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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
MCO500-18IO1	187.1000	RFQ	2	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	Y1-CU	MCO500				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCO50018IO1	Ear99	8541.30.0080	2				300 MA												1.8 kV	880 a	2 v	17000a，16000a	300 MA	560 a											1 scr
IXLF19N250A	53.4800	RFQ	2076	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXLF19	标准		250 w			ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					1500V，19a，47ohm，15V																												npt	2500 v	32 a	3.9V @ 15V，19A	（15mj）（30mj）（30MJ）	142 NC	-
K1270MA420	-	RFQ	8710	ixys	-	盒子	在sic中停产	-	夹紧	TO-200AC，K-PUK	K1270						W77	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-K1270MA420	Ear99	8541.30.0080	6																4.2 kV			16700a @ 50Hz		1270 a	标准恢复
VHFD16-08IO1	-	RFQ	7965	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	v1a-pak	VHFD16				桥，单相-scr/二极管（布局1）			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	24				100 ma												800 v		1 V	150a，170a	65 ma	16 a											2 scr，4个二极管
DSB20I15PA	-	RFQ	3345	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	DSB20I15		肖特基				TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						15 v		480 mv @ 20 a		10 µA @ 15 V	-55°C〜150°C	20a	-
IXKP20N60C5	-	RFQ	9594	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXKP20		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	20A（TC）	10V	200mohm @ 10a，10v	3.5V @ 1.1mA	45 NC @ 10 V	±20V	1520 PF @ 100 V	-	-
MEK95-06DA	32.8900	RFQ	297	ixys	-	大部分	积极的		底盘安装	TO-240AA	MEK95		标准				TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	36		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	600 v	95a	1.55 V @ 100 A	300 ns	2 ma @ 600 V	-40°C〜150°C
DGSK40-025A	-	RFQ	1114	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	DGSK40		肖特基				TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	250 v	18a	1.5 V @ 7.5 A		2 ma @ 250 V	-55°C 〜175°C
IXTA200N085T	-	RFQ	9400	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta200		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			85 v	200a（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
DSEC30-02A	-	RFQ	1885年	ixys	Hiperfred™	管子	过时的		通过洞	TO-247-3	DSEC30		标准				TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	150		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	200 v	15a	1.05 V @ 15 A	25 ns	100 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
MUBW10-06A7	-	RFQ	5027	ixys	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	mubw10			85 w		三相桥梁整流器	E2	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器																																npt	600 v	20 a	2.3V @ 15V，10a						600 µA	是的	600 pf @ 25 V
IXTL2X220N075T	-	RFQ	1672年	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixtl2x200		MOSFET （金属 o化物）	150W			isoplusi5-pak™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2 n 通道（双）					75V	120a		5.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	165nc @ 10V		7700pf @ 25V	-
MDD250-14N1	-	RFQ	2807	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	Y2-DCB	MDD250		标准				Y2-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1对系列连接	1400 v	290a	1.3 V @ 600 A		40 ma @ 1400 V	-40°C〜150°C
MMO75-16IO1	-	RFQ	1695年	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	MMO				1相控制器 -scr			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				100 ma												1.6 kV	65 a	1.5 v	1150a，1230a	150 ma	41 a											2 scr
IXFR40N50Q2	-	RFQ	6387	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR40		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			500 v	29A（TC）	10V	170mohm @ 20a，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±30V	4200 PF @ 25 V	-	320W（TC）
MCMA160P1800YA-MI	82.4433	RFQ	9407	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -scr			-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCMA160P1800YA-MI	Ear99	8541.30.0080	6				200 MA												1.8 kV	250 a	2.5 v	4750a，5130a	150 ma	160 a											2 scr
dsee8-08cc	-	RFQ	7465	ixys	Hiperdynfred™	管子	过时的		通过洞	ISOPLUS220™	dsee8		标准				ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对系列连接	800 v	10a	1.53 V @ 10 A	30 ns	60 µA @ 800 V	-40°C〜175°C
ixta6n100d2	8.1900	RFQ	4446	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta6		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			1000 v	6A（TC）	-	2.2OHM @ 3a，0v	-	95 NC @ 5 V	±20V	2650 pf @ 25 V	耗尽模式	300W（TC）
IXFR44N80P	22.8100	RFQ	8622	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR44		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			800 v	25A（TC）	10V	200mohm @ 22a，10v	5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	12000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFK36N60P	9.4263	RFQ	9006	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK36		MOSFET （金属 o化物）				TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			600 v	36a（TC）	10V	190mohm @ 18a，10v	5V @ 4mA	102 NC @ 10 V	±30V	5800 pf @ 25 V	-	650W（TC）
IXTN170P10P	38.8500	RFQ	188	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN170		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7850284	Ear99	8541.29.0095	10			P通道			100 v	170a（TC）	10V	12mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	240 NC @ 10 V	±20V	12600 PF @ 25 V	-	890W（TC）
DPG30I300PA	3.0100	RFQ	2021	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	DPG30I300		标准				TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						300 v		1.35 V @ 30 A	35 ns	1 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C	30a	-
IXKC25N80C	-	RFQ	9404	ixys	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC25		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			800 v	25A（TC）	10V	150MOHM @ 18A，10V	4V @ 2mA	180 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 25 V	-	-
IXTT96N15P	8.4900	RFQ	321	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt96		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			150 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
ixta1n100	4.3400	RFQ	152	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			1000 v	1.5A（TC）	10V	11ohm @ 1A，10V	4.5V @ 25µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	400 pf @ 25 V	-	54W（TC）
MCK600-22IO1W	-	RFQ	1815年	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					普通阴极 -scr			-	rohs3符合条件			238-MCK600-22IO1W	Ear99	8541.30.0080	1				1 a												2.2 kV	1116 a	3 V	16500a，18200a	300 MA	710 a											2 scr
VBO45-08NO7	-	RFQ	6592	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	fo-ta	VBO45		标准				fo-ta	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10																										1.7 V @ 150 A		500 µA @ 800 V		45 a										单相	800 v
ixtp48n20tm	3.0954	RFQ	8960	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp48		MOSFET （金属 o化物）				TO-220隔离选项卡	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtp48n20tm	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			200 v	48A（TC）	10V	50MOHM @ 24A，10V	4.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	3090 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXFH26N60Q	-	RFQ	2231	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载		不适用		IXFH26N60Q-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	26a（TC）	10V	250MOHM @ 13A，10V	4.5V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	360W（TC）
DSSK28-01A	-	RFQ	6071	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	DSSK28		肖特基				TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	150		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	100 v	15a	820 MV @ 15 A		500 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²