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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
VII25-06P1	-	RFQ	2705	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vii			82 w		标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	半桥																															npt	600 v	24.5 a		2.9V @ 15V，25a				600 µA	是的	8 nf @ 25 V
IXFM35N30	-	RFQ	6466	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXFM35		MOSFET （金属 o化物）				TO-204AE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			n通道			300 v	35A（TC）	10V	100mohm @ 17.5A，10V	4V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTH130N15X4	13.0200	RFQ	25	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH130		MOSFET （金属 o化物）				TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			150 v	130a（TC）	10V	8.5MOHM @ 70A，10V	4.5V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±20V	4770 pf @ 25 V	-	400W（TC）
DSA20C60PN	-	RFQ	8573	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-3完整包	DSA20C60		肖特基				TO-220ABFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	60 V	10a	850 mv @ 10 A		300 µA @ 60 V	-55°C 〜175°C
MCC250-08IO1	-	RFQ	4125	ixys	-	盒子	过时的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	Y2-DCB	MCC250				系列连接 -scr			下载		（1 （无限）			Ear99	8541.30.0080	2				150 ma												800 v	450 a	2 v	9000a，9600a	150 ma	287 a										2 scr
ixtp32n65xm	5.9612	RFQ	8455	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp32		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	14A（TC）	10V	135mohm @ 16a，10v	5.5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	2206 PF @ 25 V	-	78W（TC）
DPG60I400HA	6.3200	RFQ	10	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DPG60I400		标准				TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					400 v		1.47 V @ 60 A	45 ns	1 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	60a	-
IXFN44N80P	34.5800	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN44		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			800 v	39A（TC）	10V	190mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	12000 PF @ 25 V	-	694W（TC）
IXFT17N80Q	-	RFQ	3709	ixys	Hiperfet™	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft17		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			800 v	17a（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
ixta1r6n100d2	3.2300	RFQ	221	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			1000 v	1.6A（TC）	10V	10ohm @ 800mA，0v	-	27 NC @ 5 V	±20V	645 pf @ 25 V	耗尽模式	100W（TC）
IXBN75N170A	-	RFQ	1233	ixys	Bimosfet™	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXBN75			625 w		标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																															-	1700 v	75 a		6V @ 15V，42a				50 µA	不	7.4 nf @ 25 V
IXFN40N90P	42.8000	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN40		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			900 v	33A（TC）	10V	210mohm @ 20a，10v	6.5V @ 1mA	230 NC @ 10 V	±30V	14000 PF @ 25 V	-	695W（TC）
MDA95-22N1B	48.3700	RFQ	34	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	TO-240AA	MDA95		标准				TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	36		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1对公共阳极	2200 v	120a	1.2 V @ 150 A		200 µA @ 2200 V	-40°C〜150°C
IXYK110N120B4	21.1100	RFQ	2790	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixyk110	标准		1360 w			TO-264（ixyk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyk110n120b4	Ear99	8541.29.0095	25					600V，50a，2ohm，15V																					50 ns						-	1200 v	340 a	800 a	2.1V @ 15V，110a	3.6mj（在）上，3.85MJ off）	340 NC	45NS/390NS
IXFN150N65X2	48.0800	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN150		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			650 v	145a（TC）	10V	17mohm @ 75a，10v	5V @ 8mA	355 NC @ 10 V	±30V	21000 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
DHG10I1200PM	2.6700	RFQ	7000	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡	DHG10		标准				TO-220ACFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1200 v		2.69 V @ 10 A	75 ns	15 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	10a	-
IXFT140N10P	11.2400	RFQ	34	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT140		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			100 v	140a（TC）	10V	11mohm @ 70a，10v	5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	600W（TC）
VHF28-08IO5	24.7100	RFQ	1	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	fo-fa	VHF28				桥，单相-scr/二极管（布局1）			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VHF2808IO5	Ear99	8541.30.0080	10				100 ma												800 v		1 V	300A，330a	65 ma	28 a										2 scr，2个二极管
IXFH12N120P	17.4700	RFQ	3799	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh12n120p	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1200 v	12A（TC）	10V	1.35ohm @ 500mA，10v	6.5V @ 1mA	103 NC @ 10 V	±30V	5400 PF @ 25 V	-	543W（TC）
DSI30-08A	2.7300	RFQ	5	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	DSI30		标准				TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSI3008A	Ear99	8541.10.0080	50		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					800 v		1.29 V @ 30 A		40 µA @ 800 V	-40°C〜175°C	30a	10pf @ 400V，1MHz
DLA10IM800UC-TRL	1.0346	RFQ	2311	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DLA10		标准				TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					800 v		1.1 V @ 10 A		10 µA @ 800 V	-55°C 〜175°C	10a	-
MDMA900U1600PT-PC	249.9750	RFQ	3139	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	MDMA900				-			-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MDMA900U1600PT-PC	Ear99	8541.30.0080	24																			-												-
MCC19-14IO8B	23.0422	RFQ	1851年	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCC19				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				200 ma												1.4 kV	40 a	1.5 v	400a，420a	100 ma	25 a										2 scr
ixtp300n04t2	6.3300	RFQ	126	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp300		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp300n04t2	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			40 V	300A（TC）	10V	2.5MOHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXBX64N250	154.4513	RFQ	5395	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBX64	标准		735 w			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					1250V，128a，1ohm，15V																					160 ns						-	2500 v	156 a	600 a	3V @ 15V，64a	-	400 NC	49NS/232NS
MCD161-20IO1	120.4467	RFQ	9522	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Y4-M6	MCD161				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6				150 ma												2 kV	300 a	2 v	6000a，6400a	150 ma	165 a										1 sc，1二极管
MCMA50PD1200TB	26.3689	RFQ	2573	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCMA50				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				100 ma												1.2 kV	79 a	1.5 v	800a，865a	78 MA	50 a										1 sc，1二极管
MCNA150P2200YA	115.7200	RFQ	8385	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	Y4-M6	MCNA150				系列连接 -scr			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-MCNA150P2200YA	Ear99	8541.30.0080	6				200 ma												2.2 kV	235 a	2 v	4300a，4650a	150 ma	150 a										2 scr
IXTV230N085TS	-	RFQ	2204	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXTV230		MOSFET （金属 o化物）				加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			85 v	230a（TC）	10V	4.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	187 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）
DSA20C100pb	-	RFQ	5725	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-3	DSA20C100		肖特基				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	100 v	10a	900 mv @ 10 a		200 na @ 100 V	-55°C 〜175°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²