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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（av）（av）） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXFN100N50Q3 IXYS IXFN100N50Q3 60.1900
RFQ
 ECAD 7286 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN100 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfn100n50q3 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 82A（TC） 10V 49mohm @ 50a，10v 6.5V @ 8mA 255 NC @ 10 V ±30V 13800 PF @ 25 V - 960W（TC）
IXFT50N20 IXYS IXFT50N20 -
RFQ
 ECAD 1504 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft50 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 50A（TC） 10V 45mohm @ 25a，10v 4V @ 4mA 220 NC @ 10 V ±20V 4400 PF @ 25 V - 300W（TC）
VGO55-14IO7 IXYS VGO55-14IO7 -
RFQ
 ECAD 5642 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 fo-ta VGO55 桥，单相-scrs/二极管（布局3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 200 ma 1.4 kV 1.5 v 550a，600a 100 ma 53 a 2 scr，2个二极管
IXGH56N60B3D1 IXYS IXGH56N60B3D1 -
RFQ
 ECAD 8005 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH56 标准 330 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，44A，5OHM，15V 100 ns pt 600 v 350 a 1.8V @ 15V，44a 1.3MJ（在）上，1.05mj off） 138 NC 26NS/155NS
MUBW15-06A6K IXYS MUBW15-06A6K -
RFQ
 ECAD 5033 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E1 mubw15 75 w 三相桥梁整流器 E1 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三期逆变器 npt 600 v 19 a 2.9V @ 15V，15a 600 µA 是的 600 pf @ 25 V
IXTA80N075L2-TRL IXYS IXTA80N075L2-TRL 9.6115
RFQ
 ECAD 1524年 0.00000000 ixys 线性l2™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta80 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixta80n075l2-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 75 v 80A（TC） 10V 24mohm @ 40a，10v 4.5V @ 250µA 103 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 357W（TC）
IXFC60N20 IXYS IXFC60N20 -
RFQ
 ECAD 6846 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC60N20 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 60a（TC） 10V 33mohm @ 30a，10v 4V @ 4mA 155 NC @ 10 V ±20V 5200 pf @ 25 V - 230W（TC）
DMA80I1600HA IXYS DMA80I1600HA 5.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DMA80 标准 TO-247 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 238-DMA80I1600HA Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.17 V @ 80 A 40 µA @ 1600 V -55°C 〜175°C 80a 43pf @ 400V，1MHz
IXFK64N60Q3 IXYS IXFK64N60Q3 39.2300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK64 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 64A（TC） 10V 95mohm @ 32a，10v 6.5V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±30V 9930 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXXK200N65B4 IXYS IXXK200N65B4 24.4100
RFQ
 ECAD 8448 0.00000000 ixys Genx4™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXXK200 标准 1150 w TO-264（ixxk） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 400V，100A，1OHM，15V pt 650 v 370 a 1000 a 1.7V @ 15V，160a 4.4mj（在）上，2.2MJ off） 553 NC 62NS/245NS
VKI50-12P1 IXYS VKI50-12P1 -
RFQ
 ECAD 6811 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 - 底盘安装 Eco-PAC2 208 w 标准 Eco-PAC2 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 完整的桥梁逆变器 npt 1200 v 49 a 3.7V @ 15V，50a 1.1 MA 是的 1.65 NF @ 25 V
DPF60IM400HB IXYS DPF60IM400HB 5.0100
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DPF60IM400 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.27 V @ 60 A 60 ns 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 60a -
MITA300RF1700P-PC IXYS MITA300RF1700P-PC 137.6182
RFQ
 ECAD 5235 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - MITA300 - - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 28 - - -
IXFA230N075T2-TRL IXYS IXFA230N075T2-TRL 4.3617
RFQ
 ECAD 4528 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXFA230 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa230n075t2-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 75 v 230a（TC） 10V 4.2MOHM @ 50a，10v 4V @ 1mA 178 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 25 V - 480W（TC）
DPF120X200NA IXYS DPF120X200NA -
RFQ
 ECAD 2216 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DPF120 标准 SOT-227B - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 120a -
DSEC29-06AC IXYS DSEC29-06AC 7.9200
RFQ
