SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（av）（av）） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
MDC700-20IO1W IXYS MDC700-20IO1W -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 - 底盘安装 WC-500 MDC700 系列连接 -SCR/二极管 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1 2 kV 1331 a 18200 @ 50MHz 700 a 1 sc，1二极管
IXTA7N60P IXYS ixta7n60p 1.7474
RFQ
 ECAD 7531 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta7 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 7A（TC） 1.1OHM @ 3.5A，10V 5.5V @ 100µA 20 nc @ 10 V 1080 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXFD15N100-8X IXYS IXFD15N100-8X -
RFQ
 ECAD 3727 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 IXFD15N100 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1 -
MDO500-18N1 IXYS MDO500-18N1 159.2500
RFQ
 ECAD 8526 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y1-CU MDO500 标准 Y1-CU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 1.3 V @ 1200 A 30 ma @ 1800 V 560a 762pf @ 400V，1MHz
DPG20C300PB IXYS DPG20C300PB 2.8000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 DPG20C300 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 300 v 10a 1.27 V @ 10 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55°C 〜175°C
IXTC240N055T IXYS IXTC240N055T -
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXTC240 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 132a（TC） 10V 4mohm @ 50a，10v 4V @ 1mA 170 NC @ 10 V ±20V 7600 PF @ 25 V - 150W（TC）
IXFR70N15 IXYS IXFR70N15 -
RFQ
 ECAD 2907 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR70 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 67A（TC） 10V 28mohm @ 35a，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 250W（TC）
MWI80-12T6K IXYS MWI80-12T6K -
RFQ
 ECAD 4397 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E1 MWI80 270 w 标准 E1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 沟 1200 v 80 a 2.4V @ 15V，50a 1 MA 是的 3.6 NF @ 25 V
M0358WC120 IXYS M0358WC120 -
RFQ
 ECAD 5865 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 DO-200AB，A-PUK M0358 标准 W1 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-M0358WC120 Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 2.1 V @ 750 A 1.4 µs 20 ma @ 1200 V -40°C〜125°C 358a -
IXFC52N30P IXYS IXFC52N30P -
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 ixys Polarht™HiperFet™ 盒子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC52N30 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 24A（TC） 10V 75mohm @ 26a，10v 5V @ 4mA 110 NC @ 10 V ±20V 3490 pf @ 25 V - 100W（TC）
DMA200YC1600NA IXYS DMA200YC1600NA 36.2730
RFQ
 ECAD 8908 0.00000000 ixys DMA200YC1600NA 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DMA200 标准 SOT-227B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DMA200YC1600NA Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2对普通阴极 1600 v 200a 1.23 V @ 70 A 50 µA @ 1600 V -40°C〜150°C
IXTP1N80P IXYS ixtp1n80p 2.0247
RFQ
 ECAD 9383 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp1 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 1A（TC） 10V 14ohm @ 500mA，10v 4V @ 50µA 9 NC @ 10 V ±20V 250 pf @ 25 V - 42W（TC）
IXGP28N60A3 IXYS IXGP28N60A3 3.3100
RFQ
 ECAD 478 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP28 标准 190 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixgp28n60a3 Ear99 8541.29.0095 50 480V，24a，10ohm，15V 26 NS pt 600 v 75 a 170 a 1.4V @ 15V，24a （700µJ）（在），2.4MJ off） 66 NC 18NS/300NS
FID36-06D IXYS FID36-06D -
RFQ
 ECAD 5236 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FID36 标准 125 w ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 300V，25a，10ohm，15V 50 ns npt 600 v 38 a 2.4V @ 15V，25a 1.1mj（在）上，600µJ（600µJ） 140 NC -
M0955LC250 IXYS M0955LC250 -
RFQ
 ECAD 5418 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 DO-200AB，B-PUK M0955 标准 W4 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-M0955LC250 Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2500 v 2.07 V @ 1900 A 3.4 µs 50 mA @ 2500 V -40°C〜125°C 955a -
