SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
VKF55-14IO7 IXYS VKF55-14IO7 -
RFQ
 ECAD 8006 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 fo-ta VKF55 桥，单相 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 200 ma 1.4 kV 1.5 v 550a，600a 100 ma 53 a 4 sc
VBO22-16NO8 IXYS VBO22-16NO8 14.1600
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，fo-b VBO22 标准 fo-b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 2.2 V @ 150 A 300 µA @ 1600 V 21 a 单相 1.6 kV
MDI100-12A3 IXYS MDI100-12A3 -
RFQ
 ECAD 2243 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Y4-M5 MDI100 560 w 标准 Y4-M5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 单身的 npt 1200 v 135 a 2.7V @ 15V，75a 5 ma 不 5.5 nf @ 25 V
MCC132-14IO1 IXYS MCC132-14IO1 69.8133
RFQ
 ECAD 1751年 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Y4-M6 MCC132 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1.4 kV 300 a 2.5 v 4750a，5080a 150 ma 130 a 2 scr
IXFT20N80Q IXYS IXFT20N80Q -
RFQ
 ECAD 7557 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft20 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 20A（TC） 10V 420MOHM @ 10a，10v 4.5V @ 4mA 200 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFK44N60 IXYS IXFK44N60 -
RFQ
 ECAD 5275 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK44 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXFK44N60-NDR Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 44A（TC） 10V 130mohm @ 22a，10v 4.5V @ 8mA 330 NC @ 10 V ±20V 8900 PF @ 25 V - 560W（TC）
IXTQ220N055T IXYS IXTQ220N055T -
RFQ
 ECAD 1397 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ220 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 55 v 220A（TC） 10V 4mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 158 NC @ 10 V ±20V 7200 PF @ 25 V - 430W（TC）
IXTC160N10T IXYS IXTC160N10T -
RFQ
 ECAD 1248 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXTC160 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 83A（TC） 10V 7.5mohm @ 25a，10v 4.5V @ 250µA 132 NC @ 10 V ±20V 6600 PF @ 25 V - 140W（TC）
IXGQ150N30TCD1 IXYS IXGQ150N30TCD1 -
RFQ
 ECAD 3666 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXGQ150 标准 to-3p - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 300 v 150 a - - -
IXFQ26N50P3 IXYS IXFQ26N503 5.1826
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXFQ26 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 26a（TC） 10V 230MOHM @ 13A，10V 5V @ 4mA 42 NC @ 10 V ±30V 2220 PF @ 25 V - 500W（TC）
MEA250-12DA IXYS MEA250-12DA 81.1000
RFQ
 ECAD 9511 0.00000000 ixys 弗雷德 盒子 积极的 底盘安装 Y4-M6 MEA250 标准 Y4-M6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 1200 v 260a 1.8 V @ 260 A 500 ns 12 ma @ 1200 V -40°C〜150°C
IXFQ24N60X IXYS IXFQ24N60X 5.9610
RFQ
 ECAD 5349 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXFQ24 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 24A（TC） 10V 175mohm @ 12a，10v 4.5V @ 2.5mA 47 NC @ 10 V ±30V 1910 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXTA2N80 IXYS ixta2n80 -
RFQ
 ECAD 5922 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta2 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 2A（TC） 10V 6.2OHM @ 500mA，10V 5.5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 440 pf @ 25 V - 54W（TC）
DSB2I40SB IXYS DSB2I40SB -
RFQ
 ECAD 1849年 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 DO-214AA，SMB DSB2I40 肖特基 SMB（do-214AA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 500 mv @ 2 a 100 µA @ 40 V -55°C〜150°C 2a -
MCC224-24IO1 IXYS MCC224-24IO1 280.6567
RFQ
 ECAD 8956 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 模块 MCC224 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3 150 ma 2.4 kV 400 a 2 v 8000a，8500a 150 ma 240 a 2 scr
IXFH42N20 IXYS IXFH42N20 -
RFQ