 ECAD 7026 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 通过洞 ISOPLUS220™ DSEC29 标准 ISOPLUS220™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 15a 2.03 V @ 15 A 35 ns 100 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
IXGA12N60BD1 IXYS IXGA12N60BD1 -
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXGA12 标准 100 W TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 - - 600 v 24 a 2.1V @ 15V，12A 500µJ（脱离） 32 NC 20N/150NS
DGS20-025A IXYS DGS20-025A -
RFQ
 ECAD 2591 0.00000000 ixys - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 DGS20 肖特基 TO-220AC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 250 v 1.5 V @ 7.5 A 2 ma @ 250 V -55°C 〜175°C 18a -
MIXG490PF1200PTSF IXYS MIXG490PF1200PTSF 212.7538
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - Mixg490 - - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MIXG490PF1200PTSF 24 - - -
IXTP30N25L2 IXYS IXTP30N25L2 13.7315
RFQ
 ECAD 3964 0.00000000 ixys 线性l2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp30 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixtp30n25l2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 30A（TC） 10V 140mohm @ 15a，10v 4.5V @ 250µA 130 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 25 V - 355W（TC）
DMA10P1800PZ-TRL IXYS DMA10P1800PZ-TRL 3.1264
RFQ
 ECAD 6042 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB DMA10 标准 TO-263HV 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-DMA10P1800PZ-TRLTR Ear99 8541.10.0080 800 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 1.26 V @ 10 A 10 µA @ 1800 V -55°C 〜175°C 10a 4pf @ 400V，1MHz
IXTA130N15X4-7 IXYS IXTA130N15X4-7 11.9100
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 ixys Ultra X4 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） ixta130 MOSFET （金属 o化物） TO-263-7（IXTA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 130a（TC） 10V 8mohm @ 65a，10v 4.5V @ 250µA 87 NC @ 10 V ±20V 4770 pf @ 25 V - 400W（TC）
IXFN94N50P2 IXYS IXFN94N50P2 31.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys HiperFet™，Polarp2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN94 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfn94n50p2 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 68A（TC） 10V 55mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 220 NC @ 10 V ±30V 13700 PF @ 25 V - 780W（TC）
MCNA75PD2200TB IXYS MCNA75PD2200TB 42.5056
RFQ
 ECAD 7458 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCNA75 系列连接 -SCR/二极管 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-MCNA75PD2200TB Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 2.2 kV 118 a 1.4 v 1400a，1510a 95 MA 75 a 1 sc，1二极管
DSEP2X61-03A IXYS DSEP2X61-03A 35.1300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DSEP2X61 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 300 v 60a 1.68 V @ 60 A 30 ns 650 µA @ 300 V -40°C〜150°C
IXTA1R4N120P-TRL IXYS ixta1r4n120p-trl 3.7372
RFQ
 ECAD 7737 0.00000000 ixys 极性 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta1 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta1r4n120p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 1200 v 1.4A（TC） 10V 13ohm @ 700mA，10v 4.5V @ 100µA 24.8 NC @ 10 V ±30V 666 pf @ 25 V - 86W（TC）
IXA37IF1200HJ IXYS IXA37IF1200HJ 14.1500
RFQ
 ECAD 6472 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXA37IF1200 标准 195 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，35A，27OHM，15V 350 ns pt 1200 v 58 a 2.1V @ 15V，35a 3.8MJ（在）上，4.1MJ off） 106 NC -
VUO105-14NO7 IXYS VUO105-14NO7 -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-C VUO105 标准 PWS-C 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.09 V @ 40 A 100 µA @ 1400 V 140 a 三期 1.4 kV
IXTA3N50P IXYS ixta3n50p -
RFQ
 ECAD 3883 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta3 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 3.6A（TC） 10V 2ohm @ 1.8A，10V 5.5V @ 50µA 9.3 NC @ 10 V ±30V 409 pf @ 25 V - 70W（TC）
IXFT150N30X3HV IXYS IXFT150N30X3HV 21.4200
RFQ
 ECAD 1844年 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT150 MOSFET （金属 o化物） TO-268HV（IXFT） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 150a（TC） 10V 8.3MOHM @ 75A，10V 4.5V @ 4mA 254 NC @ 10 V ±20V 13100 PF @ 25 V - 890W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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196-LFBGA裸露的垫子

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