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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
VBO19-08NO7	-	RFQ	7325	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Slim-Pac	VBO19		标准				Slim-Pac	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25																									1.12 V @ 7 A		300 µA @ 800 V		21 a											单相	800 v
DS1-12D	-	RFQ	9622	ixys	-	盒子	过时的		通过洞	径向	DS1		标准				-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1200 v		1.3 V @ 7 A		700 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	2.3a	-
DSEP6-06AS-TRL	2.5000	RFQ	4	ixys	Hiperfred™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DSEP6		标准				TO-252AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					600 v		2.02 V @ 6 A	20 ns	50 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	6a	-
IXTQ62N25T	-	RFQ	6083	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq62		MOSFET （金属 o化物）				to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			250 v	62A（TC）		-	-				-	-
VBO125-08NO7	-	RFQ	8337	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-C	VBO125		标准				PWS-C	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10																									1.07 V @ 50 A		200 µA @ 800 V		124 a											单相	800 v
DSS60-0045B	-	RFQ	2959	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DSS60		肖特基				TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSS600045B	Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					45 v		600 mv @ 60 a		10 mA @ 45 V	-55°C〜150°C	60a	-
ixtp8n70x2	4.2700	RFQ	28	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp8		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp8n70x2	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			700 v	8A（TC）	10V	500mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	800 pf @ 10 V	-	150W（TC）
MCNA120P2200TA	58.5950	RFQ	1346	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCNA120				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				150 ma												2.2 kV	190 a	1.5 v	2200a，2380a	100 ma	120 a										2 scr
DSDI60-14A	12.7300	RFQ	56	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DSDI60		标准				TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1400 v		4.1 V @ 70 A	300 ns	2 ma @ 1400 V	-40°C〜150°C	63a	-
IXFT40N85XHV	11.9465	RFQ	1796年	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT40		MOSFET （金属 o化物）				TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			850 v	40a（TC）	10V	145mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 4mA	98 NC @ 10 V	±30V	3700 PF @ 25 V	-	860W（TC）
ixft1874 tr	-	RFQ	9385	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				IXFT1874							-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000							-
IXTA86N20X4	11.8200	RFQ	4	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta86		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta86n20x4	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			200 v	86A（TC）	10V	13mohm @ 43a，10v	4.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXGX100N170	39.8540	RFQ	6958	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX100	标准		830 w			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					-																											npt	1700 v	170 a	600 a	3V @ 15V，100a	-	425 NC	-
htz130b38k	-	RFQ	1132	ixys	htz130b	盒子	过时的		底盘安装	模块	htz130		标准				模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1对系列连接	38000 v	1a	24 V @ 2 A		500 µA @ 38000 V
IXFH26N100X	19.7800	RFQ	5621	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26		MOSFET （金属 o化物）				TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	26a（TC）	10V	320MOHM @ 13A，10V	6V @ 4mA	113 NC @ 10 V	±30V	3290 pf @ 25 V	-	860W（TC）
DSEI2X101-12P	31.6132	RFQ	1049	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	Eco-PAC2	DSEI2X101		标准				Eco-PAC2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				2独立	1200 v	91a	1.87 V @ 100 A	60 ns	3 ma @ 1200 V	-40°C〜150°C
ixtp42n25p	5.0200	RFQ	299	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp42		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			250 v	42A（TC）	10V	84mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTH48N65X2	10.5700	RFQ	590	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth48		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	632407	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			650 v	48A（TC）	10V	68mohm @ 24A，10V	4.5V @ 4mA	77 NC @ 10 V	±30V	4420 PF @ 25 V	-	660W（TC）
IXTP20N65X2	5.0500	RFQ	279	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp20		MOSFET （金属 o化物）				TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	238-ixtp20n65x2	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	20A（TC）	10V	185mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IXTN8N150L	53.8500	RFQ	160	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn8		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			1500 v	7.5A（TC）	20V	3.6OHM @ 4A，20V	8V @ 250µA	250 NC @ 15 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	545W（TC）
IXFH14N60P	6.0900	RFQ	28	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH14		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 2.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
VUO22-14NO1	-	RFQ	8038	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v1-a	VUO22		标准				v1-a	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	24																									1.19 V @ 10 A		10 µA @ 1400 V		25 a											三期	1.4 kV
IXBT32N300HV	59.1017	RFQ	8486	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT32	标准		400 w			TO-268HV（IXBT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					1250V，32a，2ohm，15V																					1500 ns						-	3000 v	80 a	280 a	3.2V @ 15V，32a	-	142 NC	50NS/160NS
IXGR55N120A3H1	15.9793	RFQ	1639年	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR55	标准		200 w			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					960V，55a，3ohm，15V																					200 ns						pt	1200 v	70 a	330 a	2.35V @ 15V，55a	5.1mj（在）上，13.3mj off）	185 NC	23ns/365ns
VUE75-12NO7	21.2812	RFQ	7132	ixys	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC1	VUE75		标准				Eco-PAC1	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25																									2.71 V @ 30 A		250 µA @ 1200 V		74 a											三期	1.2 kV
VBO125-12NO7	-	RFQ	8021	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-C	VBO125		标准				PWS-C	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10																									1.07 V @ 50 A		200 µA @ 1200 V		124 a											单相	1.2 kV
IXFP72N30x3	10.0500	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP72		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			300 v	72A（TC）	10V	19mohm @ 36a，10v	4.5V @ 1.5mA	82 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXFA3N80	-	RFQ	1743年	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixfa3		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			800 v	3.6A（TC）	10V	3.6ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±20V	685 pf @ 25 V	-	100W（TC）
ixtd4n80p-3j	-	RFQ	2688	ixys	Polarhv™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	ixtd4n		MOSFET （金属 o化物）				死	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			800 v	3.6A（TC）	10V	3.4OHM @ 1.8A，10V	5.5V @ 100µA	14.2 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXA20PG1200DHG-TUB	19.6670	RFQ	7887	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA20			130 w		标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥																															pt	1200 v	32 a		2.1V @ 15V，15a						125 µA	不

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²