SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 结构 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量
IXTT16N50D2 IXYS IXTT16N50D2 19.6500
RFQ
 ECAD 324 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXTT16 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 16A（TC） 0V 240mohm @ 8a，0v - 199 NC @ 5 V ±20V 5250 pf @ 25 V 耗尽模式 695W（TC）
IXFV18N90PS IXYS IXFV18N90PS -
RFQ
 ECAD 7131 0.00000000 ixys HiperFet™，Polarp2™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 加220SMD IXFV18 MOSFET （金属 o化物） 加220SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 18A（TC） 10V 600mohm @ 500mA，10v 6.5V @ 1mA 97 NC @ 10 V ±30V 5230 PF @ 25 V - 540W（TC）
VVZ175-16IO7 IXYS VVZ175-16IO7 107.6400
RFQ
 ECAD 5993 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 PWS-E2 VVZ175 桥梁，三相-scr/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 5 200 ma 1.6 kV 89 a 1.5 v 1500a，1600a 100 ma 167 a 3 scr，3个二极管
IXFV110N10PS IXYS IXFV110N10PS -
RFQ
 ECAD 9873 0.00000000 ixys Polarht™HiperFet™ 盒子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 加220SMD IXFV110 MOSFET （金属 o化物） 加220SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 110A（TC） 10V 15mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 110 NC @ 10 V ±20V 3550 pf @ 25 V - 480W（TC）
DHF30IM600QB IXYS DHF30IM600QB -
RFQ
 ECAD 4118 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 DHF30 标准 to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 2.36 V @ 30 A 35 ns 50 µA @ 600 V -55°C〜150°C 30a -
IXTA1N120P IXYS ixta1n120p 5.3000
RFQ
 ECAD 659 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta1 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1200 v 1A（TC） 10V 20ohm @ 500mA，10v 4.5V @ 50µA 17.6 NC @ 10 V ±20V 550 pf @ 25 V - 63W（TC）
MCD250-16IO1 IXYS MCD250-16IO1 -
RFQ
 ECAD 3746 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y2-DCB MCD250 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MCD25016IO1 Ear99 8541.30.0080 2 150 ma 1.6 kV 450 a 2 v 9000a，9600a 150 ma 287 a 1 sc，1二极管
MMO140-08IO7 IXYS MMO140-08IO7 -
RFQ
 ECAD 6364 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 MMO 1相控制器 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 800 v 90 a 1.5 v 1150a，1230a 100 ma 58 a 2 scr
VWO80-12IO7 IXYS VWO80-12IO7 -
RFQ
 ECAD 2270 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 模块 vwo 3 - scr 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 150 ma 1.2 kV 59 a 1 V 1000a，1100a 100 ma 37 a 6 scr
MCD95-12IO1B IXYS MCD95-12IO1B 40.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCD95 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.2 kV 180 a 2.5 v 2250a，2400a 150 ma 116 a 1 sc，1二极管
MDD255-12N1 IXYS MDD255-12N1 141.7767
RFQ
 ECAD 9267 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y1-CU MDD255 标准 Y1-CU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MDD25512N1 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 270a 1.4 V @ 600 A 30 ma @ 1200 V -40°C〜150°C
IXTP110N12T2 IXYS IXTP110N12T2 -
RFQ
 ECAD 5753 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP110 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 120 v 110A（TC） 10V 14mohm @ 55a，10v 4.5V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 6570 pf @ 25 V - 517W（TC）
IXTC200N10T IXYS IXTC200N10T -
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXTC200 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 101A（TC） 10V 6.3MOHM @ 50a，10v 4.5V @ 250µA 152 NC @ 10 V ±30V 9400 PF @ 25 V - 160W（TC）
IXTH52P10P IXYS IXTH52P10P 8.4800
RFQ
 ECAD 301 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth52 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 100 v 52A（TC） 10V 50MOHM @ 52A，10V 4.5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 2845 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXTP02N120P IXYS ixtp02n120p 2.7700
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP02 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1200 v 200ma（tc） 10V 75ohm @ 100mA，10v 4V @ 100µA 4.7 NC @ 10 V ±20V 104 pf @ 25 V - 33W（TC）
MCC170-14IO1 IXYS MCC170-14IO1 -
