SIC
close

6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（av）（av）） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
DSA60C60HB IXYS DSA60C60HB -
RFQ
 ECAD 6433 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSA60C60 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 30a 840 mv @ 30 a 500 NA @ 60 V -55°C 〜175°C
IXYH12N250C IXYS IXYH12N250C -
RFQ
 ECAD 6601 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixyh12 标准 310 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，12a，10ohm，15V 16 ns - 2500 v 28 a 80 a 4.5V @ 15V，12a 3.56mj（在）上，1.7MJ OFF） 56 NC 12NS/167NS
IXYF30N450 IXYS IXYF30N450 126.6800
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ IXYF30 标准 230 w ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 960V，30a，15ohm，15V - 4500 v 23 a 190 a 3.9V @ 15V，30a - 88 NC 38NS/168NS
VBO55-12NO7 IXYS VBO55-12NO7 -
RFQ
 ECAD 9476 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 fo-ta VBO55 标准 fo-ta 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.6 V @ 150 A 500 µA @ 1200 V 55 a 单相 1.2 kV
MCC224-22IO1 IXYS MCC224-22IO1 249.4633
RFQ
 ECAD 1856年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y1-CU MCC224 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3 200 ma 2.2 kV 400 a 2 v 8000a，8500a 150 ma 240 a 2 scr
VUB120-16NO2 IXYS VUB120-16NO2 -
RFQ
 ECAD 1237 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 v2-pak vub 标准 v2-pak 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6 2.7 V @ 30 A 500 µA @ 1600 V 188 a （（（） 1.6 kV
IXGA16N60C2 IXYS IXGA16N60C2 -
RFQ
 ECAD 3346 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXGA16 标准 150 w TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，12A，22OHM，15V pt 600 v 40 a 100 a 3V @ 15V，12A 160µJ（在）（90µJ）上，OFF） 25 NC 16ns/75ns
IXTH96N25T IXYS IXTH96N25T 6.1857
RFQ
 ECAD 2981 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth96 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 96A（TC） 10V 29mohm @ 500mA，10v 5V @ 1mA 114 NC @ 10 V ±30V 6100 PF @ 25 V - 625W（TC）
IXFH12N50F IXYS IXFH12N50F -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 ixys Hiperrf™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH12 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXFH） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 12A（TC） 10V 400mohm @ 6a，10v 5.5V @ 2.5mA 54 NC @ 10 V ±20V 1870 pf @ 25 V - 180W（TC）
MDC500-12IO1 IXYS MDC500-12IO1 -
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 WC-500 MDC500 系列连接 -SCR/二极管 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1 1 a 1.2 kV 1294 a 3 V 16500a @ 50Hz 300 MA 545 a 1 sc，1二极管
IXTA140P05T IXYS IXTA140P05T 8.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta140 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 50 V 140a（TC） 10V 9MOHM @ 70A，10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±15V 13500 PF @ 25 V - 298W（TC）
IXFV30N60PS IXYS IXFV30N60PS -
RFQ
 ECAD 8631 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 加220SMD IXFV30 MOSFET （金属 o化物） 加220SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 30A（TC） 10V 240mohm @ 15a，10v 5V @ 4mA 82 NC @ 10 V ±30V 4000 pf @ 25 V - 500W（TC）
IXFK180N15P IXYS IXFK180N15P 19.0400
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK180 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfk180n15p Ear99 8541.29.0095 25 n通道 150 v 180a（TC） 10V 11MOHM @ 90A，10V 5V @ 4mA 240 NC @ 10 V ±20V 7000 PF @ 25 V - 830W（TC）
IXTY32P05T-TRL IXYS IXTY32P05T-TRL 1.8090
RFQ
 ECAD 8978 0.00000000 ixys Trechp™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty32 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixty32p05t-trltr Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 50 V 32A（TC） 10V 39mohm @ 16a，10v 4.5V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±15V 1975 pf @ 25 V - 83W（TC）
IXFK120N30P3 IXYS IXFK120N303 18.7300
RFQ
 ECAD 2636 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK120 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfk120n30p3 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 300 v 120A（TC） 10V 27mohm @ 60a，10v 5V @ 4mA 150 NC @ 10 V ±20V 8630 PF @ 25 V - 1130W（TC）
