SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f SCR,二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
HTZ180D26K IXYS htz180d26k -
RFQ
ECAD 3660 0.00000000 ixys htz180d 盒子 积极的 底盘安装 模块 htz180 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 26000 v 1.3a 22 V @ 2 A 500 µA @ 26000 V
IXTP12N70X2 IXYS ixtp12n70x2 4.3970
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp12 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixtp12n70x2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 700 v 12A(TC) 10V 300mohm @ 6a,10v 4.5V @ 250µA 19 nc @ 10 V ±30V 960 pf @ 25 V - 180W(TC)
MCMA700P1800CA IXYS MCMA700P1800CA 255.0400
RFQ
ECAD 4557 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 底盘安装 组合 MCMA700 系列连接 -scr - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCMA700P1800CA Ear99 8541.30.0080 3 300 MA 1.8 kV 1100 a 2 v 19000a,20500a 300 MA 700 a 2 scr
IXFH230N10T IXYS IXFH230N10T 9.8400
RFQ
ECAD 110 0.00000000 ixys hiperfet™,战沟 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH230 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 230a(TC) 10V 4.7MOHM @ 500mA,10V 4.5V @ 1mA 250 NC @ 10 V ±20V 15300 PF @ 25 V - 650W(TC)
IXTP12N65X2M IXYS ixtp12n65x2m 2.9501
RFQ
ECAD 9231 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 ixtp12 MOSFET (金属 o化物) TO-220隔离选项卡 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 12A(TC) 10V 300mohm @ 6a,10v 4.5V @ 250µA 17.7 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 40W(TC)
IXTY50N085T IXYS IXTY50N085T -
RFQ
ECAD 7183 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty5 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 85 v 50A(TC) 10V 23mohm @ 25a,10v 4V @ 25µA 34 NC @ 10 V ±20V 1460 pf @ 25 V - 130W(TC)
P0848YC06C IXYS P0848YC06C 165.1500
RFQ
ECAD 6407 0.00000000 ixys - 盒子 不适合新设计 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB,B-PUK P0848 W58 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-P0848YC06C Ear99 8541.30.0080 24 1 a 600 v 1713 a 3 V 9625a @ 50Hz 200 ma 1.47 v 848 a 50 mA 标准恢复
MIAA15WD600TMH IXYS MIAA15WD600TMH -
RFQ
ECAD 4888 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 Minipack2 MIAA15W 80 W 单相桥梁整流器 Minipack2 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 20 三相逆变器 npt 600 v 23 a 2.5V @ 15V,15a 600 µA 是的 700 pf @ 25 V
IXTQ460P2 IXYS IXTQ460P2 6.7900
RFQ
ECAD 134 0.00000000 ixys Polarp2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXTQ460 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A(TC) 10V 270MOHM @ 12A,10V 4.5V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±30V 2890 pf @ 25 V - 480W(TC)
IXFR50N50 IXYS IXFR50N50 -
RFQ
ECAD 2416 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFR50 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 43A(TC) 10V 100mohm @ 25a,10v 4.5V @ 8mA 330 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 400W(TC)
IXFP20N50P3 IXYS IXFP20N503 5.3000
RFQ
ECAD 32 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXFP20 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfp20n50p3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 8A(TC) 10V 300mohm @ 10a,10v 5V @ 1.5mA 36 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 V - 380W(TC)
IXFH60N20 IXYS IXFH60N20 -
RFQ
ECAD 6245 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH60 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 60a(TC) 10V 33mohm @ 30a,10v 4V @ 4mA 155 NC @ 10 V ±20V 5200 pf @ 25 V - 300W(TC)
IXFP16N50P IXYS IXFP16N50P 5.0500
RFQ
ECAD 1773年 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXFP16 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 16A(TC) 10V 400mohm @ 8a,10v 5.5V @ 2.5mA 43 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 25 V - 300W(TC)
IXFT88N30P IXYS IXFT88N30P 13.1597
RFQ
ECAD 4063 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft88 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 88A(TC) 10V 40mohm @ 44a,10v 5V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 25 V - 600W(TC)
