SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） scr （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压-峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
N5320FE420 IXYS N5320FE420 -
RFQ
 ECAD 6797 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 - 底盘安装 TO-200AF N5320 W119 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N5320FE420 Ear99 8541.30.0080 6 4.2 kV 78000a @ 50Hz 5320 a 标准恢复
DGS10-025AS IXYS DGS10-025AS -
RFQ
 ECAD 6336 0.00000000 ixys - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB DGS10 肖特基 TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 250 v 1.5 V @ 5 A 1.3 ma @ 250 V -55°C 〜175°C 12a -
IXTP15N20T IXYS IXTP15N20T -
RFQ
 ECAD 1137 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3 ixtp15 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 15A（TC） - - - -
W3082MC420 IXYS W3082MC420 -
RFQ
 ECAD 2209 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 do-200 ac，k-puk W3082 标准 W54 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-W3082MC420 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 4200 v 2.58 V @ 8600 A 45 µs 50 ma @ 4200 V -40°C〜160°C 3120a -
IXYP24N100C4 IXYS IXYP24N100C4 6.7717
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 ixys Genx4™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXYP24 标准 375 w TO-220 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-IXYP24N100C4 Ear99 8541.29.0095 50 800V，24A，10OHM，15V 35 ns pt 1000 v 76 a 132 a 2.3V @ 15V，24a 3.6mj（在）上，1MJ（1MJ） 43 NC 15NS/147NS
IXFX52N100X IXYS IXFX52N100X 36.2100
RFQ
 ECAD 7590 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX52 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 52A（TC） 10V 125mohm @ 26a，10v 6V @ 4mA 245 NC @ 10 V ±30V 6725 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXFR150N15 IXYS IXFR150N15 -
RFQ
 ECAD 5819 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR150 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 105A（TC） 10V 12.5MOHM @ 75A，10V 4V @ 8mA 360 NC @ 10 V ±20V 9100 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXSH30N60C IXYS IXSH30N60C -
RFQ
 ECAD 4296 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixsh30 标准 200 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，30a，4.7Ohm，15V pt 600 v 55 a 110 a 2.5V @ 15V，30a （700µJ）（离） 100 NC 30NS/90NS
IXTY1R4N60P TRL IXYS IXTY1R4N60P TRL -
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 ixys Polar™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty1 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 （1 （无限） IXTY1R4N60PTRL Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 1.4A（TC） 10V 9ohm @ 700mA，10v 5.5V @ 25µA 5.2 NC @ 10 V ±30V 140 pf @ 25 V - 50W（TC）
MCK500-20IO1 IXYS MCK500-20IO1 -
RFQ
 ECAD 4924 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 WC-500 MCK500 普通阴极 -scr 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1 1 a 2 kV 1294 a 3 V 16500a @ 50Hz 300 MA 545 a 2 scr
IXFT12N90Q IXYS IXFT12N90Q -
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT12 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 12A（TC） 10V 900mohm @ 6a，10v 5.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXGH24N170AH1 IXYS IXGH24N170AH1 -
RFQ
 ECAD 8719 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH24 标准 250 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V，24a，10ohm，15V 200 ns npt 1700 v 24 a 75 a 6V @ 15V，16a 2.97mj（在）上（790µJ）off） 140 NC 21NS/336NS
IXYH55N120C4 IXYS IXYH55N120C4 8.8800
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYH55 标准 650 w TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixyh55n120c4 Ear99 8541.29.0095 30 600V，40a，5ohm，15V 50 ns - 1200 v 140 a 290 a 2.5V @ 15V，55a 3.5mj（在）上，1.34mj off） 114 NC 20N/180NS
CLA16E800PN IXYS CLA16E800PN 2.6372
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 ixys CLA16E800PN 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 CLA16 TO-220ABFP 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-CLA16E800PN Ear99 8541.30.0080 50 60 ma 800 v 16 a 1.3 v 180a，195a 30 ma 1.14 v 10 a 标准恢复
IXTH72N30T IXYS IXTH72N30T -
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXTH72 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 72A（TC） - - - -
