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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
CS20-12IO1	6.0900	RFQ	6583	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜125°C	通过洞	TO-247-3	CS20					TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	30				100 ma											1.2 kV	30 a	1 V	200a，215a	65 ma	2.1 v	19 a	2 ma	标准恢复
DSAI35-12A	-	RFQ	7067	ixys	-	盒子	过时的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	DSAI35	雪崩				do-203ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1200 v		1.55 V @ 150 A		4 ma @ 1200 V	-40°C〜180°C	49a	-
IXFH150N15P	12.5700	RFQ	168	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH150	MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh150n15p	Ear99	8541.29.0095	30			n通道		150 v	150a（TC）	10V	13mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	714W（TC）
DSSK30-01A	-	RFQ	6095	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	DSSK30	肖特基				TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	100 v	15a	780 mv @ 15 A		500 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
DSI30-08A	2.7300	RFQ	5	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	DSI30	标准				TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSI3008A	Ear99	8541.10.0080	50		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							800 v		1.29 V @ 30 A		40 µA @ 800 V	-40°C〜175°C	30a	10pf @ 400V，1MHz
IXFX52N60Q2	-	RFQ	8212	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX52	MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		600 v	52A（TC）	10V	115mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	198 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	735W（TC）
IXFP12N65x2	4.1400	RFQ	293	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP12	MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	12A（TC）	10V	310MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	18.5 NC @ 10 V	±30V	1134 PF @ 25 V	-	180W（TC）
Mixa10wb1200	68.1200	RFQ	8098	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	Mixa10		60 W		三相桥梁整流器	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器																																	pt	1200 v	17 a	2.1V @ 15V，9A	700 µA	是的
MDD142-14N1	54.6267	RFQ	2450	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	Y4-M6	MDD142	标准				Y4-M6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1对系列连接	1400 v	165a	1.3 V @ 300 A		20 ma @ 1400 V	-40°C〜150°C
IXTT500N04T2	13.5933	RFQ	1432	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT500	MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		40 V	500A（TC）	10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 250µA	405 NC @ 10 V	±20V	25000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
VWO140-16IO1	-	RFQ	9833	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	VWO140			3 - scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6				200 ma											1.6 kV	101 a	1.5 v	1150a，1240a	100 ma		46 a												6 scr
IXTP20N65XM	7.8840	RFQ	1018	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp20	MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	9A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1390 pf @ 25 V	-	63W（TC）
IXTP90N055T	-	RFQ	3608	ixys	TRENCHT2™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp90	MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		55 v	90A（TC）	10V	8.8mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	61 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	176W（TC）
IXFA130N10T2	5.6500	RFQ	22	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA130	MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1MOHM @ 65A，10V	4.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFA22N65X2	5.9400	RFQ	288	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA22	MOSFET （金属 o化物）				TO-263HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	22a（TC）	10V	160mohm @ 11a，10v	5.5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2310 PF @ 25 V	-	390W（TC）
MCA550-16IO1	-	RFQ	8555	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				普通阳极 -scrs			-	rohs3符合条件			238-MCA550-16IO1	Ear99	8541.30.0080	1				1 a											1.6 kV	1318 a	3 V	18000a，19800a	300 MA		550 a												2 scr
MCC26-16IO8B	27.0975	RFQ	4894	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCC26			系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				200 ma											1.6 kV	50 a	1.5 v	520a，560a	100 ma		32 a												2 scr
MDD600-20N1	-	RFQ	9605	ixys	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	MDD600	标准				模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1对系列连接	2000 v	883a	880 mv @ 500 A	18 µs	50 mA @ 2000 V	-40°C〜150°C
IXFH52N50P2	2000年12月12日	RFQ	7488	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH52	MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		500 v	52A（TC）	10V	120mohm @ 26a，10v	4.5V @ 4mA	113 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	960W（TC）
ixtx1r4n450hv	71.7900	RFQ	118	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx1	MOSFET （金属 o化物）				to-247plus-hv	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtx1r4n450hv	Ear99	8541.29.0095	30			n通道		4500 v	1.4A（TC）	10V	40 ohm @ 50mA，10v	6V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	960W（TC）
MCD501-16IO2	-	RFQ	3216	ixys	-	盒子	在sic中停产	125°C（TJ）	底盘安装	模块	MCD501			系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4															1.6 kV			14500a @ 50Hz															1 sc，1二极管
MUBW20-06A7	-	RFQ	7382	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	mubw20		125 w		三相桥梁整流器	E2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器																																	npt	600 v	35 a	2.3V @ 15V，20A	600 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
HTZ270H64K	-	RFQ	9663	ixys	htz270h	盒子	过时的		底盘安装	模块	HTZ270	标准				模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1对系列连接	64000 v	3.4a	46 V @ 12 A		500 µA @ 64000 V
IXFK150N10	-	RFQ	4455	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK150	MOSFET （金属 o化物）				TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道		100 v	150a（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFH75N10	10.7410	RFQ	4003	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH75	MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH75N10-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			n通道		100 v	75A（TC）	10V	20mohm @ 37.5a，10v	4V @ 4mA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
VVZ175-12IO7	98.2720	RFQ	8897	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	PWS-E2	VVZ175			桥梁，三相-scr/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5				200 ma											1.2 kV	89 a	1.5 v	1500a，1600a	100 ma		167 a												3 scr，3个二极管
DSP8-08AS-TUB	3.4100	RFQ	5	ixys	-	管子	积极的		表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	DSP8	标准				TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1对系列连接	800 v	11a	1.15 V @ 7 A		5 µA @ 800 V	-55°C 〜175°C
VCC105-08IO7	-	RFQ	6357	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	VCC105			系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25				200 ma											800 v	180 a	1.5 v	2250a，2400a	150 ma		105 a												2 scr
IXTA24P085T	2.8200	RFQ	5	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta24	MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道		85 v	24A（TC）	10V	65mohm @ 12a，10v	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±15V	2090 pf @ 25 V	-	83W（TC）
MCK600-22IO1W	-	RFQ	1815年	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				普通阴极 -scr			-	rohs3符合条件			238-MCK600-22IO1W	Ear99	8541.30.0080	1				1 a											2.2 kV	1116 a	3 V	16500a，18200a	300 MA		710 a												2 scr

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²