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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
dpg60c300pc-tub	6.2400	RFQ	4969	ixys	DPG60C300PC	管子	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DPG60C300		标准				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	238-DPG60C300PC-TUB	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	300 v	30a	1.35 V @ 30 A	35 ns	1 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C
DSB1I60SA	-	RFQ	3612	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	do-214ac，SMA	DSB1I60		肖特基				DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					60 V		580 mv @ 1 a		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	-
IXTT52N30P	6.0063	RFQ	6022	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT52		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			300 v	52A（TC）	10V	66mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3490 pf @ 25 V	-	400W（TC）
ixtp28n15p	-	RFQ	9289	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	ixtp28		-				-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			-				-	-	-	-		-		-	-
IXTT82N25P	11.0100	RFQ	254	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT82		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			250 v	82A（TC）	10V	35mohm @ 41A，10V	5V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFC80N08	-	RFQ	1556年	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC80N08		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			80 V	80A（TC）	10V	11mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXFD28N50Q-72	-	RFQ	9227	ixys	-	大部分	过时的				IXFD28N50Q							-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1							-
VBO45-08NO7	-	RFQ	6592	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	fo-ta	VBO45		标准				fo-ta	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10																									1.7 V @ 150 A		500 µA @ 800 V		45 a											单相	800 v
W6672TJ350	-	RFQ	2290	ixys	-	盒子	在sic中停产		底盘安装	TO-200AF	W6672		标准				TO-200AF	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W6672TJ350	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1900 v		1.37 V @ 5000 A	52 µs	100 ma @ 1900 V	-40°C〜160°C	6672a	-
ixtp48n20tm	3.0954	RFQ	8960	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp48		MOSFET （金属 o化物）				TO-220隔离选项卡	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtp48n20tm	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			200 v	48A（TC）	10V	50MOHM @ 24A，10V	4.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	3090 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXTT96N15P	8.4900	RFQ	321	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt96		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			150 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXBF10N300C	-	RFQ	4165	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF10	标准		240 w			ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					1500V，10a，10ohm，15V																					700 ns						-	3000 v	29 a	240 a	6V @ 15V，10a	7.2mj（在）（1.04MJ）上）	208 NC	32NS/390NS
MCK600-22IO1W	-	RFQ	1815年	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					普通阴极 -scr			-	rohs3符合条件			238-MCK600-22IO1W	Ear99	8541.30.0080	1				1 a												2.2 kV	1116 a	3 V	16500a，18200a	300 MA	710 a										2 scr
MIO2400-17E10	-	RFQ	3509	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E10	mio					标准	E10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																															npt	1700 v	2400 a		2.6V @ 15V，2400a						120 MA	不	230 NF @ 25 V
DSSK28-01A	-	RFQ	6071	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	DSSK28		肖特基				TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	150		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	100 v	15a	820 MV @ 15 A		500 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
ixta1n100	4.3400	RFQ	152	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			1000 v	1.5A（TC）	10V	11ohm @ 1A，10V	4.5V @ 25µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	400 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IXKC25N80C	-	RFQ	9404	ixys	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC25		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			800 v	25A（TC）	10V	150MOHM @ 18A，10V	4V @ 2mA	180 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 25 V	-	-
CLA110MB1200NA	25.0300	RFQ	6	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	SOT-227-4，迷你布洛克	CLA110				1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				100 ma												1.2 kV	110 a	1.5 v	1100a，1190a	40 MA	50 a										2 scr
IXFH26N60Q	-	RFQ	2231	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载		不适用		IXFH26N60Q-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	26a（TC）	10V	250MOHM @ 13A，10V	4.5V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	360W（TC）
DPG30I300PA	3.0100	RFQ	2021	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	DPG30I300		标准				TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					300 v		1.35 V @ 30 A	35 ns	1 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C	30a	-
IXGT50N60C2	-	RFQ	1849年	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT50	标准		400 w			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					480V，40a，2ohm，15V																											pt	600 v	75 a	300 a	2.7V @ 15V，40a	380µJ（OFF）	138 NC	18NS/115NS
DMA80I1600HA	5.4600	RFQ	2	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DMA80		标准				TO-247	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-DMA80I1600HA	Ear99	8541.10.0080	30		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1600 v		1.17 V @ 80 A		40 µA @ 1600 V	-55°C 〜175°C	80a	43pf @ 400V，1MHz
VW2X60-12IO1	34.9871	RFQ	6202	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	VW2X60				2相控制器 -所有scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	24				200 ma												1.2 kV	43 a	1.5 v	520a，560a	100 ma	27 a										4 sc
IXXH100N60B3	16.2600	RFQ	2965	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH100	标准		830 w			TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					360V，70a，2ohm，15V																											pt	600 v	220 a	480 a	1.8V @ 15V，70a	1.9MJ（在），2MJ（2MJ）中	143 NC	30NS/120NS
htz120a44k	-	RFQ	8854	ixys	htz120a	盒子	积极的		底盘安装	模块	htz120		标准				模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1对系列连接	44000 v	2a	36.8 V @ 12 A		500 µA @ 44800 V
IXFX260N17T	-	RFQ	2289	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX260		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			170 v	260a（TC）	10V	6.5MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	400 NC @ 10 V	±20V	24000 pf @ 25 V	-	1670W（TC）
MCMA700P1800CA	255.0400	RFQ	4557	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	组合	MCMA700				系列连接 -scr			-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCMA700P1800CA	Ear99	8541.30.0080	3				300 MA												1.8 kV	1100 a	2 v	19000a，20500a	300 MA	700 a										2 scr
VYK70-12IO7	-	RFQ	5841	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	Vyk70				普通阴极 -scr			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				200 ma												1.2 kV	43 a	1.5 v	550a，600a	100 ma	28 a										3 scr
VBO72-08NO7	36.1120	RFQ	6433	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	PWS-D	VBO72		标准				PWS-D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	482102	Ear99	8541.10.0080	10																									1.08 V @ 30 A		100 µA @ 800 V		72 a											单相	800 v
W6360EC600	-	RFQ	5818	ixys	-	盒子	在sic中停产		底盘安装	do-200ae	W6360		标准				W111	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W6360EC600	Ear99	8541.10.0080	12		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					6000 v		1.4 V @ 4000 A	73 µs	120 ma @ 6000 V	-40°C〜150°C	6395a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²