ITF48IF1200HR IXYS itf48if1200hr 14.2400
RFQ
 ECAD 838 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 ITF48IF1200 标准 390 w ISO247 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 238-itf48if1200hr Ear99 8541.29.0095 30 600V，40a，12ohm，15V 沟 1200 v 72 a 2.4V @ 15V，40a 3MJ（在）上，2.4MJ（OFF） 175 NC 26NS/350NS
IXA30RG1200DHG-TRR IXYS IXA30RG1200DHG-TRR 14.4481
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 9-SMD模块 IXA30 标准 147 w ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 200 600V，25a，39ohm，15V - 1200 v 43 a 2.1V @ 15V，25a 2.5mj（在）上，3MJ（3mj） 76 NC 70NS/250NS
IXTY02N50D IXYS IXTY02N50D 2.5100
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IXTY02 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 500 v 200ma（tc） - 30ohm @ 50mA，0v - ±20V 120 pf @ 25 V 耗尽模式 1.1W（TA），25W（25W）TC）
IXFK110N65X3 IXYS IXFK110N65X3 18.3856
RFQ
 ECAD 2589 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFK110 - 238-ixfk110n65x3 25
M0358WC180 IXYS M0358WC180 -
RFQ
 ECAD 2876 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 DO-200AB，A-PUK M0358 标准 W1 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-M0358WC180 Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 2.1 V @ 750 A 1.4 µs 20 ma @ 1800 V -40°C〜125°C 358a -
IXGH20N120 IXYS IXGH20N120 -
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH20 标准 150 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 800V，20A，47OHM，15V pt 1200 v 40 a 80 a 2.5V @ 15V，20A 6.5MJ（） 63 NC 28NS/400NS
IXTH34N65X2 IXYS IXTH34N65x2 7.4400
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth34 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 34A（TC） 10V 105mohm @ 17a，10v 4.5V @ 4mA 53 NC @ 10 V ±30V 3120 PF @ 25 V - 540W（TC）
GWM160-0055X1-SMD IXYS GWM160-0055X1-SMD -
RFQ
 ECAD 7591 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM160 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 28 6 n通道（3相桥） 55V 150a 3.3MOHM @ 100A，10V 4.5V @ 1mA 105nc @ 10V - -
VIO160-12P1 IXYS VIO160-12P1 -
RFQ
 ECAD 2070 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 vio 694 w 标准 Eco-PAC2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 单身的 npt 1200 v 169 a 3.5V @ 15V，160a 6 ma 不 6.5 nf @ 25 V
CLA30MT1200NPZ-TUB IXYS CLA30MT1200NPZ-TUB 5.7850
RFQ
 ECAD 6404 0.00000000 ixys DT-TRIAC™ 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB CLA30 TO-263HV - rohs3符合条件 到达不受影响 238-CLA30MT1200NPZ-TUB Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 标准 1.2 kV 33 a 1.3 v 170a，185a 40 MA
IXFX24N100 IXYS IXFX24N100 18.2070
RFQ
 ECAD 8038 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX24 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 24A（TC） 10V 390MOHM @ 12A，10V 5.5V @ 8mA 267 NC @ 10 V ±20V 8700 PF @ 25 V - 560W（TC）
DSEP15-06AS-TUB IXYS DSEP15-06AS-TUB 2.4246
RFQ
 ECAD 7115 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB DSEP15 标准 TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSEP15-06AS-TUB Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 2.04 V @ 15 A 35 ns 100 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 15a 12pf @ 400V，1MHz
IXTA6N100D2HV IXYS ixta6n100d2hv 11.4530
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta6 MOSFET （金属 o化物） TO-263HV - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixta6n100d2hv Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 6a（TJ） 0V 2.2OHM @ 3a，0v 4.5V @ 250µA 95 NC @ 5 V ±20V 2650 pf @ 10 V 耗尽模式 300W（TC）
VUO68-12NO7 IXYS VUO68-12NO7 18.1300
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC1 VUO68 标准 Eco-PAC1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1.5 V @ 60 A 40 µA @ 1200 V 68 a 三期 1.2 kV
IXTN400N15X4 IXYS IXTN400N15X4 49.5300
RFQ
 ECAD 1065 0.00000000 ixys Ultra X4 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixtn400 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 150 v 400A（TC） 10V 2.7MOHM @ 100A，10V 4.5V @ 1mA 430 NC @ 10 V ±20V 14500 PF @ 25 V - 1070W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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196-LFBGA裸露的垫子

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