![]() | 1537年 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | IXFH40N30Q-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 300 v | 40a(TC) | 10V | 80Mohm @ 500mA,10V | 4V @ 4mA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 3100 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
MDD312-16N1 | 156.4300 | ![]() | 5515 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | Y1-CU | MDD312 | 标准 | Y1-CU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MDD31216N1 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 310a | 1.32 V @ 600 A | 30 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixtp4n80p | 2.8600 | ![]() | 9547 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ixtp4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 3.6A(TC) | 10V | 3.4ohm @ 500mA,10v | 5.5V @ 100µA | 14.2 NC @ 10 V | ±30V | 750 pf @ 25 V | - | 100W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
DSSK38-0025bs-trl | - | ![]() | 4693 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | DSSK38 | 肖特基 | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 25 v | 20a | 480 mv @ 20 a | 20 ma @ 25 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DHG40C600HB | 7.0600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | DHG40 | 标准 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 20a | 2.31 V @ 20 A | 35 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS20-22MOF1 | 42.2300 | ![]() | 145 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | I4-PAC™-5 (3个线索) | CS20 | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | CS2022MOF1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 25 | 150 ma | 2.2 kV | 2.3 v | 200a @ 50Hz | 250 MA | 1.5 v | 18 a | 50 µA | 标准恢复 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VHF28-12IO5 | - | ![]() | 3084 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | fo-fa | VHF28 | 桥,单相-scr/二极管(布局1) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 100 ma | 1.2 kV | 1 V | 300A,330a | 65 ma | 28 a | 2 scr,2个二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSA70C150HB | - | ![]() | 9964 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | DSA70C150 | 肖特基 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 35a | 900 mV @ 35 A | 680 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH32N50 | - | ![]() | 8634 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH32 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | IXFH32N50-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 32A(TC) | 10V | 150mohm @ 15a,10v | 4V @ 4mA | 300 NC @ 10 V | ±20V | 5700 PF @ 25 V | - | 360W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCMA50PD1200TB | 26.3689 | ![]() | 2573 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 底盘安装 | TO-240AA | MCMA50 | 系列连接 -SCR/二极管 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 36 | 100 ma | 1.2 kV | 79 a | 1.5 v | 800a,865a | 78 MA | 50 a | 1 sc,1二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DSEP15-03A | - | ![]() | 6427 | 0.00000000 | ixys | Hiperfred™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | DSEP15 | 标准 | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 350 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.68 V @ 15 A | 30 ns | 100 µA @ 300 V | -55°C 〜175°C | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MEK350-02DA | 73.7400 | ![]() | 547 | 0.00000000 | ixys | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | Y4-M6 | MEK350 | 标准 | Y4-M6 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 356a | 1.07 V @ 260 A | 200 ns | 3 ma @ 200 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFV18N90PS | - | ![]() | 7131 | 0.00000000 | ixys | HiperFet™,Polarp2™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 加220SMD | IXFV18 | MOSFET (金属 o化物) | 加220SMD | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 900 v | 18A(TC) | 10V | 600mohm @ 500mA,10v | 6.5V @ 1mA | 97 NC @ 10 V | ±30V | 5230 PF @ 25 V | - | 540W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDD950-18N1W | - | ![]() | 3354 | 0.00000000 | ixys | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | MDD950 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1800 v | 950a | 880 mv @ 500 A | 18 µs | 50 ma @ 1800 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDC501-14IO1 | - | ![]() | 2642 | 0.00000000 | ixys | - | 托盘 | 过时的 | - | 底盘安装 | WC-500 | MDC501 | 系列连接 -SCR/二极管 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 1.4 kV | - | 1 sc,1二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMO75-12IO1 | - | ![]() | 2721 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MMO | 1相控制器 -scr | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 20 | 100 ma | 1.2 kV | 65 a | 1.5 v | 1150a,1230a | 150 ma | 41 a | 2 scr | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VKF55-14IO7 | - | ![]() | 8006 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | fo-ta | VKF55 | 桥,单相 -scr | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 ma | 1.4 kV | 1.5 v | 550a,600a | 100 ma | 53 a | 4 sc | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH10N90 | - | ![]() | 4630 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | IXFH10N90-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 900 v | 10A(TC) | 10V | 1.1OHM @ 5A,10V | 4.5V @ 4mA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 4200 PF @ 25 V | - | 300W(TC) |
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