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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXFK170N20P	21.6072	RFQ	4960	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK170		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			200 v	170a（TC）	10V	14mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	185 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXTH13N80	-	RFQ	3850	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth13		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			800 v	13A（TC）	10V	800mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
VTO70-12IO7	-	RFQ	1592年	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	fo-ta	VTO				桥梁，三相 -scr		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				200 ma												1.2 kV		1.5 v	550a，600a	100 ma		70 a												6 scr
IXFK64N60Q3	39.2300	RFQ	25	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK64		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			600 v	64A（TC）	10V	95mohm @ 32a，10v	6.5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±30V	9930 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXGH12N100	-	RFQ	9648	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH12	标准		100 W		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					800V，12a，120ohm，15V																														-	1000 v	24 a	48 a	3.5V @ 15V，12A	2.5MJ（）	65 NC	100NS/850NS
MKE38RK600DFEL-TUB	27.6610	RFQ	3084	ixys	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	MKE38		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			n通道			600 v	50A（TC）	10V	45mohm @ 44a，10v	3.5V @ 3mA	190 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	-
GMM3X60-015x2-SMD	-	RFQ	9428	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	ISOPLUS-DIL™	GMM3x60		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	13	6 n通道（3相桥）					150V	50a		24mohm @ 38a，10v	4.5V @ 1mA	97NC @ 10V		5800pf @ 25V	-
ixta2n100	5.4170	RFQ	3440	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta2		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			1000 v	2A（TC）	10V	7ohm @ 1a，10v	4.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	825 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXFJ15N100Q	-	RFQ	6847	ixys	-	管子	过时的				IXFJ15						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30							-
MDO500-14N1	152.1350	RFQ	2353	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	Y1-CU	MDO500		标准			Y1-CU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								1400 v		1.3 V @ 1200 A		30 ma @ 1400 V		560a	762pf @ 400V，1MHz
MCC161-20IO1	131.8000	RFQ	11	ixys	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Y4-M6	MCC161				系列连接 -scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q3359423	Ear99	8541.30.0080	6				150 ma												2 kV	300 a	2 v	6000a，6400a	150 ma		165 a												2 scr
IXTA98N075T	-	RFQ	7937	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta98		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			75 v	98A（TC）	10V	-	4V @ 100µA		±20V		-	230W（TC）
DSEC29-06AC	7.9200	RFQ	7026	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	ISOPLUS220™	DSEC29		标准			ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	600 v	15a	2.03 V @ 15 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
DSB1I40SA	-	RFQ	2386	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	do-214ac，SMA	DSB1I40		肖特基			DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								40 V		480 mv @ 1 A		100 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	-
VWO60-14IO7	-	RFQ	6981	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	VWO60				3 - scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				200 ma												1.4 kV	43 a	1.5 v	550a，600a	100 ma		27 a												6 scr
IXTA220N075T	-	RFQ	7694	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta220		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			75 v	220A（TC）	10V	4.5MOHM @ 25A，10V	4V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 25 V	-	480W（TC）
MCD26-08IO8B	24.9200	RFQ	16	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCD26				系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-MCD26-08IO8B	Ear99	8541.30.0080	36				200 ma												800 v	50 a	1.5 v	520a，560a	100 ma		32 a												1 sc，1二极管
DSSK70-008AR	-	RFQ	9952	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-247-3	DSSK70		肖特基			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSSK70008AR	Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	80 V	35a	760 MV @ 35 A		4 mA @ 80 V	-55°C 〜175°C
MCO500-18IO1	187.1000	RFQ	2	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	Y1-CU	MCO500				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCO50018IO1	Ear99	8541.30.0080	2				300 MA												1.8 kV	880 a	2 v	17000a，16000a	300 MA		560 a												1 scr
DSEI2X161-06P	44.6308	RFQ	3571	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	Eco-PAC2	DSEI2X161		标准			Eco-PAC2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							2独立	600 v	147a	1.45 V @ 200 A	35 ns	12 ma @ 600 V
DSEC30-06B	5.7900	RFQ	30	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	DSEC30		标准			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	600 v	15a	2.58 V @ 15 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
IXFP20N85X	8.4800	RFQ	5896	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP20		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			850 v	20A（TC）	10V	330mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 2.5mA	63 NC @ 10 V	±30V	1660 pf @ 25 V	-	540W（TC）
CS23-16IO2	-	RFQ	2994	ixys	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘，螺柱坐骑	TO-208AA，TO-48-3，螺柱	CS23					TO-208AA（TO-48）	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				100 ma												1.6 kV	50 a	2.5 v	450a，480a	50 mA	1.8 v	32 a	3 ma	标准恢复
MDMA50P1200TG	23.7219	RFQ	3622	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	TO-240AA	MDMA50		标准			TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	36		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	1200 v	50a	1.18 V @ 50 A		100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C
DPG20C300PN	2.2500	RFQ	110	ixys	Hiperfred²™	管子	积极的		通过洞	TO-220-3完整包	DPG20C300		标准			TO-220ABFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	300 v	10a	1.27 V @ 10 A	35 ns	1 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C
IXGH30N120B3	54.6882	RFQ	3771	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		300 w		TO-247AD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixgh30n120b3	Ear99	8541.29.0095	30					960V，30a，5ohm，15V																								37 ns						pt	1200 v	60 a	150 a	3.5V @ 15V，30a	3.47MJ（在）上，2.16MJ off）	87 NC	16NS/127NS
IXTN200N10L2	51.8300	RFQ	1	ixys	线性l2™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN200		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			100 v	178a（TC）	10V	11mohm @ 100a，10v	4.5V @ 3mA	540 NC @ 10 V	±20V	23000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXTH5N100A	-	RFQ	4446	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth5		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	5A（TC）	10V	2ohm @ 2.5a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	180W（TC）
MDD172-08N1	52.5800	RFQ	5	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	Y4-M6	MDD172		标准			Y4-M6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	800 v	190a	1.15 V @ 300 A		20 ma @ 800 V	-40°C〜150°C
IXFH15N80Q	12.8787	RFQ	3437	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH15		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			800 v	15A（TC）	10V	600MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²