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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
ixta1n100p	2.9100	RFQ	42	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixta1n100p	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						1000 v	1A（TC）	10V	15ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	331 PF @ 25 V	-	50W（TC）
MCD72-12IO8B	36.9100	RFQ	36	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA		MCD72				系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-MCD72-12IO8B	Ear99	8541.30.0080	36				200 ma																1.2 kV	180 a	2.5 v	1700a，1800a	150 ma	115 a										1 sc，1二极管
IXGP30N120B3	8.0800	RFQ	3256	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IXGP30	标准		300 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					960V，30a，5ohm，15V																															pt	1200 v	60 a	150 a	3.5V @ 15V，30a	3.47MJ（在）上，2.16MJ off）	87 NC	16NS/127NS
IXFC80N10	-	RFQ	4290	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™		IXFC80N10		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	80A（TC）	10V	12.5MOHM @ 40a，10V	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXFA16N50P-TRL	3.2699	RFQ	9537	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IXFA16		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa16n50p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道						500 v	16A（TC）	10V	400mohm @ 8a，10v	5.5V @ 2.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	2480 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTY50N085T	-	RFQ	7183	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		ixty5		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						85 v	50A（TC）	10V	23mohm @ 25a，10v	4V @ 25µA	34 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	130W（TC）
CMA60MT1600NHR	10.1697	RFQ	8114	ixys	DT-TRIAC™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		CMA60					ISO247	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-CMA60MT1600NHR	Ear99	8541.30.0080	30	单身的			60 ma															标准	1.6 kV	66 a	1.3 v	260a，280a	80 ma
IXTP100N04T2	2.7900	RFQ	9952	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		ixtp100		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						40 V	100A（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	25.5 NC @ 10 V	±20V	2690 pf @ 25 V	-	150W（TC）
ixtu06n120p	-	RFQ	7357	ixys	极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		ixtu06		MOSFET （金属 o化物）			TO-251AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						1200 v	600mA（TC）		-	-				-	-
DSEP2X25-12C	30.1500	RFQ	10	ixys	Hiperdynfred™	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		DSEP2X25		标准			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSEP2X2512C	Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								2独立	1200 v	25a	4.71 V @ 25 A	15 ns	250 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C
IXFP12N50P	4.1800	RFQ	7539	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IXFP12		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp12n50p	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	12A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	5.5V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	200W（TC）
W1975MC650	-	RFQ	2883	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	do-200 ac，k-puk		W1975		标准			W54	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W1975MC650	Ear99	8541.10.0080	12		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									6500 v		3.95 V @ 4200 A	45 µs	100 ma @ 6500 V	-40°C〜150°C	1975a	-
IXFX120N20	15.3847	RFQ	4820	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体		IXFX120		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						200 v	120A（TC）	10V	17mohm @ 60a，10v	4V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXIDM1403_1515_O	-	RFQ	8451	ixys	-	托盘	过时的		表面安装	模块	IGBT	IXIDM1403						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	IXIDM1403 1515 o	Ear99	8542.39.0001	1	半桥					30 a	15 v	4000VDC
DSA80C45HB	-	RFQ	2303	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3		DSA80C45		肖特基			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1对普通阴极	45 v	40a	780 mv @ 40 a		680 µA @ 45 V	-55°C 〜175°C
DFE25I600HA	3.5187	RFQ	2389	ixys	DFE25I600HA	管子	积极的		通过洞	TO-247-2		DFE25		标准			TO-247	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DFE25I600HA	Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								-	600 v	25a	1.4 V @ 25 A	50 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
IXFH60N20	-	RFQ	6245	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IXFH60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						200 v	60a（TC）	10V	33mohm @ 30a，10v	4V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFN27N80	30.3770	RFQ	5080	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		IXFN27		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道						800 v	27a（TC）	10V，15V	300MOHM @ 13.5A，10V	4.5V @ 8mA	400 NC @ 10 V	±20V	9740 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXFR44N50Q	21.7400	RFQ	2665	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IXFR44		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						500 v	34A（TC）	10V	120mohm @ 22a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	310W（TC）
IXFH44N50P	11.8500	RFQ	827	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IXFH44		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						500 v	44A（TC）	10V	140mohm @ 22a，10v	5V @ 4mA	98 NC @ 10 V	±30V	5440 pf @ 25 V	-	658W（TC）
IXFH48N60X3	10.6000	RFQ	195	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IXFH48		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfh48n60x3	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						600 v	48A（TC）	10V	65MOHM @ 24A，10V	5V @ 2.5mA	38 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXTH86N20T	6.4897	RFQ	1635年	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3		ixth86		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						200 v	86A（TC）		-	-				-	-
VVZB120-16IOX	90.0700	RFQ	6123	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v2-pak		VVZB120				桥梁，三相 -scrs/diodes -igbt与二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6				200 ma																1.6 kV		1.5 v	700a，755a	95 MA											3 scr，3个二极管
ixtp32p05t	2.7700	RFQ	5	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		ixtp32		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道						50 V	32A（TC）	10V	39mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±15V	1975 pf @ 25 V	-	83W（TC）
MDD950-18N1W	-	RFQ	3354	ixys	-	托盘	过时的		底盘安装	模块		MDD950		标准			模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								1对系列连接	1800 v	950a	880 mv @ 500 A	18 µs	50 ma @ 1800 V	-40°C〜150°C
MDC501-14IO1	-	RFQ	2642	ixys	-	托盘	过时的	-	底盘安装	WC-500		MDC501				系列连接 -SCR/二极管		-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1																				1.4 kV			-												1 sc，1二极管
IXTH11P50	11.2600	RFQ	5288	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		ixth11		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXTH11P50-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			P通道						500 v	11A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MCMA50PD1200TB	26.3689	RFQ	2573	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA		MCMA50				系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				100 ma																1.2 kV	79 a	1.5 v	800a，865a	78 MA	50 a										1 sc，1二极管
DSEC60-02AQ	-	RFQ	8361	ixys	弗雷德	管子	过时的		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		DSEC60		标准			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	90		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1对普通阴极	200 v	30a	1.2 V @ 30 A	25 ns	3 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
M0955JK250	-	RFQ	4417	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	DO-200AB，B-PUK		M0955		标准			W113	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-M0955JK250	Ear99	8541.10.0080	12		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									2500 v		1.44 V @ 1000 A	3.4 µs		-	1105a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²