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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
DH60-14A	10.9300	RFQ	5213	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DH60		标准			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1400 v		2.04 V @ 60 A	230 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	60a	32pf @ 1200V，1MHz
IXGH38N60	-	RFQ	5428	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH38	标准		200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					480V，38a，10ohm，15V																											-	600 v	76 a	152 a	1.8V @ 15V，38a	（9MJ）（）	125 NC	30NS/600NS
IXFH44N50Q3	21.2700	RFQ	349	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH44		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			500 v	44A（TC）	10V	140mohm @ 22a，10v	6.5V @ 4mA	93 NC @ 10 V	±30V	4800 PF @ 25 V	-	830W（TC）
DGSK40-025AS	-	RFQ	4566	ixys	-	管子	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DGSK40		肖特基			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	250 v	18a	1.5 V @ 7.5 A		2 ma @ 250 V	-55°C 〜175°C
DPF80C200HB	7.9600	RFQ	35	ixys	Hiperfred²™	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	DPF80C200		标准			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	200 v	40a	1.22 V @ 40 A	35 ns	1 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
Ixtk600N04T2	21.2616	RFQ	9957	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk600		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			40 V	600A（TC）	10V	1.5MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 250µA	590 NC @ 10 V	±20V	40000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
MCC250-18IO1	-	RFQ	9518	ixys	-	大部分	过时的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	Y2-DCB	MCC250				系列连接 -scr		下载		不适用			Ear99	8541.30.0080	2				150 ma												1.8 kV	450 a	2 v	9000a，9600a	150 ma	287 a										2 scr
DSEI2X61-06P	21.5612	RFQ	2916	ixys	弗雷德	盒子	积极的		底盘安装	Eco-PAC1	DSEI2x61		标准			Eco-PAC1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSEI2X6106P	Ear99	8541.10.0080	25		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				2独立	600 v	60a	1.8 V @ 60 A	50 ns	200 µA @ 600 V
IXTP05N100M	4.1400	RFQ	500	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp05		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			1000 v	700mA（TC）	10V	17ohm @ 375mA，10v	4.5V @ 25µA	7.8 NC @ 10 V	±30V	260 pf @ 25 V	-	25W（TC）
VTO39-12HO7	21.4000	RFQ	1751年	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC1	VTO39				桥梁，三相 -scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25				50 mA												1.2 kV		1.5 v	200a，210a	25 ma	39 a										6 scr
ixtk102n65x2	20.5500	RFQ	236	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk102		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			650 v	102A（TC）	10V	30mohm @ 51a，10v	5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±30V	10900 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
VW2X45-08IO1	-	RFQ	7125	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	VW2X45				2相控制器 -所有scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				200 ma												800 v	32 a	1.5 v	300a，320a	100 ma	20 a										4 sc
VCC2X105-14IO7	-	RFQ	7829	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	VCC2X				独立 -scrs		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25				200 ma												1.4 kV	180 a	1.5 v	2250a，2400a	150 ma	105 a										2 scr
HTZ250G44K	-	RFQ	1279	ixys	HTZ250G	盒子	积极的		底盘安装	模块	HTZ250		标准			模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1对系列连接	44800 v	2.7a	32 V @ 12 A		500 µA @ 44800 V
W2340JK150	-	RFQ	2102	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	DO-200AB，B-PUK	W2340		标准			W113	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W2340JK150	Ear99	8541.10.0080	12		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1500 v					-	2340a	-
MCD56-12IO8B	29.4100	RFQ	35	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCD56				系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				200 ma												1.2 kV	100 a	1.5 v	1500a，1600a	100 ma	64 a										1 sc，1二极管
IXFH40N50Q2	-	RFQ	7835	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH40		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			500 v	40a（TC）	10V	160MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±30V	4850 pf @ 25 V	-	560W（TC）
MDNA300P2200PT-PC	168.0783	RFQ	7788	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	MDNA300				-		-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MDNA300P2200PT-PC	Ear99	8541.30.0080	24																			-												-
MTI200WX75GD-SMD	38.1415	RFQ	8229	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	ISOPLUS-DIL™	MTI200		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MTI200WX75GD-SMD	Ear99	8541.29.0095	13	6 n通道（3相桥）					75V	255A（TC）		1.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 275µA	155nc @ 10V		14400pf @ 38V	-
DSA30C100QB	-	RFQ	2670	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	DSA30C100		肖特基			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	100 v	15a	910 MV @ 15 A		300 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
IXFR140N30P	2000年224日	RFQ	926	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR140		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			300 v	70A（TC）	10V	26mohm @ 70a，10v	5V @ 8mA	185 NC @ 10 V	±20V	14800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MLO230-16IO7	-	RFQ	7966	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	MLO230				1相控制器 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25				200 ma												1.6 kV	180 a	1.5 v	2250a，2400a	150 ma	105 a										1 sc，1二极管
IXTP56N15T	3.4128	RFQ	9683	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp56		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			150 v	56A（TC）	10V	36mohm @ 28a，10v	4.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
MCC500-12IO1	-	RFQ	4977	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	WC-500	MCC500				系列连接 -scr		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				1 a												1.2 kV	1294 a	3 V	16500a @ 50Hz	300 MA	545 a										2 scr
DSSK16-01A	-	RFQ	6361	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-3	DSSK16		肖特基			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	100 v	8a	810 MV @ 8 A		300 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
IXTY02N120P	2.4400	RFQ	22	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY02		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70			n通道			1200 v	200ma（tc）	10V	75ohm @ 500mA，10v	4V @ 100µA	4.7 NC @ 10 V	±20V	104 pf @ 25 V	-	33W（TC）
MCD700-20IO1W	-	RFQ	9663	ixys	-	托盘	过时的	-	底盘安装	WC-500	MCD700				系列连接 -SCR/二极管		-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1																2 kV	1331 a		18200 @ 50MHz		700 a										1 sc，1二极管
IXFN90N30	-	RFQ	5851	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN90		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			300 v	90A（TC）	10V	33mohm @ 45a，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	560W（TC）
DSEP29-12A	4.5000	RFQ	927	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	DSEP29		标准			TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSEP2912A	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1200 v		2.75 V @ 30 A	40 ns	250 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	30a	-
IXTC250N075T	-	RFQ	8475	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC250		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			75 v	128a（TC）	10V	4.4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	160W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²