SIC
close

6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（av）（av）） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C
VHF28-08IO5 IXYS VHF28-08IO5 24.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 fo-fa VHF28 桥，单相-scr/二极管（布局1） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 VHF2808IO5 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 800 v 1 V 300A，330a 65 ma 28 a 2 scr，2个二极管
IXFM35N30 IXYS IXFM35N30 -
RFQ
 ECAD 6466 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-204AE IXFM35 MOSFET （金属 o化物） TO-204AE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 300 v 35A（TC） 10V 100mohm @ 17.5A，10V 4V @ 4mA 200 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXTH130N15X4 IXYS IXTH130N15X4 13.0200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys Ultra X4 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH130 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 130a（TC） 10V 8.5MOHM @ 70A，10V 4.5V @ 250µA 87 NC @ 10 V ±20V 4770 pf @ 25 V - 400W（TC）
DSP8-12A IXYS DSP8-12A 2.9000
RFQ
 ECAD 9810 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 DSP8 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DSP812A Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 11a 1.15 V @ 7 A 5 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
DAA200XA1800NA IXYS DAA200XA1800NA 30.9190
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 ixys DAA200XA1800NA 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DAA200 雪崩 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 238-DAA200XA1800NA Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1800 v 100a 1.24 V @ 100 A 200 µA @ 1800 V -40°C〜150°C
IXTA220N075T IXYS IXTA220N075T -
RFQ
 ECAD 7694 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta220 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 220A（TC） 10V 4.5MOHM @ 25A，10V 4V @ 250µA 165 NC @ 10 V ±20V 7700 PF @ 25 V - 480W（TC）
DSA15IM200UC-TRL IXYS DSA15IM200UC-TRL 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DSA15IM200 肖特基 TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 940 mv @ 15 A 250 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 15a 67pf @ 24V，1MHz
MDD950-18N1W IXYS MDD950-18N1W -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 模块 MDD950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1800 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1800 V -40°C〜150°C
DMA150YC1600NA IXYS DMA150YC1600NA 35.7000
RFQ
 ECAD 6608 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DMA150 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 3个普通阴极 1600 v 150a 1.21 V @ 50 A 100 µA @ 1600 V -40°C〜150°C
IXKF40N60SCD1 IXYS IXKF40N60SCD1 -
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 （3个线索） IXKF40 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 41A（TC） 10V 70mohm @ 25a，10v 3.9V @ 3mA 250 NC @ 10 V ±20V - -
IXFN44N80P IXYS IXFN44N80P 34.5800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN44 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 800 v 39A（TC） 10V 190mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 200 NC @ 10 V ±30V 12000 PF @ 25 V - 694W（TC）
DPG60I400HA IXYS DPG60I400HA 6.3200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DPG60I400 标准 TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.47 V @ 60 A 45 ns 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 60a -
IXFN40N90P IXYS IXFN40N90P 42.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN40 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 900 v 33A（TC） 10V 210mohm @ 20a，10v 6.5V @ 1mA 230 NC @ 10 V ±30V 14000 PF @ 25 V - 695W（TC）
MDA950-12N1W IXYS MDA950-12N1W -
RFQ
 ECAD 3325 0.00000000 ixys - 托盘 积极的 底盘安装 模块 MDA950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 1200 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1200 V -40°C〜150°C
IXFT17N80Q IXYS IXFT17N80Q -
RFQ
 ECAD 3709 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft17 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 800 v 17a（TC） 10V 600mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 4mA 95 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXTP300N04T2 IXYS ixtp300n04t2 6.3300
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp300 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixtp300n04t2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 300A（TC） 10V 2.5MOHM @ 500mA，10V 4V @ 250µA 145 NC @ 10 V ±20V 10700 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXFN150N65X2 IXYS IXFN150N65X2 48.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN150 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 650 v 145a（TC） 10V 17mohm @ 75a，10v 5V @ 8mA 355 NC @ 10 V ±30V 21000 PF @ 25 V - 1040W（TC）
IXTV230N085TS IXYS IXTV230N085TS -
RFQ
 ECAD 2204 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 加220SMD IXTV230 MOSFET （金属 o化物） 加220SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 85 v 230a（TC） 10V 4.4mohm @ 50a，10v 4V @ 250µA 187 NC @ 10 V ±20V 9900 PF @ 25 V - 550W（TC）
MCD310-08IO1 IXYS MCD310-08IO1 124.1650
RFQ
 ECAD 8185 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y2-DCB MCD310 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2 150 ma 800 v 500 a 2 v 9200A，9800A 150 ma 320 a 1 sc，1二极管
GMM3X160-0055X2-SMD IXYS GMM3X160-0055X2-SMD -
RFQ
 ECAD 8483 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 24-smd，海鸥翼 GMM3x160 MOSFET （金属 o化物） - 24-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 55V 150a - 4V @ 1mA 110NC @ 10V - -
MCNA150P2200YA IXYS MCNA150P2200YA 115.7200
RFQ
 ECAD 8385 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y4-M6 MCNA150 系列连接 -scr - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-MCNA150P2200YA Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 2.2 kV 235 a 2 v 4300a，4650a 150 ma 150 a 2 scr
MDMA900U1600PT-PC IXYS MDMA900U1600PT-PC 249.9750
RFQ
 ECAD 3139 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - MDMA900 - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDMA900U1600PT-PC Ear99 8541.30.0080 24 - -
IXBX64N250 IXYS IXBX64N250 154.4513
RFQ
 ECAD 5395 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXBX64 标准 735 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，128a，1ohm，15V 160 ns - 2500 v 156 a 600 a 3V @ 15V，64a - 400 NC 49NS/232NS
DLA10IM800UC-TRL IXYS DLA10IM800UC-TRL 1.0346
RFQ
 ECAD 2311 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DLA10 标准 TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 10 A 10 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 10a -
IXFP130N15X3 IXYS IXFP130N15X3 9.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP130 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfp130n15x3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 130a（TC） 10V 9mohm @ 65a，10v 4.5V @ 1.5mA 80 NC @ 10 V ±20V 5230 PF @ 25 V - 390W（TC）
MCC19-14IO8B IXYS MCC19-14IO8B 23.0422
RFQ
 ECAD 1851年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC19 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.4 kV 40 a 1.5 v 400a，420a 100 ma 25 a 2 scr
IXTN102N65X2 IXYS IXTN102N65X2 35.9700
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXTN102 MOSFET （金属 o化物） SOT-227 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 650 v 76A（TC） 10V 30mohm @ 51a，10v 5V @ 250µA 152 NC @ 10 V ±30V 10900 PF @ 25 V - 595AW（TC）
MDA95-22N1B IXYS MDA95-22N1B 48.3700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 TO-240AA MDA95 标准 TO-240AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 36 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 2200 v 120a 1.2 V @ 150 A 200 µA @ 2200 V -40°C〜150°C
VVZ12-16IO1 IXYS VVZ12-16IO1 -
RFQ
 ECAD 3689 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 卡姆 VVZ12 桥梁，三相-scr/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 5 100 ma 1.6 kV 1 V 110a，115a 65 ma 20 a 3 scr，3个二极管
IXFP14N85XM IXYS IXFP14N85XM 6.4400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 IXFP14 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 850 v 14A（TC） 10V 550MOHM @ 7A，10V 5.5V @ 1mA 30 NC @ 10 V ±30V 1043 PF @ 25 V - 38W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