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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	SCR，二极管的数量
MDA950-18N1W	-	RFQ	4341	ixys	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	MDA950	标准			模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1对公共阳极	1800 v	950a	880 mv @ 500 A	18 µs	50 ma @ 1800 V	-40°C〜150°C
IXTT16N50D2	19.6500	RFQ	324	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT16	MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		500 v	16A（TC）	0V	240mohm @ 8a，0v	-	199 NC @ 5 V	±20V	5250 pf @ 25 V	耗尽模式	695W（TC）
VVZ175-16IO7	107.6400	RFQ	5993	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	PWS-E2	VVZ175			桥梁，三相-scr/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5				200 ma											1.6 kV	89 a	1.5 v	1500a，1600a	100 ma		167 a										3 scr，3个二极管
IXFV110N10PS	-	RFQ	9873	ixys	Polarht™HiperFet™	盒子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV110	MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		100 v	110A（TC）	10V	15mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 25 V	-	480W（TC）
ixta1n120p	5.3000	RFQ	659	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta1	MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		1200 v	1A（TC）	10V	20ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	17.6 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	63W（TC）
MCD250-16IO1	-	RFQ	3746	ixys	-	盒子	过时的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	Y2-DCB	MCD250			系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCD25016IO1	Ear99	8541.30.0080	2				150 ma											1.6 kV	450 a	2 v	9000a，9600a	150 ma		287 a										1 sc，1二极管
MMO140-08IO7	-	RFQ	6364	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	MMO			1相控制器 -scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25				200 ma											800 v	90 a	1.5 v	1150a，1230a	100 ma		58 a										2 scr
IXTC200N10T	-	RFQ	5262	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC200	MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		100 v	101A（TC）	10V	6.3MOHM @ 50a，10v	4.5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±30V	9400 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IXTH52P10P	8.4800	RFQ	301	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth52	MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			P通道		100 v	52A（TC）	10V	50MOHM @ 52A，10V	4.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2845 PF @ 25 V	-	300W（TC）
ixtp02n120p	2.7700	RFQ	4265	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP02	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		1200 v	200ma（tc）	10V	75ohm @ 100mA，10v	4V @ 100µA	4.7 NC @ 10 V	±20V	104 pf @ 25 V	-	33W（TC）
MCC170-14IO1	-	RFQ	7094	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜130°C（TJ）	底盘安装	Y1-CU	MCC170			系列连接 -scr		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4				150 ma											1.4 kV	350 a	2 v	5400A，5800A	150 ma		203 a										2 scr
IXFP270N06T3	5.2764	RFQ	1013	ixys	HiperFet™，Trencht3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP270	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		60 V	270a（TC）	10V	3.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	12600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTC220N055T	-	RFQ	5698	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC220	MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		55 v	130a（TC）	10V	4.4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IXFH7N100P	8.3188	RFQ	2780	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH7	MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		1000 v	7A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.5A，10V	6V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±30V	2590 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTH130N15T	-	RFQ	3483	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH130	MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		150 v	130a（TC）	10V	12mohm @ 65a，10v	4.5V @ 1mA	113 NC @ 10 V	±30V	9800 PF @ 25 V	-	750W（TC）
K2325TJ650	-	RFQ	7315	ixys	-	盒子	在sic中停产	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF	K2325				W81	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-K2325TJ650	Ear99	8541.30.0080	6				1 a											6.5 kV	4625 a	3 V	36300a @ 50Hz	300 MA	4.2 v	2380 a	200 ma	标准恢复
MCO600-22IO1	249.4600	RFQ	6583	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	Y1-CU	MCO600			单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCO60022IO1	Ear99	8541.30.0080	2				300 MA											2.2 kV	928 a	2 v	15000a，16000a	300 MA		600 a										1 scr
ixta80n12t2	3.1660	RFQ	3939	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta80	MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		120 v	80A（TC）	10V	17mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	4740 pf @ 25 V	-	325W（TC）
IXFP7N100P	6.2500	RFQ	9609	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP7N100	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp7n100p	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		1000 v	7A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.5A，10V	6V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±30V	2590 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFK120N20P	13.4900	RFQ	4550	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK120	MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道		200 v	120A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	152 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	714W（TC）
IXFX64N50Q3	28.7200	RFQ	8244	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX64	MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfx64n50q3	Ear99	8541.29.0095	30			n通道		500 v	64A（TC）	10V	85mohm @ 32a，10v	6.5V @ 4mA	145 NC @ 10 V	±30V	6950 pf @ 25 V	-	1000W（TC）
GWM100-0085x1-SMD	-	RFQ	2029	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM100	MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）				85V	103a		6.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	114NC @ 10V		-	-
ixtp1r4n60p	-	RFQ	7508	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp1	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	1.4A（TC）	10V	9ohm @ 700mA，10v	5.5V @ 25µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	140 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IXFX130N65X3	27.1407	RFQ	2154	ixys	-	管子	积极的				IXFX130					-				238-ixfx130n65x3			30
IXFH16N80P	9.3000	RFQ	3692	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH16	MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		800 v	16A（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	71 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFH150N15P	12.5700	RFQ	168	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH150	MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh150n15p	Ear99	8541.29.0095	30			n通道		150 v	150a（TC）	10V	13mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	714W（TC）
ixta130n10t	4.7600	RFQ	80	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta130	MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q3262430	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±30V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
CS20-12IO1	6.0900	RFQ	6583	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜125°C	通过洞	TO-247-3	CS20				TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	30				100 ma											1.2 kV	30 a	1 V	200a，215a	65 ma	2.1 v	19 a	2 ma	标准恢复
DSEC60-02A	-	RFQ	6222	ixys	Hiperfred™	管子	过时的		通过洞	TO-247-3	DSEC60	标准			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	200 v	30a	1.2 V @ 30 A	25 ns	10 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
MDC500-22IO1	-	RFQ	3796	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	WC-500	MDC500			系列连接 -SCR/二极管		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				1 a											2.2 kV	1294 a	3 V	16500a @ 50Hz	300 MA		545 a										1 sc，1二极管

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²