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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXTH120N20X4 | 10.4200 | ![]() | 3042 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXTH120 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 238-ixth120n20x4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 200 v | 120A(TC) | 10V | 9.5MOHM @ 60a,10v | 4.5V @ 250µA | 108 NC @ 10 V | ±20V | 6100 PF @ 25 V | - | 417W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FUO50-16N | 22.1800 | ![]() | 408 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | I4-PAC™-5 | fuo50 | 标准 | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | FUO5016N | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.15 V @ 15 A | 20 µA @ 1600 V | 50 a | 三期 | 1.6 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixtk88n30p | 11.6268 | ![]() | 7073 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | ixtk88 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264(IXTK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 300 v | 88A(TC) | 10V | 40mohm @ 44a,10v | 5V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 6300 PF @ 25 V | - | 600W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFR55N50 | - | ![]() | 7344 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFR55 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS247™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 48A(TC) | 10V | 90MOHM @ 27.5A,10V | 4.5V @ 8mA | 330 NC @ 10 V | ±20V | 9400 PF @ 25 V | - | 400W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VBO20-08NO2 | - | ![]() | 7223 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,fo-a | VBO20 | 标准 | fo-a | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.8 V @ 55 A | 300 µA @ 800 V | 31 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMM60-02TF | 18.8696 | ![]() | 3615 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | I4-PAC™-5 | FMM60 | MOSFET (金属 o化物) | 125W | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 2 n 通道(双) | 200V | 33a | 40mohm @ 30a,10v | 4.5V @ 250µA | 90NC @ 10V | 3700pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTQ30N50P | - | ![]() | 1152 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXTQ30 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 30A(TC) | 10V | 200mohm @ 15a,10v | 5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±30V | 4150 PF @ 25 V | - | 460W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTT64N25P | 7.2430 | ![]() | 1501 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | ixtt64 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 250 v | 64A(TC) | 10V | 49mohm @ 500mA,10v | 5V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ±20V | 3450 pf @ 25 V | - | 400W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFX110N65X3 | 18.3853 | ![]() | 2257 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | IXFX110 | - | 238-ixfx110n65x3 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DSEP40-03AS-tub | 3.0790 | ![]() | 7838 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | DSEP40 | 标准 | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DSEP40-03AS-TUB | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.46 V @ 40 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C 〜175°C | 40a | 50pf @ 150V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGT60N60C3D1 | - | ![]() | 1714年 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | IXGT60 | 标准 | 380 w | TO-268AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V,40a,3ohm,15V | 25 ns | pt | 600 v | 75 a | 300 a | 2.5V @ 15V,40a | (800µJ)(在450µJ上) | 115 NC | 21NS/70NS | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFV96N15PS | - | ![]() | 4344 | 0.00000000 | ixys | Polarht™HiperFet™ | 盒子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 加220SMD | IXFV96 | MOSFET (金属 o化物) | 加220SMD | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 150 v | 96A(TC) | 10V | 24mohm @ 500mA,10v | 5V @ 4mA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 3500 PF @ 25 V | - | 480W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXCP01N90E | - | ![]() | 6347 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXCP01 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 900 v | 250mA(tc) | 10V | 80ohm @ 50mA,10v | 5V @ 25µA | 7.5 NC @ 10 V | ±20V | 133 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
IXFV30N50P | - | ![]() | 9055 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Polarht™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3,短选项卡 | IXFV30 | MOSFET (金属 o化物) | 加220 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 30A(TC) | 10V | 200mohm @ 15a,10v | 5V @ 4mA | 70 NC @ 10 V | ±30V | 4150 PF @ 25 V | - | 460W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