 ECAD 2369 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH42 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXFH42N20-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 42A（TC） 10V 60mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 220 NC @ 10 V ±20V 4400 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFR9N80Q IXYS IXFR9N80Q -
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 盒子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXFR9N80 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 800 v - - - - -
MEK95-06DA IXYS MEK95-06DA 32.8900
RFQ
 ECAD 297 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 底盘安装 TO-240AA MEK95 标准 TO-240AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 95a 1.55 V @ 100 A 300 ns 2 ma @ 600 V -40°C〜150°C
IXTQ150N06P IXYS IXTQ150N06P -
RFQ
 ECAD 3587 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ150 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 60 V 150a（TC） 10V 10mohm @ 75a，10v 5V @ 250µA 118 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 25 V - 480W（TC）
IXTY01N80 IXYS IXTY01N80 -
RFQ
 ECAD 2283 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IXTY01 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 100mA（TC） 10V 50ohm @ 100mA，10v 4.5V @ 25µA 8 nc @ 10 V ±20V 60 pf @ 25 V - 25W（TC）
MDD56-16N1B IXYS MDD56-16N1B 33.5800
RFQ
 ECAD 5384 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 TO-240AA MDD56 标准 TO-240AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 36 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 95a 1.48 V @ 200 A 10 ma @ 1600 V -40°C〜150°C
IXYQ30N65B3D1 IXYS IXYQ30N65B3D1 -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXYQ30 标准 270 w to-3p - rohs3符合条件 到达不受影响 238-IXYQ30N65B3D1 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，10ohm，15V 38 ns pt 650 v 70 a 160 a 2.1V @ 15V，30a （830µJ）（在640µJ上） 45 NC 17ns/87ns
CLB40I1200PZ-TRL IXYS CLB40I1200PZ-TRL 4.2764
RFQ
 ECAD 5207 0.00000000 ixys CLB40I1200PZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB CLB40 TO-263HV 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-CLB40I1200PZ-TRLTR Ear99 8541.30.0080 800 70 MA 1.2 kV 63 a 1.7 v 520a，560a 30 ma 1.3 v 40 a 标准恢复
GWM120-0075X1-SL IXYS GWM120-0075X1-SL -
RFQ
 ECAD 2387 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，平坦的铅 GWM120 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 28 6 n通道（3相桥） 75V 110a 4.9Mohm @ 60a，10v 4V @ 1mA 115nc @ 10V - -
IXKH30N60C5 IXYS IXKH30N60C5 -
RFQ
 ECAD 3240 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXKH30 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 30A（TC） 10V 125mohm @ 16a，10v 3.5V @ 1.1mA 70 NC @ 10 V ±20V 2500 pf @ 10 V - -
DSA20C100PN IXYS DSA20C100PN -
RFQ
 ECAD 2007 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3完整包 DSA20C100 肖特基 TO-220ABFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 10a 900 mv @ 10 a 200 na @ 100 V -55°C 〜175°C
MKE38P600LB-TRR IXYS mke38p600lb-trr 34.7130
RFQ
 ECAD 7290 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 9-SMD模块 MKE38P600 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 200 n通道 600 v 50A（TC） - - - -
DSEE8-06CC IXYS dsee8-06cc -
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 ixys Hiperdynfred™ 管子 积极的 通过洞 ISOPLUS220™ dsee8 标准 ISOPLUS220™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对系列连接 600 v 10a 1.75 V @ 10 A 30 ns 60 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
IXFH32N48 IXYS IXFH32N48 -
RFQ
 ECAD 7845 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH32 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 480 v 32A（TC） 10V 130mohm @ 15a，10v 4V @ 4mA 300 NC @ 10 V ±20V 5200 pf @ 25 V - 360W（TC）
MMIX4B22N300 IXYS MMIX4B22N300 121.2200
RFQ
 ECAD 5092 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 24-smd模块，9条线索 MMIX4B22 150 w 标准 24-smpd - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q12641727D1 Ear99 8541.29.0095 20 全桥 - 3000 v 38 a 2.7V @ 15V，22a 35 µA 不 2.2 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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