DSEI12-12AZ-TUB IXYS DSEI12-12AZ-TUB 3.0600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DSEI12 标准 TO-263HV - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-DSEI12-12AZ-TUB Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1200 v 2.6 V @ 12 A 50 ns 250 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 11a 6pf @ 600V，1MHz
IXGF30N400 IXYS IXGF30N400 -
RFQ
 ECAD 7998 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 （3个线索） IXGF30 标准 160 w ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q5897999 Ear99 8541.29.0095 25 - - 4000 v 30 a 360 a 5.2V @ 15V，90a - 135 NC -
MII300-12A4 IXYS MII300-12A4 -
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Y3-DCB MII300 1380 w 标准 Y3-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 半桥 npt 1200 v 330 a 2.7V @ 15V，200a 13 ma 不 13 nf @ 25 V
CLA40MT1200NPZ-TRL IXYS CLA40MT1200NPZ-TRL 3.8365
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 ixys DT-TRIAC™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB CLA40 TO-263HV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 800 单身的 50 mA 标准 1.2 kV 44 a 1.3 v 200a，215a 40 MA
IXTY01N100-TRL IXYS IXTY01N100-TRL 1.3085
RFQ
 ECAD 6139 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IXTY01 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixty01n100-trltr Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 1000 v 100mA（TC） 10V 80ohm @ 50mA，10v 4.5V @ 25µA 6.9 NC @ 10 V ±20V 54 pf @ 25 V - 25W（TC）
IXTY24N15T IXYS IXTY24N15T -
RFQ
 ECAD 9676 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty24 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 150 v 24A（TC） - - - -
W0642WC200 IXYS W0642WC200 -
RFQ
 ECAD 9798 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 DO-200AB，A-PUK W0642 标准 W1 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-W0642WC200 Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2000 v 2.37 V @ 1900 A 15 µs 15 ma @ 2000 V -40°C〜180°C 642a -
IXTP20N65XM IXYS IXTP20N65XM 7.8840
RFQ
 ECAD 1018 0.00000000 ixys Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp20 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 9A（TC） 10V 210mohm @ 10a，10v 5.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 1390 pf @ 25 V - 63W（TC）
IXFH120N20P IXYS IXFH120N20P 12.5700
RFQ
 ECAD 8173 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH120 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 120A（TC） 10V 22mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 152 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 714W（TC）
VTO70-12IO7 IXYS VTO70-12IO7 -
RFQ
 ECAD 1592年 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 fo-ta VTO 桥梁，三相 -scr 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 200 ma 1.2 kV 1.5 v 550a，600a 100 ma 70 a 6 scr
DSA300I200NA IXYS DSA300I200NA -
RFQ
 ECAD 5845 0.00000000 ixys - 管子 过时的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DSA300 肖特基 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.03 V @ 300 A 3 ma @ 200 V 300A 2220pf @ 24V，1MHz
IXFT60N60X3HV IXYS IXFT60N60X3HV 12.4900
RFQ
 ECAD 278 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft60 MOSFET （金属 o化物） TO-268HV（IXFT） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixft60n60x3hv Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 60a（TC） 10V 51MOHM @ 30a，10v 5V @ 4mA 51 NC @ 10 V ±20V 3450 pf @ 25 V - 625W（TC）
IXTY64N055T-TRL IXYS IXTY64N055T-TRL 1.9339
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 ixys 沟 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty64 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixty64n055t-trltr Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 64A（TC） 10V 13mohm @ 32a，10v 4V @ 25µA 37 NC @ 10 V ±20V 1420 PF @ 25 V - 130W（TC）
MCD700-12IO1W IXYS MCD700-12IO1W -
RFQ
 ECAD 8960 0.00000000 ixys - 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 WC-500 MCD700 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1 1.2 kV 1331 a 18200 @ 50MHz 700 a 1 sc，1二极管
MCC312-14IO1 IXYS MCC312-14IO1 180.0800
RFQ
 ECAD 8630 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y1-CU MCC312 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3 150 ma 1.4 kV 520 a 2 v 9200A，10100A 150 ma 320 a 2 scr
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