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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻
IXGK400N30A3 IXYS IXGK400N30A3 26.0400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXGK400 标准 1000 w TO-264（ixgk） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 - pt 300 v 400 a 1200 a 1.15V @ 15V，100a - 560 NC -
IXTK170P10P IXYS IXTK170P10P 21.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXTK170 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 P通道 100 v 170a（TC） 10V 12mohm @ 500mA，10v 4V @ 1mA 240 NC @ 10 V ±20V 12600 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXFN32N120P IXYS IXFN32N120P 73.4200
RFQ
 ECAD 9402 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN32 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfn32n120p Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1200 v 32A（TC） 10V 310MOHM @ 500mA，10V 6.5V @ 1mA 360 NC @ 10 V ±30V 21000 PF @ 25 V - 1000W（TC）
IXFE44N50QD2 IXYS IXFE44N50QD2 -
RFQ
 ECAD 8425 0.00000000 ixys Hiperfet™，耗尽 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixfe44 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 39A（TC） 10V 120mohm @ 22a，10v 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 8000 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXBA16N170AHV-TRL IXYS IXBA16N170AHV-TRL 42.1911
RFQ
 ECAD 8959 0.00000000 ixys Bimosfet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixba16 标准 150 w TO-263HV - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixba16n170ahv-trltr Ear99 8541.29.0095 800 1360v，10a，10ohm，15V 360 ns - 1700 v 16 a 40 a 6V @ 15V，10a 1.2MJ（） 65 NC 15NS/160NS
IXXH50N60B3D1 IXYS IXXH50N60B3D1 12.7900
RFQ
 ECAD 2916 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXXH50 标准 600 w TO-247AD（IXXH） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 360V，36a，5ohm，15V 25 ns pt 600 v 120 a 200 a 1.8V @ 15V，36a 670µJ（在）上，740µJ（OFF） 70 NC 27n/100ns
IXTH21N50 IXYS IXTH21N50 7.7060
RFQ
 ECAD 3883 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth21 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 21a（TC） 10V 250mohm @ 10.5a，10v 4V @ 250µA 190 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFN56N90P IXYS IXFN56N90P 61.8500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN56 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 900 v 56A（TC） 10V 135mohm @ 28a，10v 6.5V @ 3mA 375 NC @ 10 V ±30V 23000 PF @ 25 V - 1000W（TC）
IXTA160N075T IXYS ixta160n075t -
RFQ
 ECAD 9243 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta160 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 160a（TC） 10V 6mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±20V 4950 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXTH120N20X4 IXYS IXTH120N20X4 10.4200
RFQ
 ECAD 3042 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH120 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 238-ixth120n20x4 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 120A（TC） 10V 9.5MOHM @ 60a，10v 4.5V @ 250µA 108 NC @ 10 V ±20V 6100 PF @ 25 V - 417W（TC）
FUO50-16N IXYS FUO50-16N 22.1800
RFQ
 ECAD 408 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 fuo50 标准 ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 FUO5016N Ear99 8541.10.0080 25 1.15 V @ 15 A 20 µA @ 1600 V 50 a 三期 1.6 kV
IXTK88N30P IXYS ixtk88n30p 11.6268
RFQ
 ECAD 7073 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk88 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 300 v 88A（TC） 10V 40mohm @ 44a，10v 5V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 25 V - 600W（TC）
IXFR55N50 IXYS IXFR55N50 -
RFQ
 ECAD 7344 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR55 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 48A（TC） 10V 90MOHM @ 27.5A，10V 4.5V @ 8mA 330 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 400W（TC）
VBO20-08NO2 IXYS VBO20-08NO2 -
RFQ
 ECAD 7223 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，fo-a VBO20 标准 fo-a 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 55 A 300 µA @ 800 V 31 a 单相 800 v
FMM60-02TF IXYS FMM60-02TF 18.8696