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜130°C（TJ） 底盘安装 Y1-CU MCC170 系列连接 -scr 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 4 150 ma 1.4 kV 350 a 2 v 5400A，5800A 150 ma 203 a 2 scr
IXFP270N06T3 IXYS IXFP270N06T3 5.2764
RFQ
 ECAD 1013 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP270 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 270a（TC） 10V 3.1MOHM @ 100A，10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 12600 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXTC220N055T IXYS IXTC220N055T -
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXTC220 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 130a（TC） 10V 4.4mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 158 NC @ 10 V ±20V 7200 PF @ 25 V - 150W（TC）
IXFH7N100P IXYS IXFH7N100P 8.3188
RFQ
 ECAD 2780 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH7 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 7A（TC） 10V 1.9OHM @ 3.5A，10V 6V @ 1mA 47 NC @ 10 V ±30V 2590 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXTH130N15T IXYS IXTH130N15T -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH130 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 130a（TC） 10V 12mohm @ 65a，10v 4.5V @ 1mA 113 NC @ 10 V ±30V 9800 PF @ 25 V - 750W（TC）
K2325TJ650 IXYS K2325TJ650 -
RFQ
 ECAD 7315 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AF K2325 W81 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-K2325TJ650 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 6.5 kV 4625 a 3 V 36300a @ 50Hz 300 MA 4.2 v 2380 a 200 ma 标准恢复
IXFN73N30 IXYS IXFN73N30 17.7985
RFQ
 ECAD 8050 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN73 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXFN73N30-NDR Ear99 8541.29.0095 10 n通道 300 v 73A（TC） 10V 45mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 360 NC @ 10 V ±20V 9000 PF @ 25 V - 500W（TC）
MCO600-22IO1 IXYS MCO600-22IO1 249.4600
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y1-CU MCO600 单身的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MCO60022IO1 Ear99 8541.30.0080 2 300 MA 2.2 kV 928 a 2 v 15000a，16000a 300 MA 600 a 1 scr
IXTA1R4N100P IXYS ixta1r4n100p 3.3100
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta1 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 1.4A（TC） 10V 11ohm @ 500mA，10v 4.5V @ 50µA 17.8 NC @ 10 V ±20V 450 pf @ 25 V - 63W（TC）
IXTA80N12T2 IXYS ixta80n12t2 3.1660
RFQ
 ECAD 3939 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta80 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 120 v 80A（TC） 10V 17mohm @ 40a，10v 4V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±20V 4740 pf @ 25 V - 325W（TC）
IXFP7N100P IXYS IXFP7N100P 6.2500
RFQ
 ECAD 9609 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP7N100 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfp7n100p Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 7A（TC） 10V 1.9OHM @ 3.5A，10V 6V @ 1mA 47 NC @ 10 V ±30V 2590 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXFK120N20P IXYS IXFK120N20P 13.4900
RFQ
 ECAD 4550 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK120 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 120A（TC） 10V 22mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 152 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 714W（TC）
IXFX64N50Q3 IXYS IXFX64N50Q3 28.7200
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX64 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfx64n50q3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 64A（TC） 10V 85mohm @ 32a，10v 6.5V @ 4mA 145 NC @ 10 V ±30V 6950 pf @ 25 V - 1000W（TC）
GWM100-0085X1-SMD IXYS GWM100-0085x1-SMD -
RFQ
 ECAD 2029 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM100 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 36 6 n通道（3相桥） 85V 103a 6.2MOHM @ 75A，10V 4V @ 250µA 114NC @ 10V - -
IXTP1R4N60P IXYS ixtp1r4n60p -
RFQ
 ECAD 7508 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp1 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 1.4A（TC） 10V 9ohm @ 700mA，10v 5.5V @ 25µA 5.2 NC @ 10 V ±30V 140 pf @ 25 V - 50W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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