ME0500-06DA IXYS ME0500-06DA -
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 底盘安装 Y4-M6 ME0500 标准 Y4-M6 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.36 V @ 300 A 300 ns 24 ma @ 600 V 514a -
IXFH150N20T IXYS IXFH150N20T 19.7900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH150 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 150a（TC） 10V 15mohm @ 75a，10v 5V @ 4mA 177 NC @ 10 V ±20V 11700 PF @ 25 V - 890W（TC）
VGO36-12IO7 IXYS VGO36-12IO7 -
RFQ
 ECAD 1420 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC1 VGO36 桥，单相-scrs/二极管（布局3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 100 ma 1.2 kV 1 V 320a，350a 65 ma 40 a 2 scr，2个二极管
STS802U2SRP IXYS STS802U2SRP 2.8300
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 ixys sts 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 独立 -scrs 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-STS802U2SRPCT Ear99 8541.30.0080 2,500 3 ma 800 v 0.6 a 800 mv 20a，24a 100 µA 2 scr
MDD310-08N1 IXYS MDD310-08N1 -
RFQ
 ECAD 5491 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y2-DCB MDD310 标准 Y2-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 305a 1.2 V @ 600 A 40 ma @ 800 V -40°C〜150°C
IXTT1N100 IXYS IXTT1N100 -
RFQ
 ECAD 5797 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt1 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 1.5A（TC） 10V 11ohm @ 1A，10V 4.5V @ 25µA 23 NC @ 10 V ±20V 480 pf @ 25 V - 60W（TC）
IXTH14N100 IXYS IXTH14N100 -
RFQ
 ECAD 8558 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth14 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 14A（TC） 10V 820MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 250µA 195 NC @ 10 V ±20V 5650 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXFC80N10 IXYS IXFC80N10 -
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC80N10 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 80A（TC） 10V 12.5MOHM @ 40a，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V - 230W（TC）
IXFA16N50P-TRL IXYS IXFA16N50P-TRL 3.2699
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA16 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa16n50p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 500 v 16A（TC） 10V 400mohm @ 8a，10v 5.5V @ 2.5mA 36 NC @ 10 V ±30V 2480 pf @ 25 V - 300W（TC）
CMA60MT1600NHR IXYS CMA60MT1600NHR 10.1697
RFQ
 ECAD 8114 0.00000000 ixys DT-TRIAC™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 CMA60 ISO247 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-CMA60MT1600NHR Ear99 8541.30.0080 30 单身的 60 ma 标准 1.6 kV 66 a 1.3 v 260a，280a 80 ma
W1975MC650 IXYS W1975MC650 -
RFQ
 ECAD 2883 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 do-200 ac，k-puk W1975 标准 W54 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-W1975MC650 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 6500 v 3.95 V @ 4200 A 45 µs 100 ma @ 6500 V -40°C〜150°C 1975a -
DSA80C45HB IXYS DSA80C45HB -
RFQ
 ECAD 2303 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSA80C45 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 40a 780 mv @ 40 a 680 µA @ 45 V -55°C 〜175°C
IXFR44N50Q IXYS IXFR44N50Q 21.7400
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR44 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 34A（TC） 10V 120mohm @ 22a，10v 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 7000 PF @ 25 V - 310W（TC）
IXFH44N50P IXYS IXFH44N50P 11.8500
RFQ
 ECAD 827 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH44 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 44A（TC） 10V 140mohm @ 22a，10v 5V @ 4mA 98 NC @ 10 V ±30V 5440 pf @ 25 V - 658W（TC）
IXFH48N60X3 IXYS IXFH48N60X3 10.6000
RFQ
 ECAD 195 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH48 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixfh48n60x3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 48A（TC） 10V 65MOHM @ 24A，10V 5V @ 2.5mA 38 NC @ 10 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 520W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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