SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f SCR,二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
IXDN55N120D1 IXYS IXDN55N120D1 37.5500
RFQ
ECAD 3026 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXDN55 450 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 npt 1200 v 100 a 2.8V @ 15V,55a 3.8 ma 3.3 NF @ 25 V
IXTR30N25 IXYS IXTR30N25 -
RFQ
ECAD 7557 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixtr30 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 25A(TC) 10V 75mohm @ 15a,10v 4V @ 250µA 136 NC @ 10 V ±20V 3950 pf @ 25 V - 150W(TC)
MMIX2F60N50P3 IXYS MMIX2F60N50P3 39.6840
RFQ
ECAD 6365 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 24-smd模块,9条线索 MMIX2F60 MOSFET (金属 o化物) 320W 24-smpd 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 2 n 通道(双) 500V 30A(TC) 110mohm @ 30a,10v 5V @ 4mA 96NC @ 10V 6250pf @ 25V -
IXTA28P065T IXYS ixta28p065t 2.3918
RFQ
ECAD 4627 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta28 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 65 v 28a(TC) 10V 45mohm @ 14a,10v 4.5V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±15V 2030 pf @ 25 V - 83W(TC)
IXGN40N60CD1 IXYS IXGN40N60CD1 -
RFQ
ECAD 4375 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 ixgn40 标准 SOT-227B - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 单身的 - 600 v -
IXTK75N30 IXYS IXTK75N30 -
RFQ
ECAD 7350 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA ixtk75 MOSFET (金属 o化物) TO-264(IXTK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 300 v 75A(TC) 10V 42MOHM @ 500mA,10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 540W(TC)
IXTP80N10T IXYS IXTP80N10T 3.4400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 ixys 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp80 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 80A(TC) 10V 14mohm @ 25a,10v 5V @ 100µA 60 NC @ 10 V ±20V 3040 pf @ 25 V - 230W(TC)
MITA300RF1700P-PC IXYS MITA300RF1700P-PC 137.6182
RFQ
ECAD 5235 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - MITA300 - - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 28 - - -
DGSK36-03CS IXYS DGSK36-03C -
RFQ
ECAD 5631 0.00000000 ixys - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB DGSK36 肖特基 TO-263AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 29a 1.9 V @ 7.5 A 23 ns 250 µA @ 300 V -55°C 〜175°C
HTZ150C8K IXYS htz150c8k -
RFQ
ECAD 8174 0.00000000 ixys htz150c 盒子 积极的 底盘安装 模块 htz150 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 8400 v 3a 6 V @ 2 A 500 µA @ 8400 V
IXFR12N100 IXYS IXFR12N100 -
RFQ
ECAD 2831 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 - 通过洞 TO-247-3 IXFR12 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 10A(TC) 1.1OHM @ 6A,10V 5.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V 2900 PF @ 25 V - -
IXFR180N06 IXYS IXFR180N06 17.9293
RFQ
ECAD 7540 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFR180 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 60 V 180a(TC) 10V 5MOHM @ 90A,10V 4V @ 8mA 420 NC @ 10 V ±20V 7650 pf @ 25 V - 560W(TC)
IXFJ80N20Q IXYS IXFJ80N20Q -
RFQ
ECAD 2902 0.00000000 ixys - 管子 过时的 IXFJ80 - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 30 -
DSEP60-12B IXYS DSEP60-12B 10.0200
RFQ
ECAD 8687 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DSEP60 标准 TO-247 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-dsep60-12b Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 3.25 V @ 60 A 65 ns 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 60a 30pf @ 600V,1MHz
VHFD37-14IO1 IXYS VHFD37-14IO1 -
RFQ
ECAD 2236 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 v1a-pak VHFD37 桥,单相-scr/二极管(布局1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1.4 kV 1 V 320a,350a 65 ma 36 a 2 scr,4个二极管
IXTY08N100D2 IXYS IXTY08N100D2 3.3100
RFQ
ECAD 3104 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IXTY08 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 1000 v 800mA(TC) - 21ohm @ 400mA,0v - 14.6 NC @ 5 V ±20V 325 pf @ 25 V 耗尽模式 60W(TC)
IXTY1R6N50D2 IXYS IXTY1R6N50D2 3.0700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty1 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 500 v 1.6A(TC) - 2.3OHM @ 800mA,0v - 23.7 NC @ 5 V ±20V 645 pf @ 25 V 耗尽模式 100W(TC)
IXFK38N80Q2 IXYS IXFK38N80Q2 -
RFQ
ECAD 4247 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q2类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK38 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 800 v 38A(TC) 10V 220MOHM @ 19a,10v 4.5V @ 8mA 190 NC @ 10 V ±30V 8340 pf @ 25 V - 735W(TC)
MDD312-14N1 IXYS MDD312-14N1 155.9600
RFQ
ECAD 2467 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y1-CU MDD312 标准 Y1-CU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1400 v 310a 1.32 V @ 600 A 30 ma @ 1400 V -40°C〜150°C
IXFT80N30P3 IXYS IXFT80N303 -
RFQ
ECAD 1165 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 ixft80 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30
MCC44-14IO8B IXYS MCC44-14IO8B 32.2200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 TO-240AA MCC44 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 MA 1.4 kV 80 a 1.5 v 1150a,1230a 100 ma 51 a 2 scr
IXGH40N60A3D1 IXYS IXGH40N60A3D1 -
RFQ
ECAD 3036 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXGH40 标准 TO-247AD - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 600 v - - -
MCC21-08IO8B IXYS MCC21-08IO8B -
RFQ
ECAD 5109 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 TO-240AA MCC21 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 100 ma 800 v 33 a 1 V 320a,350a 65 ma 21 a 2 scr
MCC224-20IO1 IXYS MCC224-20IO1 233.8867
RFQ
ECAD 1815年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 底盘安装 Y1-CU MCC224 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3 200 MA 2 kV 400 a 2 v 8000a,8500a 150 ma 240 a 2 scr
DSAI75-16B IXYS DSAI75-16B -
RFQ
ECAD 1736年 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 DSAI75 雪崩 do-203ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.17 V @ 150 A 6 ma @ 1600 V -40°C〜180°C 110a -
MCD250-16IO1 IXYS MCD250-16IO1 -
RFQ
ECAD 3746 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C 〜140°C(TJ) 底盘安装 Y2-DCB MCD250 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 MCD25016IO1 Ear99 8541.30.0080 2 150 ma 1.6 kV 450 a 2 v 9000a,9600a 150 ma 287 a 1 sc,1二极管
DSSK80-0008D IXYS DSSK80-0008D -
RFQ
ECAD 7055 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSSK80 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 8 V 40a 340 mv @ 40 a 200 ma @ 8 V -55°C〜150°C
IXTY1N120P IXYS IXTY1N120P 2.9900
RFQ
ECAD 6691 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 - 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty1 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 1200 v 1A(TC) - - - -
N0795YN180 IXYS N0795YN180 -
RFQ
ECAD 1900 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -60°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB,B-PUK N0795 W91 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-N0795YN180 Ear99 8541.30.0080 24 300 MA 1.8 kV 1580 a 2.5 v 10500a @ 50Hz 150 ma 2 v 795 a 30 ma 标准恢复
IXGK400N30C3 IXYS IXGK400N30C3 -
RFQ
ECAD 9678 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXGK400 标准 TO-264(ixgk) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 - - 300 v 400 a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库