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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTH5N100A	-	RFQ	4446	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth5	MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		1000 v	5A（TC）	10V	2ohm @ 2.5a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXTP08N100P	2.9100	RFQ	287	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp08	MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		1000 v	800mA（TC）	10V	20ohm @ 500mA，10v	4V @ 50µA	11.3 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IXFX73N30Q	-	RFQ	3410	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX73	MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		300 v	73A（TC）	10V	45mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	195 NC @ 10 V	±30V	5400 PF @ 25 V	-	500W（TC）
ixtp2n60p	-	RFQ	9046	ixys	Polar™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp2	MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	2A（TC）	10V	5.1OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	240 pf @ 25 V	-	55W（TC）
VTOF70-12IO7	-	RFQ	9585	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	fo-ta	VTOF70			桥梁，三相 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				200 MA											1.2 kV		1.5 v	550a，600a	100 ma		70 a												6 scr
IXFH22N60P	7.0187	RFQ	3490	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH22	MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		600 v	22a（TC）	10V	350MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 4mA	58 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFN80N50P	36.1900	RFQ	7813	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN80	MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道		500 v	66A（TC）	10V	65mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±30V	12700 PF @ 25 V	-	700W（TC）
MUBW15-06A6K	-	RFQ	5033	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw15		75 w		三相桥梁整流器	E1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器																																	npt	600 v	19 a	2.9V @ 15V，15a	600 µA	是的	600 pf @ 25 V
UGE0421AY4	75.8500	RFQ	9761	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	uge	UGE0421	标准				uge	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							3200 v		2.72 V @ 55 A		2 ma @ 3200 V		22.9a	-
MCO500-14IO1	166.6700	RFQ	2	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	Y1-CU	MCO500			单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA											1.4 kV	880 a	2 v	17000a，16000a	300 MA		560 a												1 scr
MCC224-24IO1	280.6567	RFQ	8956	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	模块	MCC224			系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				150 ma											2.4 kV	400 a	2 v	8000a，8500a	150 ma		240 a												2 scr
VHF28-16IO5	-	RFQ	8758	ixys	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	X118	VHF28			桥，单相-scr/二极管（布局1）			-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				100 ma											1.6 kV		1 V	300A，330a	65 ma		28 a												2 scr，2个二极管
SJ6012D1TP	2.1600	RFQ	750	ixys	SJXX12XX	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SJ6012					TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-SJ6012D1TP	Ear99	8541.30.0080	750				15 ma											600 v	12 a	1.5 v	100a，120a	6 ma	1.6 v	7.6 a	10 µA	标准恢复
MUBW45-12T6K	-	RFQ	4431	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw45		160 w		三相桥梁整流器	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器																																	沟	1200 v	43 a	3.1V @ 15V，45a	1.25 MA	是的	1.81 NF @ 25 V
MCC700-22IO1W	-	RFQ	8710	ixys	-	托盘	过时的	-	底盘安装	WC-500	MCC700			系列连接 -scr			-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1															2.2 kV	1331 a		18200 @ 50MHz			700 a												2 scr
IXFC24N50Q	-	RFQ	1270	ixys	Hiperfet™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC24N50	MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1			n通道		500 v	21a（TC）	10V	230mohm @ 10.5a，10v	4V @ 4mA	135 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	230W（TC）
DFE25I600HA	3.5187	RFQ	2389	ixys	DFE25I600HA	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DFE25	标准				TO-247	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DFE25I600HA	Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						-	600 v	25a	1.4 V @ 25 A	50 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
VKO55-08IO7	-	RFQ	6525	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	fo-ta	VKO55			桥，单相 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				200 MA											800 v		1.5 v	550a，600a	100 ma		53 a												4 sc
IXTU05N120	-	RFQ	7859	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）				TO-251AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		1200 v	500mA（TC）		-	-				-	-
W0642WC200	-	RFQ	9798	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	DO-200AB，A-PUK	W0642	标准				W1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W0642WC200	Ear99	8541.10.0080	24		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							2000 v		2.37 V @ 1900 A	15 µs	15 ma @ 2000 V	-40°C〜180°C	642a	-
ixta2n80	-	RFQ	5922	ixys	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta2	MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		800 v	2A（TC）	10V	6.2OHM @ 500mA，10V	5.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IXTV120N15T	-	RFQ	4128	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv120	MOSFET （金属 o化物）				加220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		150 v	120A（TC）		-	-				-	-
IXFN102N30P	29.5200	RFQ	1665年	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN102	MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道		300 v	88A（TC）	10V	33mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	224 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXFQ50N60P3	10.4200	RFQ	6	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ50	MOSFET （金属 o化物）				to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		600 v	50A（TC）	10V	145mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	94 NC @ 10 V	±30V	6300 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
W1411LC360	-	RFQ	5917	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	DO-200AB，B-PUK	W1411	标准				W4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W1411LC360	Ear99	8541.10.0080	12		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							3600 v		2 V @ 2870 A		30 ma @ 3600 V	-55°C〜160°C	1411a	-
IXFH75N10Q	-	RFQ	4374	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH75	MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			n通道		100 v	75A（TC）	10V	20mohm @ 37.5a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	3700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH36N50P	11.0100	RFQ	248	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH36	MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		500 v	36a（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	93 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
ixtp1r6n50p	-	RFQ	1984	ixys	极性	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp1	MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		500 v	1.6A（TC）	10V	6.5OHM @ 500mA，10V	5.5V @ 25µA	3.9 NC @ 10 V	±30V	140 pf @ 25 V	-	43W（TC）
ixta160n085t	-	RFQ	6784	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta160	MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		85 v	160a（TC）	10V	6mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	164 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	360W（TC）
MCD700-18IO1W	-	RFQ	2062	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	WC-500	MCD700			系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1															1.8 kV	1331 a		18200 @ 50MHz			700 a												1 sc，1二极管

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²