SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C
DPG60C300QB IXYS DPG60C300QB 6.3300
RFQ
 ECAD 2522 0.00000000 ixys Hiperfred²™ 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 DPG60C300 标准 to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 300 v 30a 1.34 V @ 30 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55°C 〜175°C
IXKK85N60C IXYS IXKK85N60C 48.7100
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixkk85 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 85A（TC） 10V 36mohm @ 55a，10v 4V @ 4mA 650 NC @ 10 V ±20V - -
IXFN360N10T IXYS IXFN360N10T 28.2400
RFQ
 ECAD 5370 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN360 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 100 v 360a（TC） 10V 2.6mohm @ 180a，10v 4.5V @ 250µA 505 NC @ 10 V ±20V 36000 PF @ 25 V - 830W（TC）
IXBR42N170 IXYS IXBR42N170 -
RFQ
 ECAD 9106 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXBR42 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.32 µs - 1700 v 57 a 300 a 2.9V @ 15V，42a - 188 NC -
K2085TE650 IXYS K2085TE650 -
RFQ
 ECAD 7654 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 - 底盘安装 TO-200AF K2085 W82 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-K2085TE650 Ear99 8541.30.0080 6 6.5 kV 33000a @ 50Hz 2145 a 标准恢复
N2543ZD240 IXYS N2543ZD240 -
RFQ
 ECAD 1503 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 - 底盘安装 TO-200AF N2543 W46 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N2543ZD240 Ear99 8541.30.0080 6 2.4 kV 32000a @ 50Hz 2543 a 标准恢复
DSA20C100PN IXYS DSA20C100PN -
RFQ
 ECAD 2007 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3完整包 DSA20C100 肖特基 TO-220ABFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 10a 900 mv @ 10 a 200 na @ 100 V -55°C 〜175°C
DGSK20-018A IXYS DGSK20-018A -
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 ixys - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 DGSK20 肖特基 TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 180 v 15a 1.1 V @ 5 A 1.3 ma @ 180 V -55°C 〜175°C
IXFP270N06T3 IXYS IXFP270N06T3 5.2764
RFQ
 ECAD 1013 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP270 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 270a（TC） 10V 3.1MOHM @ 100A，10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 12600 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXFK24N90Q IXYS IXFK24N90Q -
RFQ
 ECAD 6780 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK24 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 900 v 24A（TC） 10V 450MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ±20V 5900 PF @ 25 V - 500W（TC）
MCD95-16IO1B IXYS MCD95-16IO1B 41.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCD95 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MCD9516IO1B Ear99 8541.30.0080 36 200 MA 1.6 kV 180 a 2.5 v 2250a，2400a 150 ma 116 a 1 sc，1二极管
MCD95-14IO8B IXYS MCD95-14IO8B 37.9700
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCD95 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -MCD95-14IO8B Ear99 8541.30.0080 36 200 MA 1.4 kV 180 a 2.5 v 2250a，2400a 150 ma 116 a 1 sc，1二极管
IXFP34N65X2M IXYS IXFP34N65X2M 7.5900
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 ixfp34 MOSFET （金属 o化物） TO-220隔离选项卡 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfp34n65x2m Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 34A（TC） 10V 100mohm @ 17a，10v 5V @ 1.5mA 56 NC @ 10 V ±30V 3230 PF @ 25 V - 40W（TC）
IXTH48N15 IXYS IXTH48N15 -
RFQ
 ECAD 4222 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth48 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 48A（TC） 10V 32mohm @ 500mA，10v - 140 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 25 V - 180W（TC）
IXFT60N25Q IXYS IXFT60N25Q -
RFQ
 ECAD 1624年 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft60 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 60a（TC） 10V 47mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXTH200N10T IXYS IXTH200N10T 9.4100
RFQ
 ECAD 1014 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH200 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 200a（TC） 10V 5.5MOHM @ 50a，10v 4.5V @ 250µA 152 NC @ 10 V ±30V 9400 PF @ 25 V - 550W（TC）
CLA100E1200HB IXYS CLA100E1200HB 7.9800
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 ixys CLA100E1200HB 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 CLA100 TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-CLA100E1200HB Ear99 8541.30.0080 30 100 ma 1.2 kV 160 a 1.5 v 1100a，11900a 40 MA 1.37 v 100 a 标准恢复
IXXK200N65B4 IXYS IXXK200N65B4 24.4100
RFQ
 ECAD 8448 0.00000000 ixys Genx4™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXXK200 标准 1150 w TO-264（ixxk） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 400V，100A，1OHM，15V pt 650 v 370 a 1000 a 1.7V @ 15V，160a 4.4mj（在）上，2.2MJ off） 553 NC 62NS/245NS
DSSK28-01AS-TUB IXYS DSSK28-01AS-tub -
RFQ
 ECAD 2543 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 - - DSSK28 - - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 DSSK28-01AS管 Ear99 8541.10.0080 50 - - - -55°C 〜175°C
IXGH24N60CD1 IXYS IXGH24N60CD1 -
RFQ
 ECAD 6461 0.00000000 ixys HiperFast™，Lightspeed™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH24 标准 150 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，24a，10ohm，15V 25 ns - 600 v 48 a 80 a 2.5V @ 15V，24a 240µJ（离） 55 NC 15NS/75NS
MCD26-12IO8B IXYS MCD26-12IO8B 23.0422
RFQ
 ECAD 1877年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCD26 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 MA 1.2 kV 50 a 1.5 v 520a，560a 100 ma 32 a 1 sc，1二极管
VCC105-08IO7 IXYS VCC105-08IO7 -
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 VCC105 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 200 MA 800 v 180 a 1.5 v 2250a，2400a 150 ma 105 a 2 scr
MMO36-16IO1 IXYS MMO36-16IO1 -
RFQ
 ECAD 9325 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 模块 MMO 1相控制器 -scr 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 20 100 ma 1.6 kV 28 a 1 V 360a，390a 65 ma 18 a 2 scr
IXBH14N250A IXYS IXBH14N250A -
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXBH14 标准 TO-247AD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 2500 v - - -
IXA12IF1200TC-TUB IXYS IXA12IF1200TC-TUB 4.8564
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXA12 标准 85 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，10a，100ohm，15V 350 ns pt 1200 v 20 a 2.1V @ 15V，10a 1.1MJ（在）上，1.1MJ off） 27 NC -
IXFN55N50 IXYS IXFN55N50 -
RFQ
 ECAD 4192 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN55 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 470724 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 55A（TC） 10V 90MOHM @ 27.5A，10V 4.5V @ 8mA 330 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 625W（TC）
IXYN75N65C3D1 IXYS IXYN75N65C3D1 28.5640
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixyn75 标准 600 w SOT-227B 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 400V，60a，3ohm，15V 65 ns - 650 v 150 a 360 a 2.3V @ 15V，60a 2MJ（在）上，950µJ（OFF） 122 NC 26NS/93NS
IXTP36N30P IXYS IXT36N30P 5.0200
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 ixys Polarht™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp36 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 36a（TC） 10V 110MOHM @ 18A，10V 5.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 25 V - 300W（TC）
MDD250-08N1 IXYS MDD250-08N1 -
RFQ
 ECAD 8293 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y2-DCB MDD250 标准 Y2-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 290a 1.3 V @ 600 A 40 ma @ 800 V -40°C〜150°C
IXFN36N110P IXYS IXFN36N110P -
RFQ
 ECAD 6625 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN36 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1100 v 36a（TC） 10V 240mohm @ 500mA，10v 6.5V @ 1mA 350 NC @ 10 V ±30V 23000 PF @ 25 V - 1000W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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