MCD200-14IO1 IXYS MCD200-14IO1 80.9100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 Y4-M6 MCD200 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 150 ma 1.4 kV 340 a 2 v 8000a,8600a 150 ma 216 a 1 sc,1二极管
VMM650-01F IXYS VMM650-01F -
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 y3-li VMM650 MOSFET (金属 o化物) - y3-li 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 2 n 通道(双) 100V 680a 2.2MOHM @ 500A,10V 4V @ 30mA 1440NC @ 10V - -
IXTP12N65X2 IXYS ixtp12n65x2 2.7187
RFQ
ECAD 9924 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp12 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 12A(TC) 10V 300mohm @ 6a,10v 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 180W(TC)
VDI75-06P1 IXYS VDI75-06P1 -
RFQ
ECAD 2204 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC2 vdi 208 w 标准 Eco-PAC2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 单身的 npt 600 v 69 a 2.8V @ 15V,75a 800 µA 是的 2.8 nf @ 25 V
IXKH24N60C5 IXYS IXKH24N60C5 -
RFQ
ECAD 9065 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXKH24 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 24A(TC) 10V 165mohm @ 12a,10v 3.5V @ 790µA 52 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 100 V - -
IXFN340N06 IXYS IXFN340N06 36.6980
RFQ
ECAD 3313 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN340 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 60 V 340a(TC) 10V 3MOHM @ 100A,10V 4V @ 8mA 600 NC @ 10 V ±20V 16800 PF @ 25 V - 700W(TC)
IXFL82N60P IXYS IXFL82N60P 34.2800
RFQ
ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA ixfl82 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS264™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 55A(TC) 10V 78MOHM @ 41A,10V 5V @ 8mA 240 NC @ 10 V ±30V 23000 PF @ 25 V - 625W(TC)
FMM150-0075P IXYS FMM150-0075p -
RFQ
ECAD 7089 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 I4-PAC™-5 FMM MOSFET (金属 o化物) - ISOPLUS I4-PAC™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 2 n 通道(双) 75V 150a 4.2MOHM @ 120A,10V 4V @ 1mA 225nc @ 10V - -
DSSK38-0025BS-TRL IXYS DSSK38-0025bs-trl -
RFQ
ECAD 4693 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB DSSK38 肖特基 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 25 v 20a 480 mv @ 20 a 20 ma @ 25 V -55°C〜150°C
VKI50-06P1 IXYS VKI50-06P1 -
RFQ
ECAD 9988 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC2 VKI50 130 w 标准 Eco-PAC2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 完整的桥梁逆变器 npt 600 v 42.5 a 2.9V @ 15V,50a 600 µA 是的 16 NF @ 25 V
DPF10I600APA IXYS DPF10I600APA 1.7046
RFQ
ECAD 2100 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - - DPF10 - - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DPF10I600APA 50 - - - -
IXTP2N100P IXYS ixtp2n100p 3.5600
RFQ
ECAD 160 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp2 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixtp2n100p Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 2A(TC) 10V 7.5OHM @ 500mA,10v 4.5V @ 100µA 24.3 NC @ 10 V ±20V 655 pf @ 25 V - 86W(TC)
IXFK120N25P IXYS IXFK120N25P 14.4900
RFQ
ECAD 3478 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK120 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 250 v 120A(TC) 10V 24mohm @ 60a,10v 5V @ 4mA 185 NC @ 10 V ±20V 8000 PF @ 25 V - 700W(TC)
CLA40E1200NPZ-TUB IXYS CLA40E1200NPZ-TUB 5.3500
RFQ
ECAD 1924年 0.00000000 ixys CLA40E1200NPZ 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB CLA40 TO-263HV 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 238-CLA40E1200NPZ-TUB Ear99 8541.30.0080 50 70 MA 1.2 kV 63 a 1.7 v 520a,560a 35 MA 1.3 v 40 a 标准恢复
IXFN110N60P3 IXYS IXFN110N60P3 39.4800
RFQ
ECAD 309 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN110 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 625715 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 600 v 90A(TC) 10V 56mohm @ 55a,10v 5V @ 8mA 245 NC @ 10 V ±30V 18000 PF @ 25 V - 1500W(TC)
IXFD40N30Q-72 IXYS IXFD40N30Q-72 -
RFQ
ECAD 8764 0.00000000 ixys Hiperfet™ 大部分 过时的 - - IXFD40N30Q MOSFET (金属 o化物) - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 n通道 300 v - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库