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMM60 MOSFET （金属 o化物） 125W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 200V 33a 40mohm @ 30a，10v 4.5V @ 250µA 90NC @ 10V 3700pf @ 25V -
IXTQ30N50P IXYS IXTQ30N50P -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ30 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 30A（TC） 10V 200mohm @ 15a，10v 5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±30V 4150 PF @ 25 V - 460W（TC）
IXTT64N25P IXYS IXTT64N25P 7.2430
RFQ
 ECAD 1501 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt64 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 64A（TC） 10V 49mohm @ 500mA，10v 5V @ 250µA 105 NC @ 10 V ±20V 3450 pf @ 25 V - 400W（TC）
IXFX110N65X3 IXYS IXFX110N65X3 18.3853
RFQ
 ECAD 2257 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFX110 - 238-ixfx110n65x3 30
DSEP40-03AS-TUB IXYS DSEP40-03AS-tub 3.0790
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DSEP40 标准 TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSEP40-03AS-TUB Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.46 V @ 40 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 40a 50pf @ 150V，1MHz
IXGT60N60C3D1 IXYS IXGT60N60C3D1 -
RFQ
 ECAD 1714年 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT60 标准 380 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，40a，3ohm，15V 25 ns pt 600 v 75 a 300 a 2.5V @ 15V，40a （800µJ）（在450µJ上） 115 NC 21NS/70NS
IXFV96N15PS IXYS IXFV96N15PS -
RFQ
 ECAD 4344 0.00000000 ixys Polarht™HiperFet™ 盒子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 加220SMD IXFV96 MOSFET （金属 o化物） 加220SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 96A（TC） 10V 24mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 110 NC @ 10 V ±20V 3500 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXCP01N90E IXYS IXCP01N90E -
RFQ
 ECAD 6347 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXCP01 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 250mA（tc） 10V 80ohm @ 50mA，10v 5V @ 25µA 7.5 NC @ 10 V ±20V 133 pf @ 25 V - 40W（TC）
IXFV30N50P IXYS IXFV30N50P -
RFQ
 ECAD 9055 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3，短选项卡 IXFV30 MOSFET （金属 o化物） 加220 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 30A（TC） 10V 200mohm @ 15a，10v 5V @ 4mA 70 NC @ 10 V ±30V 4150 PF @ 25 V - 460W（TC）
MIXA60WH1200TEH IXYS MIXA60WH1200TEH 126.5860
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 E3 Mixa60 290 w 三相桥梁整流器 E3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三期逆变器 - 1200 v 85 a 2.1V @ 15V，55a 500 µA 是的
MMIX1F520N075T2 IXYS MMIX1F520N075T2 24.3200
RFQ
 ECAD 455 0.00000000 ixys Gigamos™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 24-PowersMD，21个线索 MMIX1F520 MOSFET （金属 o化物） 24-smpd 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 625162 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 75 v 500A（TC） 10V 1.6MOHM @ 100A，10V 5V @ 8mA 545 NC @ 10 V ±20V 41000 PF @ 25 V - 830W（TC）
IXGH40N60C2D1 IXYS IXGH40N60C2D1 -
RFQ
 ECAD 7945 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH40 标准 300 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，3ohm，15V 25 ns pt 600 v 75 a 200 a 2.7V @ 15V，30a （200µJ） 95 NC 18NS/90NS
VUE35-12NO7 IXYS VUE35-12NO7 18.8748
RFQ
 ECAD 5938 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC1 VUE35 标准 Eco-PAC1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 2.73 V @ 15 A 100 µA @ 1200 V 40 a 三期 1.2 kV
IXCY01N90E IXYS IXCY01N90E -
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IXCY01 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 250mA（tc） 10V 80ohm @ 50mA，10v 5V @ 25µA 7.5 NC @ 10 V ±20V 133 pf @ 25 V - 40W（TC）
IXBF32N300 IXYS IXBF32N300 81.7300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 （3个线索） IXBF32 标准 160 w ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 - 1.5 µs - 3000 v 40 a 250 a 3.2V @ 15V，32a - 142 NC -
IXGA8N100 IXYS IXGA8N100 -
RFQ
 ECAD 8391 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixga8 标准 54 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 800V，8a，120ohm，15V pt 1000 v 16 a 32 a 2.7V @ 15V，8a 2.3MJ（（） 26.5 NC 15NS/600NS
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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