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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
MCK600-22IO1W	-	RFQ	1815年	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					普通阴极 -scr			-	rohs3符合条件			238-MCK600-22IO1W	Ear99	8541.30.0080	1				1 a												2.2 kV	1116 a	3 V	16500a，18200a	300 MA	710 a										2 scr
VBO45-08NO7	-	RFQ	6592	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	fo-ta	VBO45		标准				fo-ta	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10																									1.7 V @ 150 A		500 µA @ 800 V		45 a											单相	800 v
DSSK28-01A	-	RFQ	6071	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	DSSK28		肖特基				TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	150		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	100 v	15a	820 MV @ 15 A		500 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
IXFC80N08	-	RFQ	1556年	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC80N08		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			80 V	80A（TC）	10V	11mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXFD28N50Q-72	-	RFQ	9227	ixys	-	大部分	过时的				IXFD28N50Q							-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1							-
IXGT50N60C2	-	RFQ	1849年	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT50	标准		400 w			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					480V，40a，2ohm，15V																											pt	600 v	75 a	300 a	2.7V @ 15V，40a	380µJ（OFF）	138 NC	18NS/115NS
IXTN32P60P	39.6000	RFQ	228	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn32		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			P通道			600 v	32A（TC）	10V	350MOHM @ 500mA，10V	4V @ 1mA	196 NC @ 10 V	±20V	11100 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXBF10N300C	-	RFQ	4165	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF10	标准		240 w			ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					1500V，10a，10ohm，15V																					700 ns						-	3000 v	29 a	240 a	6V @ 15V，10a	7.2mj（在）（1.04MJ）上）	208 NC	32NS/390NS
IXTK550N055T2	21.2616	RFQ	9310	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk550		MOSFET （金属 o化物）				TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			55 v	550a（TC）	10V	1.6MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	595 NC @ 10 V	±20V	40000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
W6360EC600	-	RFQ	5818	ixys	-	盒子	在sic中停产		底盘安装	do-200ae	W6360		标准				W111	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W6360EC600	Ear99	8541.10.0080	12		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					6000 v		1.4 V @ 4000 A	73 µs	120 ma @ 6000 V	-40°C〜150°C	6395a	-
VW2X60-12IO1	34.9871	RFQ	6202	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	VW2X60				2相控制器 -所有scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	24				200 MA												1.2 kV	43 a	1.5 v	520a，560a	100 ma	27 a										4 sc
W6672TJ350	-	RFQ	2290	ixys	-	盒子	在sic中停产		底盘安装	TO-200AF	W6672		标准				TO-200AF	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W6672TJ350	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1900 v		1.37 V @ 5000 A	52 µs	100 ma @ 1900 V	-40°C〜160°C	6672a	-
DMA80I1600HA	5.4600	RFQ	2	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DMA80		标准				TO-247	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-DMA80I1600HA	Ear99	8541.10.0080	30		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1600 v		1.17 V @ 80 A		40 µA @ 1600 V	-55°C 〜175°C	80a	43pf @ 400V，1MHz
DSS1-40BA	-	RFQ	1771年	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	do-214ac，SMA	DSS1		肖特基				DO-214AC（SMA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					40 V		420 mv @ 1 A		100 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	-
htz120a44k	-	RFQ	8854	ixys	htz120a	盒子	积极的		底盘安装	模块	htz120		标准				模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1对系列连接	44000 v	2a	36.8 V @ 12 A		500 µA @ 44800 V
VYK70-12IO7	-	RFQ	5841	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	Vyk70				普通阴极 -scr			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				200 MA												1.2 kV	43 a	1.5 v	550a，600a	100 ma	28 a										3 scr
MIO2400-17E10	-	RFQ	3509	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E10	mio					标准	E10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																															npt	1700 v	2400 a		2.6V @ 15V，2400a						120 MA	不	230 NF @ 25 V
IXXH100N60B3	16.2600	RFQ	2965	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH100	标准		830 w			TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					360V，70a，2ohm，15V																											pt	600 v	220 a	480 a	1.8V @ 15V，70a	1.9MJ（在），2MJ（2MJ）中	143 NC	30NS/120NS
IXFX260N17T	-	RFQ	2289	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX260		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			170 v	260a（TC）	10V	6.5MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	400 NC @ 10 V	±20V	24000 pf @ 25 V	-	1670W（TC）
IXTP76P10T	6.3300	RFQ	10	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP76		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	621165	Ear99	8541.29.0095	50			P通道			100 v	76A（TC）	10V	25mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	197 nc @ 10 V	±15V	13700 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IXYH50N65C3D1	-	RFQ	9039	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH50	标准		600 w			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，36a，5ohm，15V																					36 NS						-	650 v	132 a	250 a	2.1V @ 15V，36a	（800µJ）（800µJ），800µJ（OFF）	86 NC	20N/90NS
MMO230-12IO7	35.4500	RFQ	4168	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	MMO230				1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25				200 MA												1.2 kV	180 a	1.5 v	2250a，2400a	150 ma	105 a										2 scr
IXFB300N10P	35.6900	RFQ	3	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB300		MOSFET （金属 o化物）				加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			100 v	300A（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	5V @ 8mA	279 NC @ 10 V	±20V	23000 PF @ 25 V	-	1500W（TC）
MCD162-08IO1	59.2400	RFQ	4	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Y4-M6	MCD162				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCD16208IO1	Ear99	8541.30.0080	6				200 MA												800 v	300 a	2.5 v	6000a，6400a	150 ma	190 a										1 sc，1二极管
IXTC160N10T	-	RFQ	1248	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC160		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	83A（TC）	10V	7.5mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	140W（TC）
VBO40-08NO6	29.8300	RFQ	20	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	VBO40		标准				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VBO4008NO6	Ear99	8541.10.0080	10																									1.15 V @ 20 A		300 µA @ 800 V		40 a											单相	800 v
IXTP260N055T2	6.3300	RFQ	73	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP260		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	260a（TC）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	480W（TC）
MDD200-14N1	82.1767	RFQ	5541	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	Y4-M6	MDD200		标准				Y4-M6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1对系列连接	1400 v	224a	1.3 V @ 300 A		20 ma @ 1400 V	-40°C〜150°C
IXTH32P20T	7.9731	RFQ	5016	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth32		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			P通道			200 v	32A（TC）	10V	130mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±15V	14500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
HTZ260G22K	-	RFQ	2167	ixys	htz260g	盒子	积极的		底盘安装	模块	HTZ260		标准				模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1对系列连接	22400 v	4.7a	16 V @ 12 A		500 µA @ 22400 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²