MIXA60WH1200TEH | 126.5860 | ![]() | 5196 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | E3 | Mixa60 | 290 w | 三相桥梁整流器 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三期逆变器 | - | 1200 v | 85 a | 2.1V @ 15V,55a | 500 µA | 是的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMIX1F520N075T2 | 24.3200 | ![]() | 455 | 0.00000000 | ixys | Gigamos™,Trencht2™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 24-PowersMD,21个线索 | MMIX1F520 | MOSFET (金属 o化物) | 24-smpd | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 625162 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | n通道 | 75 v | 500A(TC) | 10V | 1.6MOHM @ 100A,10V | 5V @ 8mA | 545 NC @ 10 V | ±20V | 41000 PF @ 25 V | - | 830W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGH40N60C2D1 | - | ![]() | 7945 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGH40 | 标准 | 300 w | TO-247AD | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,30a,3ohm,15V | 25 ns | pt | 600 v | 75 a | 200 a | 2.7V @ 15V,30a | (200µJ) | 95 NC | 18NS/90NS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VUE35-12NO7 | 18.8748 | ![]() | 5938 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Eco-PAC1 | VUE35 | 标准 | Eco-PAC1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 2.73 V @ 15 A | 100 µA @ 1200 V | 40 a | 三期 | 1.2 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXCY01N90E | - | ![]() | 9261 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IXCY01 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 900 v | 250mA(tc) | 10V | 80ohm @ 50mA,10v | 5V @ 25µA | 7.5 NC @ 10 V | ±20V | 133 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXBF32N300 | 81.7300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | ixys | Bimosfet™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | I4-PAC™-5 (3个线索) | IXBF32 | 标准 | 160 w | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 1.5 µs | - | 3000 v | 40 a | 250 a | 3.2V @ 15V,32a | - | 142 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||
IXGA8N100 | - | ![]() | 8391 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixga8 | 标准 | 54 w | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 800V,8a,120ohm,15V | pt | 1000 v | 16 a | 32 a | 2.7V @ 15V,8a | 2.3MJ(() | 26.5 NC | 15NS/600NS | ||||||||||||||||||||||||||||||
DMA90U1800LB-tub | 24.7285 | ![]() | 3321 | 0.00000000 | ixys | ISOPLUS™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 9-SMD模块 | DMA90 | 标准 | ISOPLUS-SMPD™.b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.26 V @ 30 A | 40 µA @ 1800 V | 90 a | 三期 | 1.8 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXXX300N60B3 | 35.0800 | ![]() | 30 | 0.00000000 | ixys | GenX3™,XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | IXXX300 | 标准 | 2300 w | 加上247™-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,100A,1OHM,15V | pt | 600 v | 550 a | 1140 a | 1.6V @ 15V,100a | 3.45MJ(在)上,2.86mj off) | 460 NC | 50NS/190NS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGN200N60B3 | 44.7500 | ![]() | 981 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXGN200 | 830 w | 标准 | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | pt | 600 v | 300 a | 1.5V @ 15V,100a | 50 µA | 不 | 26 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXST15N120B | - | ![]() | 1885年 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | IXST15 | 标准 | 150 w | TO-268AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V,15a,10ohm,15V | pt | 1200 v | 30 a | 60 a | 3.4V @ 15V,15a | 1.5mj(() | 57 NC | 30NS/148NS | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGH28N60B | - | ![]() | 9496 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGH28 | 标准 | 150 w | TO-247AD | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V,28a,10ohm,15V | - | 600 v | 40 a | 80 a | 2V @ 15V,28a | 2MJ(() | 68 NC | 15NS/175NS | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VUO34-08NO1 | 26.9204 | ![]() | 7865 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | v1-a | VUO34 | 标准 | v1-a | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1.13 V @ 50 A | 20 µA @ 800 V | 36 a | 三期 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VUO30-16NO3 | - | ![]() | 2971 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | fo-fb | VUO30 | 标准 | fo-fb | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 2.55 V @ 150 A | 300 µA @ 1600 V | 37 a | 三期 | 1.6 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGE200N60B | - | ![]() | 1929年 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | ISOPLUS227™ | IXGE200 | 416 w | 标准 | ISOPLUS227™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | - | 600 v | 160 a | 2.3V @ 15V,120a | 200 µA | 不 | 11 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mixa60w1200 | 88.4783 | ![]() | 3970 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E2 | Mixa60 | 290 w | 标准 | E2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 三期逆变器 | pt | 1200 v | 85 a | 2.1V @ 15V,55a | 500 µA | 是的 |
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